芯片的制造方法

专利名称：芯片的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种用于制造在基板上形成功能元件而成的芯片的制造方法。
背景技术：
在现有的芯片的制造方法中，首先，将由硅形成的板状的加工对象物研磨至所要求的所期望厚度而进行薄化，在该薄化后的加工对象物的一个主面上形成功能元件。再者，例如专利文献I所记载，在使激光聚光于加工对象物而在加工对象物的内部形成改质区域之后，对该加工对象物施加外部应力。由此，加工对象物以改质区域为起点进行切断并划片，其结果，得到芯片。现有技术文献 专利文献专利文献1:日本特开2004-343008号公报

发明内容
发明所要解决的技术问题这里，在上述现有技术中，在例如制造极薄芯片的情况下，如前述那样利用研磨对加工对象物进行薄化，因而加工对象物的处理极其困难。此外，在这种情况下，由于研磨后的加工对象物具有其薄度所引起的柔软性，因此在加工对象物形成功能元件时不容易使加エ对象物平坦化，从这点而言，加工对象物的处理也是困难的。因此，在上述现有技术中，强烈期望能够容易地制造所期望厚度的芯片。因此，本发明的技术问题在于，提供一种能够容易地制造所期望厚度的芯片的芯片的制造方法。解决技术问题的手段为解决上述技术问题，本发明的一方面所涉及的芯片的制造方法是在基板上形成有功能元件而成的芯片的制造方法，其包含在由硅形成的板状的加工对象物的一个主面形成功能元件的功能元件形成エ序；通过使激光聚光于加工对象物，在加工对象物的与一个主面相距对应于基板厚度的规定深度的位置，沿着一个主面形成第I改质区域的第I改质区域形成エ序；通过使激光聚光于加工对象物,在加工对象物的ー个主面侧,将从ー个主面看与基板的侧缘对应而延伸的第2改质区域，以沿着加工对象物的厚度方向而连接于第I改质区域的方式形成的第2改质区域形成エ序；以及在第I和第2改质区域形成エ序之后，沿着第I和第2改质区域使蚀刻选择性地进展，切下加工对象物的一部分而形成基板的蚀刻エ序。在该芯片的制造方法中，第I和第2改质区域形成于加工对象物，沿着这些第I和第2改质区域使蚀刻选择性地进展，由此切下加工对象物的一部分而形成基板。其结果，不利用研磨来对加工对象物薄化，而形成具有所期望厚度的芯片。因此，使加工对象物的处理容易进行，可以容易地制造所期望厚度的芯片。
这里，在蚀刻エ序中，存在将加工对象物的ー个主面侧的一部分切下而作为基板的情况。另外，第I和第2改质区域形成エ序在功能元件形成エ序之后实施，在第I和第2改质区域形成エ序中，也可以使激光从ー个主面的相反侧的另一个主面入射至加工对象物并聚光。在这种情况下，在形成第I和第2改质区域时，能够抑制激光照射于功能元件，并可以抑制激光的照射所导致的影响波及功能元件(換言之，功能元件的存在所导致的影响波及激光)。另外，功能元件形成エ序也可以在第I和第2改质区域形成エ序之后实施。在这种情况下，由于在功能元件的形成前形成第I和第2改质区域，因此在所涉及的第I和第2改质区域的形成时激光的照射变得容易。 另外，功能元件形成エ序也可以在第I改质区域形成エ序之后实施，第2改质区域形成エ序在功能元件形成エ序之后实施。在这种情况下，由于在功能元件的形成后形成第2改质区域，因此在功能元件的形成时，例如能够抑制因外力等导致加工对象物沿着第2改质区域被无意地切断。另外，在蚀刻エ序中，存在这样的情况将加工对象物的与ー个主面相反侧的另一个主面侧，沿着第I改质区域切下而使加工对象物薄化，并且沿着第2改质区域切断薄化后的加工对象物，形成基板。发明效果根据本发明，可以容易地制造所期望厚度的芯片。


