专利名称：一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法
技术领域：
本发明涉及一种大规模集成电路制造设备，尤其涉及一种晶圆制造工艺过程中淀
积铝金属薄膜的标准型衬垫夹钳。
背景技术：
随着集成电路技术的日新月异，集成度在不断提高，芯片面积不断縮小，为越来越广泛而优越的应用提供了可能。尤为突出的是，随着研究的进一步深入，越来越多的工艺设备被开发、设计出来，使得集成电路的制造工艺已经取得了纳米级的飞跃。 一套半导体制造装置，通常需进行数百次作用于晶圆(wafer)之上的处理操作，操作过程中需要借助一些必要的设备对晶圆夹持以提高作业的稳定性。 一般情况下，O. 25ym以下制程均采用先氧化、后进行化学机械研磨(WCMP)的工艺步骤。 其中，在半导体集成电路的铝金属薄膜制程中，为了达到晶圆片在淀积薄膜的过程中，金属铝不会淀积到底部加热器上以及防止晶圆片被吹起的目的，通常都会使用到衬垫夹钳来参与该制程。然而目前所使用的标准衬垫夹钳在对应于晶圆片的缺口处没有任何遮挡设计，在实际的工艺操作中，一旦晶圆相对于底部加热器的传送位置稍有偏移，则铝金属薄膜将很容易地藉由该缺口沉淀到加热器上；高温条件下，沉淀到加热器上的铝金属薄膜易导致晶圆片与加热器相粘连，从而使得晶圆片在淀积铝金属薄膜完成后的机械传送过程中易被撞碎或导致整个沉淀腔体的异常发生。参照图2，形象地展示了现有标准衬垫夹钳工作时的缺失问题。由图2不难看出该制程的工作状态为晶圆片3平置于加热器1上表面，该晶圆片3具有一缺口 (notch端)3a，在晶圆片3的上部罩设一圆环形状的标准衬垫夹钳2，并且藉由衬垫夹钳2所设的6个顶压晶圆片的探针22(图2中未示出，详见图1)，使得该标准衬垫夹钳悬浮于晶圆片3之上。在进行铝金属薄膜4淀积的过程中，铝胶A除均匀地淀积在晶圆片3表面外，极有可能通过晶圆片缺口 (notch端)3a下渗至晶圆片3底部的加热器1上，从而将晶圆片3与加热器1相粘连，造成晶圆片移除作业的困难，制程良率大大降低。
发明内容
鉴于上述标准衬垫夹钳在实际作业中现实存在的缺失，本发明提供一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，旨在解决淀积铝金属薄膜导电层时，由晶圆片相对传送位置偏移造成的铝胶通过晶圆片缺口渗透至加热器，引起晶圆片与加热器在高温情况下相粘连的不良现象。 本发明的改善方法的目的，将通过如下技术方案来实现 —种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，适用于在晶圆片上淀积铝金属薄膜的制程中，针对夹持晶圆片的衬垫夹钳进行改进，其特征在于所述改善方法指的是在圆环状的标准衬垫夹钳的环形内壁上对应于晶圆片缺口的位置设有一遮挡部，且遮挡部的外形、大小与晶圆片缺口相对应。
进一步地，所述遮挡部为由标准衬垫夹钳环形内壁朝内一体化延伸成型，或者为 分离式设计，由各自所设对应的连接结构实现遮挡部在标准衬垫夹钳上的固结或拆分。
更进一步地，所述连结结构包括螺钉、点焊或销钉。 进一步地，所述遮挡部与晶圆片缺口的外形、大小完全一致，又或者外形一致，但 遮挡部的遮挡面积大于晶圆片缺口的大小。 更进一步地，所述遮挡部相对于衬垫夹钳环形内壁向内突出3±0. 5mm。 本发明的改善方法从减少晶圆制备过程中淀积工艺对整个晶圆制程造成的不良
影响出发，利用在标准衬垫夹钳的环形内壁上对应于晶圆片缺口的位置设一遮挡部，避免
了铝金属薄膜淀积过程中晶圆片与底部加热器可能发生的粘连现象，保障了后续晶圆片移
除操作的易执行性，提高了晶圆级淀积制程的良品率。
图1是本发明改善后的标准衬垫夹钳底面外翻后的正视图；
