专利名称：一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于半导体硅片的生产技术，主要涉及一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置。
背景技术：
在采用激光切割硅片的机构中，激光束沿着预定的切割轨迹把硅片局部熔化的同时，需要用压缩空气及时把切割过程产生的硅渣吹走，以顺利实现硅片的切割；但是在现有的机构中，压缩空气从硅片的上表面往下吹硅渣的时候，在硅片下表面切缝的两侧会形成射流负压，熔化的高温硅渣在负压的作用下会溅射到切缝(割轨迹)两侧的硅片表面上，造成硅片表面的区域熔化形成点状损伤，严重时甚至使硅片表面形成凹坑，造成硅片的表面不光滑。如图I、图2所示，中心部位具有激光束2的激光头设置在硅片5的上方，压缩空气 I 3从激光头与硅片的结合处进入，所述硅片5的下部由吸附在硅片下端面中心位置的真空吸盘支撑；当激光束2沿着硅片切割轨迹8切割硅片的时候，在区域4处会形成一个负压区，使切割产生的高温硅渣溅到区域4的硅片表面，造成硅片表面的区域熔化形成点状损伤和硅片的表面不光滑(造成)。
实用新型内容本实用新型的目的是提出一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置，使其能很好的解决高温硅渣溅到硅片表面的问题，消除硅片表面由于高温硅渣造成的点状损伤和凹坑。本实用新型为完成上述发明任务采用如下技术方案一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置，气幕隔离装置设置在硅片的下部；所述的硅片由吸附在硅片下端面中心位置的真空吸盘支撑；在所述硅片的上部设置用于切割硅片的激光头，中心部位具有激光束的激光头其下端位于硅片切割轨迹的上部，在硅片切割轨迹处具有用以将熔化硅渣吹走的压缩空气I的通道；气幕隔离装置具有压缩空气导向套，所述的压缩空气导向套套置在真空吸盘的外侧，为直径大于真空吸盘最大直径的空心圆柱体，且压缩空气导向套与真空吸盘之间具有用以使压缩空气II穿过的间隙；所述压缩空气导向套空心圆柱体的上端开口 ；所述压缩空气导向套的上端面与硅片的下端面之间具有用于使压缩空气II穿过的缝隙；用以将压缩空气I由硅片下表面的中心吹向边缘的压缩空气II的入口位于压缩空气导向套的下端面上。本实用新型提出的一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置，所设置的压缩空气导向套使压缩空气I沿着硅片下表面从硅片的中心向硅片外边沿吹，这个压缩空气流一方面可以补偿激光头的压缩气流向下吹的时候产生的射流负压区，另一方面可以把切割过程中产生的高温硅渣向外吹，使熔化的高温硅渣不能溅到硅片表面，从而解决了高温硅渣溅射到硅片表面的问题，消除了硅片表面由于高温硅渣造成的点状损伤和凹坑，并具有成本低廉，易于实现的特点。
图I为现有技术中激光切割工装及压缩气流的结构示意图。图2为待切割的硅片及切割轨迹的结构示意图。图3为本实用新型的结构示意图。图中1、激光头，2、激光束，3、压缩空气I，4、区域，5、硅片、6、真空吸盘，7、压缩空气II，8、切割轨迹，9、压缩空气导向套。
具体实施方式
结合附图和具体实施例对本实用新型加以说明如图3所示，一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置，气幕隔离装置设置在硅片5的下部；所述的硅片由吸附在硅片下端面中心位置的真空吸盘6支撑；在所述硅片5的上部设置用于切割硅片的激光头1，中心部位具有激光束2的激光头I其下端位于硅片切割轨迹8的上部，在硅片切割轨迹8处具有用以将熔化硅渣吹走的压缩空气I 3的通道；气幕隔离装置具有压缩空气导向套9，所述的压缩空气导向套9套置在真空吸盘6的外侦牝为直径大于真空吸盘最大直径的空心圆柱体，且压缩空气导向套9与真空吸盘6之间具有用以使压缩空气II 7穿过的间隙；所述压缩空气导向套9空心圆柱体的上端开口 ；所述压缩空气导向套9的上端面与硅片5的下端面之间具有用于使压缩空气II 7穿过的缝隙；用以将压缩空气I 3由硅片下表面的中心吹向边缘的压缩空气II 7的入口位于压缩空气导向套9的下端面上。上述气幕隔离装置在使用时，当激光束2沿着硅片切割轨迹8切割硅片的时候，压缩空气I 3、压缩空气II 7同时开通，压缩空气I 3把熔化的硅渣吹走，以实现硅片的切割，同时压缩空气II 7将在区域4处会形成一个负压区，使切割产生的高温硅渣溅到区域4的硅片表面，造成硅片表面的区域熔化，最终形成凹坑，造成压缩空气I 3由硅片下表面的中心吹向边缘，消除负压区。
权利要求1. 一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置，气幕隔离装置设置在硅片(5)的下部；所述的硅片(5)由吸附在硅片下端面中心位置的真空吸盘(6)支撑；在所述硅片(5)的上部设置用于切割硅片的激光头(I)，中心部位具有激光束(2 )的激光头(I)其下端位于硅片切割轨迹(8)的上部，在硅片切割轨迹(8)处具有用以将熔化硅渣吹走的压缩空气I (3)的通道；其特征在于所述的气幕隔离装置具有压缩空气导向套(9)，所述的压缩空气导向套(9)套置在真空吸盘(6)的外侧，为直径大于真空吸盘最大直径的空心圆柱体，且压缩空气导向套(9)与真空吸盘(6)之间具有用以使压缩空气II (7)穿过的间隙；所述压缩空气导向套空心圆柱体的上端开口 ；所述压缩空气导向套(9)的上端面与硅片(5)的下端面之间具有用于使压缩空气II穿过的缝隙；用以将压缩空气I由硅片下表面的中心吹向边缘的压缩空气II (7)的入口位于压缩空气导向套(9)的下端面上。
专利摘要本实用新型属于半导体硅片的生产技术，提出的一种解决硅片表面被熔渣损伤的气幕隔离装置。具有压缩空气导向套(9)，所述的压缩空气导向套(9)套置在真空吸盘(6)的外侧，为直径大于真空吸盘最大直径的空心圆柱体，且压缩空气导向套(9)与真空吸盘(6)之间具有用以使压缩空气Ⅱ(7)穿过的间隙；所述压缩空气导向套空心圆柱体的上端开口；所述压缩空气导向套(9)的上端面与硅片(5)的下端面之间具有用于使压缩空气Ⅱ穿过的缝隙；用以将压缩空气Ⅰ由硅片下表面的中心吹向边缘的压缩空气Ⅱ(7)的入口位于压缩空气导向套(9)的下端面上。本实用新型解决了高温硅渣溅到硅片表面的问题，消除了硅片表面由于高温硅渣造成的凹坑。
文档编号B23K26/42GK202479700SQ20122002172
公开日2012年10月10日 申请日期2012年1月18日 优先权日2012年1月18日
发明者蒋建国, 裴保齐, 邵斌 申请人:洛阳鸿泰半导体有限公司