图1是改质区域的形成所使用的激光加工装置的概略结构图。图2是成为改质区域的形成的对象的加工对象物的平面图。图3是沿着图2的加工对象物的II1-1II线的截面图。图4是激光加工后的加工对象物的平面图。图5是沿着图4的加工对象物的V - V线的截面图。图6是沿着图4的加工对象物的V1- V I线的截面图。图7 Ca)是用于说明第I实施方式的加工对象物的侧截面图，图7 (b)是表示接着图7 Ca)的加工对象物的侧截面图，图7 (C)是表示接着图7 (b)的加工对象物的侧截面图。图8是将图7 (C)的加工对象物的表面侧放大来表示的平面图。图9是表示接着图7 (C)的加工对象物的侧截面图。图10是表示本实施方式的变形例的加工对象物的侧截面图。图11 (a)是用于说明第2实施方式的加工对象物的侧截面图，图11 (b)是表示接着图11 (a)的加工对象物的侧截面图。图12 Ca)是用于说明第3实施方式的加工对象物的侧截面图，图12 (b)是表示接着图12 (a)的加工对象物的侧截面图，图12 (c)是表示接着图12 (b)的加工对象物的侧截面图。图13 Ca)是用于说明第4实施方式的加工对象物的侧截面图，图13 (b)是表示接着图13 (a)的加工对象物的侧截面图。图14 Ca)是用于说明其它实施方式的加工对象物的侧截面图，图14 (b)是表示接着图14 Ca)的加工对象物的侧截面图，14 (C)是表示接着图14 (b)图的加工对象物的侧截面图。符号说明I…加工对象物、3…表面(ー个主面)、7…改质区域、7a, 7a’…改质区域(第I改质区域)、7b, 7b，…改质区域(第2改质区域)、10…芯片、11基板、15 功能兀件、21背面(另ー个主面)、H…规定厚度(基板的厚度)、L…激光。
具体实施例方式以下，针对优选的实施方式，參照附图详细地进行说明。再有，在以下的说明中对 相同或相当要素赋予相同符号，并省略重复说明。在本实施方式所涉及的芯片的制造方法中，使激光聚光于加工对象物的内部而形成改质区域。因此，首先针对改质区域的形成，參照图广图6在以下进行说明。如图1所示，激光加工装置100具备使激光L脉冲振荡的激光源101 ;配置成将激光L的光轴(光路)的方向改变90°的分光镜103 ；以及用于将激光L进行聚光的聚光用透镜105。另外，激光加工装置100具备用干支承由聚光用透镜105聚光的激光L所照射的加工对象物I的支承台107 ;用于使支承台107移动的载台111 ;为了调节激光L的输出或脉冲宽度等而控制激光光源101的激光光源控制部102 ;以及控制载台111的移动的载台控制部115。在该激光加工装置100中，从激光源101出射的激光L通过分光镜103而将其光轴的方向改变90°，并通过聚光用透镜105聚光于载置在支承台107上的板状加工对象物I的内部。与此同时，移动载台111，使加工对象物I相对于激光L而沿着改质区域形成预定线5相对移动。由此，沿着改质区域形成预定线5的改质区域形成于加工对象物I。作为加工对象物1，可以使用半导体材料或压电材料等，如图2所示，在加工对象物1，设定改质区域形成预定线5作为改质区域形成预定部。这里的改质区域形成预定线5是直线状延伸的假想线。在加工对象物I的内部形成改质区域的情况下，如图3所示，在将聚光点P对准于加工对象物I内部的状态下，使激光L沿着改质区域形成预定线5 (S卩，在图2的箭头A方向上)相对地移动。由此，如6所示，改质区域7是沿着改质区域形成预定线5形成在加工对象物I的内部,该改质区域7成为利用后述的蚀刻而形成的除去区域8。再者，聚光点P是指激光L的部位。另外，改质区域形成预定线5不限于直线状，也可以是曲线状，或这些组合而成的三维状，还可以是坐标指定的形状。另外，改质区域7有连续形成的情况，也有断续形成的情況。另外，改质区域7可以是列状的，也可以是点状的，总之，只要改质区域7形成在加工对象物I的内部即可。