单晶基板的密度比空气高，因此脉冲激光光线LB从角度Θ折射 为角度α而在聚光点P处聚光。此时，相对于光轴的角度α根据构成板状被加工物10的 单晶基板的折射率Ν不同而不同。由于折射率Ν为N = sin Θ /sin α，因此，以数值孔径ΝΑ 除以单晶基板的折射率Ν得到的值S = ΝΑ/Ν为sin α。因此，将sin α设定在〇. 05~0. 2 的范围内（〇· 05兰sin α兰〇· 2)是重要的。
[0066] 以下，对于将以聚光透镜511的数值孔径ΝΑ除以单晶基板的折射率Ν所得到的值 S = ΝΑ/Ν设定在0. 05~0. 2的范围内的理由进行说明。
[0067] [实验 1-1]
[0068] 在作为板状被加工物10的厚度为500 μ m的石英玻璃基板（折射率：1. 45)上以 下述的加工条件形成遮护隧洞，并判定了遮护隧洞是否良好。
[0069] 加工条件
[0070] 波 1C; ： 1064nm 重复频率 ：50kHz 脉冲宽度 ：lOps 平均输出 ' m 聚光光斑直径 ：φΙΟμηι 加工进给速度 ：300mi?/秒
[0071] 聚光透镜的数值孔径ΝΑ 遮护隧洞是否良好 S=NA/N 0.05 不良；无 0.035 0.1 良好 0.069 0.15 良好 0,103 0.2 良好 0,138 0.25 良好 0,172 0.3 稍好 0,207 0.35 不良：产生空隙 0,241 0.4 不良：产生空隙 0,276
[0072] 如上所述，在石英玻璃基板（折射率：1. 45)中，通过将对脉冲激光光线进行聚 光的聚光透镜511的数值孔径NA除以单晶基板的折射率N所得到的值S = NA/N设定在 0. 05~0. 2的范围内，由此形成遮护隧洞。因此，对于蓝宝石基板（折射率：1. 45)，将对脉 冲激光光线进行聚光的聚光透镜511的数值孔径NA设定为0. 1~0. 25是重要的。
[0073] 根据上述的实验1-1确认到：通过将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜511的 数值孔径NA除以单晶基板的折射率N所得到的值S = NA/N设定在0. 05~0. 2的范围内， 由此能够形成遮护隧洞。
[0074] [实验 1-2]
[0075] 在作为板状被加工物10的厚度为500 μ m的蓝宝石（A1203)基板（折射率：1. 76) 上以下述加工条件形成遮护隧洞，并判定了遮护隧洞是否良好。
[0076] 加工条件
[0077] 波 K 1064 N m 重复频率 ：#0·?ζ 脉冲宽度 r 10ps 平均输出 ：2W 聚光光斑直径 ：.φ:.1:0μηι 加:C进给逮度 ;500mm/秒：
[0078] 聚光透镜的数值孔径KA 遮护隧洞是否良好 S=NA/N 0.05 不良：无， 0,1 稍好 0,0:57 0,15 .良好 0,085 0 2 良好 0.Π 4 0,25 良好 0,142 0J 良好 〇,丨7〇 0 35 良好 0,198 0,4 不良 ：0.227 0,45 不良：产生空隙 0,5 不良:产生空隙 0,55 不良：产生空隙 0,6 不良：产生空隙
[0079] 如上所述，在蓝宝石基板（折射率：1. 76)中，关于使脉冲激光光线聚光的聚光透 镜511的数值孔径NA，通过将数值孔径NA除以单晶基板的折射率N所得到的值S = NA/N 设定在0.05~0.2的范围内，由此形成遮护隧洞。因此，对于蓝宝石基板（折射率：1. 76)， 将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜51a的数值孔径NA设定为0. 1~0. 35是重要的。
[0080] 根据上述的实验1-1、实验1-2确认到：通过将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透 镜511的数值孔径NA除以单晶基板的折射率N所得到的值S = NA/N设定在0. 05~0. 2 的范围内，由此能够形成遮护隧洞。
[0081] 实施了上述遮护隧洞形成工序后，实施芯片生成工序，在该芯片生成工序中，通过 对板状被加工物10施加超声波，从而破坏形成有遮护隧洞110的芯片的轮廓101，从板状被 加工物10生成芯片。参照图5对芯片生成工序的第1实施方式进行说明。
