一种制取低钾钼粉的方法

文档序号:3418661阅读:280来源:国知局
专利名称:一种制取低钾钼粉的方法
技术领域
本发明涉及一种制取低钾钼粉的方法。
背景技术
钼是一种具有高沸点及高熔点的难熔金属,在钢铁工业、有色冶金、电子、电光源、 化工、农业等领域有着广泛的用途。随着科学技术不断进步,钼应用领域不断扩大。钼粉 是各种钼制品的最重要的原料,对钼粉冶制品的质量性能有着至关重要的影响。电子领域 对钼粉的需求量越来越大,而且对钼粉的理化指标要求也有别于普通钼粉,特别是对钼粉 中的钾含量有较严的要求,要达到20ppm以下。
目前,制备钼粉的方法普遍采用氢还原的方法,根据加工过程不同分别有一段氢还原 法、二段氢还原法、三段氢还原法等,但总体上制备的钼粉钾含量均在50ppm以上,难以 满足电子工业的要求。

发明内容
本发明的目的就是针对上述已有技术存在的不足,提供一种制备工艺简单、对原料的 要求低、能将钾含量控制在20ppm以的制取低钾钼粉的方法。 本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于采用钾含量小于160ppm的二氧化钼为原料,筛 分后经二段氢还原、真空破碎球磨,经筛分制得低钾钼粉。
本发明的一种制取低钾钼粉的方法,其二氧化钼原料可以是采用钼酸铵一次还原制备 的二氧化钼,或钼酸铵经焙烧得到三氧化钼再还原制备的二氧化钼。其钾含量为 40 160ppm,粒度1.9~7,0(im,松装比重0.8~1.2g/cm3。
本发明的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于所述的二氧化钼筛分过程采用目数为 -80目标准筛,取筛下物进行还原。
本发明的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于所述的二段氢还原过程的二氧化钼的 装舟料层厚度控制在l~4cm, 二段氢还原温度控制在1100 1600°C,保温时间1 5h,氢气 保护。
本发明的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于所述的真空破碎球磨的真空度控制在 0.07MPa以下,球料重量比控制在1~10:1,球磨时间控制在l 5h。
本发明的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于所述的真空破碎球磨过程采用高纯钼 球进行球磨。
本发明的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于真空破碎球磨钼粉过筛采用目数为-200 目标准筛,筛下物为制得的低钾钼粉。
本发明的方法,对原料要求低、易得,生产工艺易于控制,操作简便、安全、可靠, 适于大规模生产;产品粒度分布均匀、 一致性好;和普通钼粉相比较,本发明方法所得产 品钾含可控制在20ppm以下,碳含量可控制在20ppm以下,氧含量可控制在600ppm以下。 粒度可控制在3 7nm,松装密度可控制在1.4~2.8g/cm3,振实密度可控制在3.5~4.5g/cm3。本 发明产品在电子加工行业中具有广泛的应用,尤其是在LCD显示器靶材领域更具潜力。