另外，存在以改质区域7为起点形成龟裂的情况，龟裂及改质区域7也可以露出于加工对象物I的外表面(表面、背面或侧面)。顺便ー提，这里，激光L是透过加工对象物I并且特别在加工对象物I内部的聚光点附近被吸收，由此，在加工对象物I形成改质区域7 (即，内部吸收型激光加工)。一般而言，在从表面3熔融除去而形成孔或沟槽等的除去部(表面吸收型激光加工)的情况下，加工区域从表面3侧缓缓朝向背面侧进行。再者，本实施方式所涉及的改质区域7是指密度、折射率、机械强度及其它物理特性与周围形成不同状态的区域。改质区域7例如有熔融处理区域、裂痕区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也有这些区域混合存在的区域。此外，作为改质区域7，有在加工对象物I的材料中密度与非改质区域的密度比较有所变化的区域，或形成有晶格缺陷的区域(将这些也统称为高密度转移区域)。另外，熔融处理区域或折射率变化区域、改质区域7的密度与非改质区域的密度比较有所变化的区域、形成有晶格缺陷的区域，有在这些区域的内部或改质区域7与非改质区域的界面包含龟裂(裂纹、微裂痕)的情況。所包含的龟裂遍及改质区域7的全面的情况、或仅在一部分或多部分形成的情况。作为加工对象物1，可以举出包含硅或由硅构成的 加工对象物。这里，在本实施方式中，在加工对象物I形成改质区域7之后，对该加工对象物I实施蚀刻处理，由此沿着改质区域7 (即，沿着改质区域7、改质区域7所包含的龟裂或来自改质区域7的龟裂)使蚀刻选择性地进展，除去加工对象物I中的沿着改质区域7的部分。此外，该龟裂也称为裂痕、微裂痕、裂纹等(以下，仅称为“龟裂”)。在本实施方式的蚀刻处理中，例如利用毛细管现象等，使蚀刻剂浸润于加工对象物I的改质区域7所包含的或来自该改质区域7的龟裂，并沿着龟裂面使蚀刻进展(进行)。由此，在加工对象物I中，沿着龟裂选择性且以快的蚀刻速率(蚀刻速度)使蚀刻进展而进行除去。与此同时，利用改质区域7自身的蚀刻速率快这个特征，沿着改质区域7选择性地使蚀刻进展而进行除去。作为蚀刻处理，有例如在蚀刻剂浸溃加工对象物I的情况(浸溃方式Dipping)，以及ー边使加工对象物I旋转ー边涂布蚀刻剂的情况(旋转蚀刻方式=Spin Etching)。另夕卜，对于这里的蚀刻，包含各向同性蚀刻及各向异性蚀刻。作为蚀刻剂，可以举出例如KOH (氢氧化钾)、TMAH (氢氧化四钾铵水溶液)、EDP (乙ニ胺邻苯ニ酚)、NaOH (氢氧化纳)、CsOH (氢氧化铯)、NH40H (氢氧化铵)、联氨等。另外，作为蚀刻剂，不仅可以是液体状的，也可以使用凝胶状(胶状、半固形状)的。这里的蚀刻剂是在常温 100°C前后的温度下使用，根据所需要的蚀刻速率等设定适当的温度。例如在用KOH蚀刻处理由硅形成的加工对象物I的情况下，优选为大约60°C。此外，在各向同性蚀刻的情况下，可以适用于比较薄的加工对象物(例如，厚度10 u nTlOO u m),不依赖于结晶方位或改质区域，能够各向同性地使蚀刻进行。另外，若龟裂露出于表面，则蚀刻液会在该龟裂传递而浸润至内部，在改质区域中厚度方向的全面成为改质区域的起点，因此，取出以切断面半圆形地凹陷的方式被蚀刻后的芯片。另ー方面，在各向异性蚀刻的情况下，不仅可以适用于比较薄的加工对象物，也可以适用于厚的(例如，厚度800 ii nTlOO ii m)的加工对象物。另外，在这种情况下，即使形成改质区域的面与面方位不同时，也能够沿着该改质区域使蚀刻进行。即，在这里的各向异性蚀刻中，除了依照结晶方位的面方位的蚀刻之外，还可以进行不依赖于结晶方位的蚀刻。[第I实施方式]接着，针对第I实施方式所涉及的芯片的制造方法加以说明。图7、是用于说明本实施方式的流程图。