[0082] 在图5所示的芯片生成工序的第1实施方式中，首先，如图5的（a)所示，将实施 了上述遮护隧洞形成工序的板状被加工物10的保护带T侧载置于硅橡胶工作台7上。因 此，经由保护带T载置于硅橡胶工作台7上的板状被加工物10的正面成为上侧。接着，如图 5的（b)所示，将超声波施加垫70的下表面载置于板状被加工物10的正面上，该板状被加 工物10经由保护带T载置于硅橡胶工作台7上。然后，使配设在超声波施加垫70中的未 图示的超声波产生构件动作，使超声波施加于板状被加工物10。其结果是，如图5的（c)所 示，在板状被加工物10中，形成有遮护隧洞110的芯片的轮廓101被破坏而生成芯片100。 这样，如图6所示，能够将形成有遮护隧洞110的芯片的轮廓101被破坏而成的芯片100从 保护带T剥离并拾取。
[0083] 接着，参照图7至图10对芯片生成工序的第2实施方式进行说明。利用图7至图 9所示的遮护隧洞破坏装置8来实施该芯片生成工序的第2实施方式。图7中示出了遮护 隧洞破坏装置8的立体图，图8中示出了将图7所示的遮护隧洞破坏装置8的重要部分分 解后示出的立体图。
[0084] 本实施方式中的遮护隧洞破坏装置8具备：基座81 ;第1工作台82,其以能够沿着 箭头Y所示的方向移动的方式配设在该基座81上；以及第2工作台83,其以能够沿着与箭 头Y垂直的箭头X所示的方向移动的方式配设在该第1工作台82上。基座81形成为矩形 状，在其两侧部上表面上沿箭头Y所示的方向相互平行地配设有2个导轨811、812。并且， 在2个导轨中的1个导轨811的上表面上形成有截面为V字状的引导槽811a。
[0085] 如图8所示，上述的第1工作台82形成为在中央部具备矩形状的开口 821的窗框 状。在该第1工作台82的一个侧部下表面设有被引导轨道822,所述被引导轨道822能够 滑动地嵌合于在1个导轨811上形成的引导槽811a中，该导轨811被设置在上述基座81 上。另外，2个导轨823、824沿着与上述被引导轨道822垂直的方向相互平行地配设在第1 工作台82的两侧部上表面上。并且，在2个导轨中的1个导轨823的上表面上形成有截面 为V字状的引导槽823a。如图7所示，在这样构成的第1工作台82使被引导轨道822与在 设置于基座81的1个导轨811上形成的引导槽811a嵌合，并且，将另一个侧部下表面载置 于在基座81上设置的另1个导轨812上。遮护隧洞破坏装置8具备第1移动构件84,所 述第1移动构件84使第1工作台82沿着设在基座81上的导轨81U812在箭头Y所示的 方向上移动。如图8所示，该第1移动构件84由下述部分构成：外螺纹杆841，其与在基座 81上设置的另1个导轨812平行地配设；轴承842,其配设在基座81上，并将外螺纹杆841 的一端部支承成能够旋转；脉冲马达843,其与外螺纹杆841的另一端连结，用于驱动外螺 纹杆841旋转；以及内螺纹块834,其设置于上述第1工作台82的下表面上，并与外螺纹杆 841螺合。这样构成的第1移动构件84通过驱动脉冲马达843使外螺纹杆841转动，由此 使第1工作台82沿着在图7中以箭头Y所示的方向移动。
[0086] 如图8所示，上述第2工作台83形成为矩形状，并在中央部具备圆形的孔831。在 该第2工作台83的一个侧部下表面上设有被引导轨道832,所述被引导轨道832能够滑动 地嵌合于在1个导轨823上形成的导槽823a中，所述导轨823被设置于上述的第1工作台 82上。如图7所示，在这样构成的第2工作台83使被引导轨道832与在设置于第1工作台 82的1个导轨823上形成的引导槽823a嵌合，并且将另一个侧部下表面载置于在第1工 作台82上设置的另1个导轨824上。遮护隧洞破坏装置8具备第2移动构件85,所述第2 移动构件85使第2工作台83沿着在第1工作台82上设置的导轨823、824在箭头X所示 的方向上移动。如图8所示，该第2移动构件85由下述部分构成：外螺纹杆851，其与在第 1工作台82上设置的另1个导轨824平行地配设；轴承852,其配设在第1工作台82上， 并将外螺纹杆851的一端部支承成能够旋转；脉冲马达853,其与外螺纹杆851的另一端连 结，用于驱动外螺纹杆851旋转；以及内螺纹块854,其设置于上述第2工作台83的下表面 上，并与外螺纹杆851螺合。这样构成的第2移动构件85通过驱动脉冲马达853使外螺纹 杆851转动，由此使第2工作台83沿着在图7中以箭头X所示的方向移动。
[0087] 遮护隧洞破坏装置8具备用于保持上述环