图1为本发明方法的工艺流程图。
具体实施例方式
一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于采用钾含量小于160ppm的二氧化钼为原料,其 二氧化钼原料可以是采用钼酸铵一次还原制备的二氧化钼,或钼酸铵经焙烧得到三氧化钼 再还原制备的二氧化钼。其钾含量为40 160ppm,粒度1.9 7.0pm,松装比重0.8~1.2g/cm3; 二氧化钼筛分过程采用目数为-80目标准筛,取筛下物进行还原;二段氢还原过程的二氧化 钼的装舟料层厚度控制在l~4cm, 二段氢还原温度控制在1100 1600°C,保温时间l~5h, 氢气保护;真空破碎球磨的真空度控制在0.07MPa以下,球料比控制在1~10:1,球磨时间 控制在l 5h,采用高纯钼球进行球磨;真空破碎球磨钼粉过筛采用目数为-200目标准筛, 筛下物为制得的低钾钼粉。
实施例1
取采用钼酸铵一次还原制备的普通二氧化钼50kg过80目标准筛备用,其钾含量为 145ppm,碳含量为240卯m,粒度为2.1pm,松装密度为1.05g/cm3。使用单管一温区马弗 炉进行还原,装舟料层厚度控制在lcm,温度设为110(TC,料进入加热区后保温5h,然后 推舟到冷却区冷却1 h后出炉。将料置于三维真空球磨机内进行球磨,球料重量比为2:1, 球磨时间lh。球磨机真空度应小于30KPa,球磨结束时静置4h。最后出料过标准筛,过筛 目数为200目,取样检测后包装得到本发明钼粉。
检测的结果是钾含量降为8ppm,碳含量降为43ppm,氧含量为780ppm,粒度为5.9nm, 松装密度为1.71g/cm3。
实施例2
取钼酸铵经焙烧得到三氧化钼再还原制备的二氧化钼50kg过80目标准筛备用,其钾 含量为159ppm,碳含量为240ppm,粒度为2.1pm,松装密度为L05g/cm3。使用单管一温区 马弗炉进行还原,装舟料层厚度控制在2cm,温度设为1250'C,料进入加热区后保温2h, 然后推舟到冷却区冷却1 h后出炉。将料置于三维真空球磨机内进行球磨,球料重量比为
5:1,球磨时间4h。球磨机真空度应小于30KPa,球磨结束时静置4h。最后出料过标准筛, 过筛目数为200目,取样检测后包装得到本发明钼粉。
检测的结果是钾含量降为llppm,碳含量降为20卯m,氧含量为680ppm,粒度为6.4pm, 松装密度为1.85g/cm3。
实施例3
二氧化钼50kg过80目标准筛备用,其钾含量为40ppm,碳含量为240ppm,粒度为2.1pm, 松装密度为1.05g/cm3。使用单管一温区马弗炉进行还原,温度设为1600°C,装舟料层厚度 控制在4cm,料进入加热区后保温lh,然后推舟到冷却区冷却1 h后出炉。将料置于三维 真空球磨机内进行球磨,球料重量比为l:l,球磨时间5h。球磨机真空度应小于30KPa,球 磨结束时静置4h。最后出料过标准筛,过筛目数为200目,取样检测后包装得到本发明钼 粉。
检测的结果是钾含量降为6ppm,碳含量降为12ppm,氧含量为280ppm,粒度为6.9pm, 松装密度为2.35g/cm3。
权利要求
1.一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于采用钾含量小于160ppm的二氧化钼为原料,筛分后经二段氢还原、真空破碎球磨,经筛分制得低钾钼粉。
2. 根据权利利要求1所述的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于其二氧化钼原料的 钾含量为40 160ppm,粒度1.9~7.0|am,松装比重0.8~1.2g/cm3。
3. 根据权利利要求1所述的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于所述的二氧化钼筛 分过程采用目数为-80目标准筛,取筛下物进行还原。
4. 根据权利利要求1所述的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于所述的二段氢还原 过程的二氧化钼的装舟料层厚度控制在1 4cm, 二段氢还原温度控制在1100 1600°C,保温 时间l~5h,氢气保护。
5. 根据权利利要求l所述的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于所述的真空破碎球 磨的真空度控制在0.07MPa以下,球料重量比控制在1~10:1,球磨时间控制在1 5h。
6. 根据权利利要求1所述的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于所述的真空破碎球 磨过程采用高纯钼球进行球磨。
7. 根据权利利要求1所述的一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于真空破碎球磨钼粉 的过筛是采用目数为-200目标准筛,筛下物为制得的低钾钼粉。
全文摘要
本发明涉及一种制取低钾钼粉的方法,其特征在于采用钾含量小于160ppm的二氧化钼为原料,筛分后经二段氢还原、真空破碎球磨,经筛分制得低钾钼粉。本发明的方法,对原料要求低,易得;生产工艺易于控制,操作简便、安全、可靠,适于大规模生产;产品粒度分布均匀、一致性好;和普通钼粉相比较,本发明方法所得产品钾含可控制在20ppm以下,碳含量可控制在20ppm以下,氧含量可控制在600ppm以下。粒度可控制在3~7μm,松装密度可控制在1.4~2.8g/cm<sup>3</sup>,振实密度可控制在3.5~4.5g/cm<sup>3</sup>。本发明产品在电子加工行业中具有广泛的应用,尤其是在LCD显示器靶材领域更具潜力。
文档编号B22F1/00GK101352758SQ200810146530
公开日2009年1月28日 申请日期2008年9月2日 优先权日2008年9月2日
发明者洲 武 申请人:金堆城钼业股份有限公司
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