如图7、所示，在本实施方式中，使激光L聚光于加工对象物I的内部而形成改质区域7，在加工对象物I的表面(ー个主面)3上形成功能元件15及保护膜16之后，沿着改质区域7使蚀刻选择性地进展并将加工对象物I的一部分切下而作为基板11，形成多个所期望厚度的芯片10。如图9所示，芯片10是例如IC标签(tag)等所使用的IC芯片，其具备基板11 ；在基板11的表面Ila形成的功能元件15 ;以及以覆盖功能元件15的方式形成在基板11上的保护膜16。基板11呈具有规定厚度H的矩形板状外形,这里例如为纵5mmX横5mmX厚150 y m。功能元件15例如是由晶体生长所形成的半导体动作层、光电ニ极管等的受光元件、激光二极管等的发光元件、或形成为电路的电子元件等。保护膜16是对抗蚀刻具有耐性的SiN (氮化硅)膜等的耐蚀刻膜。如图7 (a)所示，加工对象物I是对所照射的激光L的波长(例如1064nm)透明的硅基板，这里例如厚度为300 u m。另外，加工对象物I具有成为(100)面的表面3及与表面3相反侧的背面(另ー个主面)21。在该加工对象物1，以对应于基板11的外形的方式改质 区域形成预定部由三维的坐标指定程序性地设定。顺便ー提，在以下的说明中，如图所示，以加工对象物I的厚度方向(激光L的照射方向)为Z方向，以沿着加工对象物I的表面3的ー个方向为X方向，以与X、Z方向正交的方向为Y方向加以说明。在本实施方式的芯片10的制造方法中，首先，以加工对象物I的表面3侧为上方而将加工对象物I载置于载置台并保持。然后，将激光L的聚光点(以下，仅称“聚光点”)对准于在加工对象物中离表面3规定厚度H的位置，一边使聚光点在X方向上移动ー边使激光L从表面3入射而进行ON OFF照射(扫描)。然后,改变聚光点的Y方向位置反复进行该扫描。由此，在加工对象物I的与离表面3规定厚度H对应的规定深度位置，沿着表面3连续地形成改质区域(第I改质区域)7a。換言之，作为与基板11的背面Ilb (參照第9图)对应的区域，将在加工对象物I内形成沿着表面3的平面状而扩大的改质区域7a形成在离表面3规定厚度H的位置。与此同时，将上述扫描改变聚光点位置的Y方向位置及Z方向位置加以反复进行。由此，如图7(b)、图8所示，在加工对象物I内部的表面3侧，将从表面3看与基板11的侧缘对应而延伸且露出于表面3的改质区域(第2改质区域)7b，沿着Z方向而连接于改质区域7a的方式连续地形成。換言之，作为与基板11的侧面Ilc (參照第9图)对应的区域，将在表面3看格子状延伸的改质区域7b从表面3至规定厚度H的位置为止沿着Z方向形成。另外，这里以脉冲激光作为激光L来进行点照射，因而所形成的改质区域7a、7b由改质点构成。另外，在改质区域7a、7b及改质点形成包含有从该改质区域7a、7b及改质点所产生的龟裂(以下，相同)。接着，如图7 (C)、图8所示，在加工对象物I的表面3形成多个功能元件15，以覆盖这些功能元件15的方式形成多个保护膜16。具体而言，将多个功能元件15分别被在表面3看格子状的改质区域7b围绕的方式在表面3矩阵状地形成。然后，将多个保护膜16ー边以改质区域7b在邻接的保护膜16间露出于表面3的方式空出间隔ー边覆盖设置在功能元件15上。
接着，对加工对象物I实施蚀刻处理。具体而言，如图9所示，例如将85°C的KOH作为蚀刻剂17使用，将加工对象物I浸溃在该蚀刻剂17约60分钟(S卩，湿式蚀刻)。由此，使蚀刻剂从表面3侧进入到改质区域7b并浸润，使蚀刻剂朝向内部沿着改质区域7b选择性地进展。然后，使蚀刻剂进入改质区域7a并浸润，使蚀刻沿着改质区域7a选择性地进展。其结果，沿着加工对象物I的改质区域7a、7b的部分被除去，加工对象物I的表面3侧被切下为多个基板11而被分离。通过以上过程，划片并制造多个芯片10。以上，在本实施方式中，改质区域7a、7b形成在加工对象物1，并沿着这些改质区域7a、7b使蚀刻选择性地进展，由此仅加工对象物I需要的部位被切下为芯片10的基板11，其結果，形成规定厚度的芯片10。因此，在本实施方式中，利用研磨等来降低对加工对象物I薄化的必要性而使加工对象物I的处理变得容易，从而可以容易制造规定厚度的芯片10。另外，通过控制改质区域7的形成位置能够容易控制芯片10的形状或厚度，因而 芯片10能够容易地薄板化乃至轻量化，例如也能够容易地制造极薄的芯片10。另外，由于不用施加外部应カ便能够对芯片10划片，因此能够抑制因外部应カ的施加而导致加工对象物I的破损或强度降低。另外，由于切削加工时不会因加工而产生粉尘，因此能够实现考虑了环境的加工方法。此外，可以缩短加工时间，提供廉价的芯片10。顺带ー提，在利用研磨对加工对象物I加工的情况，一般而言，研磨厚度为50 Pm以下时处理特别困难，会有在研磨エ序中加工对象物I容易产生破损的情况。另外，在本实施方式中，如上述那样，由于在功能元件15的形成前形成改质区域7a、7b，因此在所涉及的改质区域7a、7b的形成时行激光L的照射变得容易。另外，由于在改质区域7a、7b的形成后形成功能元件15，因此在形成改质区域7a、7b时，抑制因激光L照射所引起的不良影响波及功能元件15(換言之，功能元件15的存在所引起的不良影响或制约波及激光U。再者，在本实施方式中，在离表面3规定厚度H的深度位置形成I个改质区域7a，以连接于该改质区域7a的方式使改质区域7b沿着Z方向形成，但并不限于此，改质区域7a、7b例如也可以像如下那样形成。S卩，在图10所示的例子中，改质区域7a在加工对象物I的规定深度H的位置，彼此间隔而形成多个。这里的多个改质区域7a从表面3看分别形成为与基板11的背面Ilb对应的矩形状。然后，改质区域7b以连接于改质区域7a的缘部且沿着厚度方向到达表面3的方式形成多个。这里的多个改质区域7b在表面3看分别形成为与基板11外缘对应的矩形框状。另外，在本实施方式中，以一定厚度的多个芯片10从加工对象物I同时被切下的方式制造，但并不限定于此，也可以以彼此不同厚度的多个芯片10从加工对象物I同时切下的方式来制造。例如，通过自表面3的深度位置与各芯片10对应而高低不同的方式形成改质区域7a，可以由一片加工对象物I制造具有彼此不同的所期望的厚度的多个芯片10。[第2实施方式]接着，针对第2实施方式加以说明。再有，在本实施方式的说明中主要针对与上述第I实施方式不同的点进行说明。图11是用于说明本实施方式的流程图。如图11 (a)所示，在本实施方式中，在加エ对象物I的表面3形成多个功能元件15，以覆盖这些功能元件15的方式形成多个保护膜16。然后，如图11 (b)所示，一边使聚光点移动ー边将激光L从背面21入射至加工对象物I并聚光，形成改质区域7a、7b。以上，在本实施方式中，也起到与上述效果同样的效果即容易制造所期望厚度的芯片10这样的效果。另外，在本实施方式中，如上述那样，在形成改质区域7a、7b时，使激光L从背面21入射并聚光，因此，即使在功能元件15形成后始形成改质区域7a、7b的情况下，也能够抑制激光L照射于功能元件15，并可以抑制激光L的照射所导致的不良影响波及功能元件15(換言之，功能元件15的存在所导致的不良影响或制约波及激光L)。[第3实施方式]
接着，针对第3实施方式加以说明。再有，在本实施方式的说明中，主要针对与上述第I实施方式不同的点进行说明。图12是用于说明本实施方式的流程图。如图12 (a)所示，在本实施方式中，ー边使聚光点移动ー边将激光L聚光于加工对象物1，形成改质区域7a。接着，如图12 (b)所示，在加工对象物I的表面3形成多个功能元件15，并以覆盖这些功能元件15的方式形成多个保护膜16。然后,如图12 (c)所不,一边使聚光点移动ー边将激光L聚光于加工对象物1，形成改质区域7b。以上，在本实施方式中，也起到与上述效果同样的效果即容易制造所期望厚度的芯片10这样的效果。另外，在本实施方式中，如上述那样，由于在功能元件15形成后形成改质区域7b，因此能够抑制在功能元件15的形成时例如因外力等导致加工对象物I沿着改质区域7b被无意地切断。另外，同样地，由于在改质区域7a的形成后形成改质区域7b，因此能够抑制在改质区域7a的形成时加工对象物I沿着改质区域7b被无意地切断。另夕卜，在本实施方式中，也可以很好地得到改质区域7a所实现的吸杂(gettering)效果即通过改质区域7a捕获和固定加工对象物I的杂质的效果。[第4实施方式]接着，针对第4实施方式加以说明。再有，在本实施方式的说明中，主要针对与上述第I实施方式不同的点进行说明。图13是用于说明本实施方式的流程图。如图13 (a)所示，在本实施方式中，ー边使聚光点移动ー边将激光L聚光于加工对象物1，形成改质区域7a’、7b’。改质区域(第I改质区域)7a’在加工对象物I中与离表面3规定厚度H对应的规定深度位置，以露出于加工对象物I的侧面23的方式沿着表面3连续地形成。这里的改质区域7a’在加工对象物I内的离表面3规定厚度H的位置，形成沿着表面3的平面状而扩大至侧面23为止。改质区域(第2改质区域)7b’从表面3看与基板11的侧缘对应而延伸。这里的改质区域7b，是在表面3看呈格子状延伸。改质区域7b，露出于表面3及背面21，并且以连接于改质区域7a’的方式沿着Z方向形成。与此同时，在加工对象物I的表面3形成多个功能元件15，并以覆盖这些功能元件15的方式形成保护膜16’。保护膜16’是具有对蚀刻有耐性的耐蚀刻膜，形成在加工对象物I的表面3的整个区域。然后，以加工对象物I的背面21侧为上方，将加工对象物I载置并保持在扩张带等的带材19。接着，如图13 (b)所示，对加工对象物I实施蚀刻处理。由此，使蚀刻剂从侧面23侧进入到改质区域7a’，并且使蚀刻剂从背面21侧进入到改质区域7b’，使蚀刻沿着改质区域7a’、7b’选择性地进展。其结果，沿着加工对象物I的改质区域7a’的部分被除去，加工对象物I的背面21侧被切下(切出)并薄化。与此同时，在薄型化后的加工对象物I中沿着改质区域7b’的部分被除去，加工对象物I被切断成多个基板11。其后，通过例如使带材19扩张，以多个芯片10划片的方式切断保护膜16’，制造多个芯片10。以上，在本实施方式中，也起到与上述效果同样的效果即容易制造所期望厚度的芯片10这样的效果。另外，在本实施方式中，如上述那样，可以仅以蚀刻切出加工对象物I的背面21侧而使其薄化来制造芯片10。 以上，针对优选的实施方式进行了说明，但本发明不限于上述实施方式，可以在不变更各权利要求所记载的主g的范围内加以变形或适用于其它的方式。例如，形成改质区域7时的激光入射面不仅可以限定于加工对象物I的表面3，也可以是加工对象物I的背面21。另外，在上述第1、2、4实施方式中，可以先形成改质区域7a、7b中的任ー个,改质区域7a、7b的形成顺序不同。另外，上述实施方式的激光L的ON OFF照射，除了控制激光L射出的ON OFF之夕卜，还可以实施设置在激光L的光路上的光闸的开合，或加工对象物I的表面3的掩模等。此外，也可以在改质区域所形成的阈值(加工阈值)以上的強度和不到加工阈值的強度之间控制激光L的強度。再有，上述实施方式也可以适用于对基板进行所期望形状的加工时，例如图14所示，也可适合于基板51的凹部52a、52b内安装有配线层53而成的安装基板50的制造。在这种情况下，如图14 (a)所示，首先，一边使聚光点移动ー边将激光L聚光于加エ对象物I。由此，在加工对象物I的与表面3相距对应于凹部52a、52b深度的规定深度的位置，沿着表面3形成改质区域7d、7e。与此同时，在加工对象物I的表面3侧，将从表面3看与凹部52a、52b的侧缘对应而延伸的改质区域7f，以沿着Z方向与改质区域7d、7e连接的方式形成。如图14 (b)所示，对加工对象物I实施蚀刻处理，沿着改质区域7cTf使蚀刻选择性地进展，由此切下加工对象物I的一部分而在加工对象物I形成凹部52a、52b，其后，在凹部52a、52b内安装配线层53。由此，可以容易地形成在所期望深度及形状的凹部52a、52b形成有配线层53的安装基板50。产业上的可利用性根据本发明，可以容易地制造所期望厚度的芯片。
权利要求
1.一种芯片的制造方法，其特征在于， 是用于制造在基板上形成有功能元件而成的芯片的制造方法， 其包含 功能元件形成工序，在由硅形成的板状的加工对象物的一个主面形成所述功能元件；第I改质区域形成工序，通过使激光聚光于所述加工对象物，从而在所述加工对象物的与所述一个主面相距对应于所述基板的厚度的规定深度的位置，沿着所述一个主面形成第I改质区域； 第2改质区域形成工序，通过使激光聚光于所述加工对象物，从而在所述加工对象物的所述一个主面侧，将从所述一个主面看与所述基板的侧缘对应而延伸的第2改质区域，以沿着所述加工对象物的厚度方向而连接于所述第I改质区域的方式形成；以及 蚀刻工序，在所述第I和第2改质区域形成工序之后，沿着所述第I和第2改质区域使蚀刻选择性地进展，由此切下所述加工对象物的一部分而形成所述基板。
2.如权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于， 在所述蚀刻工序中，将所述加工对象物的所述一个主面侧的一部分切下而作为所述基板。
3.如权利要求1或2所述的芯片的制造方法，其特征在于， 所述第I和第2改质区域形成工序在所述功能元件形成工序之后实施， 在所述第I和第2改质区域形成工序中，使激光从所述一个主面的相反侧的另一个主面入射至所述加工对象物并聚光。
4.如权利要求1或2所述的芯片的制造方法，其特征在于， 所述功能元件形成工序在所述第I和第2改质区域形成工序之后实施。
5.如权利要求1或2所述的芯片的制造方法，其特征在于， 所述功能元件形成工序在所述第I改质区域形成工序之后实施， 所述第2改质区域形成工序在所述功能元件形成工序之后实施。
6.如权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于， 在所述蚀刻工序中，将所述加工对象物的与所述一个主面相反侧的另一个主面侧，沿着所述第I改质区域切下，使所述加工对象物薄化，并且沿着所述第2改质区域切断薄化后的所述加工对象物，形成所述基板。
全文摘要
一种用于制造在基板上形成有功能元件所成的芯片的制造方法，包含在由硅形成的板状的加工对象物的一个主面形成功能元件的功能元件形成工序；通过使激光聚光于加工对象物，在加工对象物的与一个主面相距对应于基板厚度的规定深度的位置，沿着一个主面形成第1改质区域的第1改质区域形成工序；通过使激光聚光于加工对象物，在加工对象物的一个主面侧，将从一个主面看与基板的侧缘对应而延伸的第2改质区域，以沿着加工对象物的厚度方向而连接于第1改质区域的方式形成的第2改质区域形成工序；以及在第1和第2改质区域形成工序之后，沿着第1和第2改质区域使蚀刻选择性地进展，切下加工对象物的一部分而形成基板的蚀刻工序。
文档编号B23K26/38GK103026468SQ20118003637
公开日2013年4月3日 申请日期2011年7月19日 优先权日2010年7月26日
发明者下井英树, 荒木佳祐 申请人:浜松光子学株式会社