图2是使用现有技术标准衬垫夹钳进行铝金属薄膜淀积的作业状态示意图；
图3是使用本发明改善后的标准衬垫夹钳进行铝金属薄膜淀积的作业状态示意 图，其中改善后的标准衬垫夹钳为图1的A-A线段的剖视图。
具体实施例方式
以下将参照附图更全面地描述本发明改善方法，其中优选示出了本发明的典型实 施例。但是，本发明可以以许多不同方式来实施，而不应该被认为仅仅局限于这里所提及的 实施例。相反，提供该实施例可以更充分地向本领域技术人员传达本发明的保护范围。
如图1所示，是本发明的标准衬垫夹钳在先前缺陷基础上得以改良后的底面外翻 示意图。从图l可见，该标准衬垫夹钳2的外形大体呈圆环形状，且在其环形内壁上等分设 有六个柱状探针22，以及对应该探针22数量、位置的遮蔽帽21，该些探针22的柱高一般略 高于晶圆片的厚度。当衬垫夹钳2套设在晶圆片上进行工作时，该些探针22即分别顶压晶 圆片的周边， 一方面保持晶圆片与衬垫夹钳的定位关系，另一方面保持衬垫夹钳2相对于 晶圆片的悬空状态。再配合遮蔽帽21的遮挡作用，有效避免了晶圆片在进行铝薄膜淀积的 制程中发生晶圆片与衬垫夹钳相粘连的现象发生。另外，从图中不难看到针对衬垫夹钳2 的改进措施表现在在标准衬垫夹钳2的环形内壁上对应于晶圆片缺口的位置设有一遮挡 部23，且遮挡部23的外形、大小与晶圆片缺口相对应。 如图3所示，是使用本发明改善后的标准衬垫夹钳进行铝金属薄膜淀积的作业状 态示意图，其中改善后的标准衬垫夹钳为图1的A-A线段的剖视图。针对上节所述的改善 方法表现，从图3中的反映来看开始作业时，将一待淀积铝金属薄膜的晶圆片3平置于加 热器1的表面上，其中该晶圆片3本身具有一缺口 (notch端)3a。而由该衬垫夹钳2的剖 面可见，在对应于晶圆片缺口 (notch端)3a的位置，衬垫夹钳2由环形内壁朝内一体化延 伸形成一遮挡部23，其外形与晶圆片缺口 (notch端)3a的外形相一致，且遮挡部23覆盖晶 圆片的遮挡面积大于晶圆片缺口 (notch端)3a的大小。 一般情况下，该遮挡部23相对于 衬垫夹钳环形内壁向内突出的长度为3±0. 5mm。经改进后的标准衬垫夹钳于制程使用时 铝胶A被均匀地淀积在晶圆片3表面上，而晶圆片3底部的加热器1加热后，在铝胶A在晶圆片3上形成一金属铝薄膜4。由于遮挡部23的遮蔽作用，铝胶A将无法再经由晶圆片缺口 (notch端)3a下渗至加热器1上，避免了晶圆片3与加热器1的粘连。
除上述优选实施例，本发明改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，还可以有其他多形式的实施方式。例如，该遮挡部23与标准衬垫夹钳2为分离式设计，即可通过设在两者上的连结结构实现遮挡部在标准衬垫夹钳2上的装配固结或拆分。其中该连结结构包括相对应的螺钉装配、点焊装备或销钉装配。另外，该遮挡部与晶圆片缺口的外形不限于上述实施例的形状一致，遮挡面积略大于晶圆片缺口的唯一形式，其还可以为外形、大小完全一致或者外形不同，只需能完全遮蔽该晶圆片缺口的形式，亦为可行。 通过以上描述，本发明改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法从减少晶圆制备过程中淀积工艺对整个晶圆制程造成的不良影响出发，利用在标准衬垫夹钳的环形内壁上对应于晶圆片缺口的位置设一遮挡部，避免了铝金属薄膜淀积过程中晶圆片与底部加热器可能发生的粘连现象，保障了后续晶圆片移除操作的易执行性，提高了晶圆级淀积制程的良品率。
权利要求
一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，适用于在晶圆片上淀积铝金属薄膜的制程中，针对夹持晶圆片的衬垫夹钳进行改进，其特征在于所述改善方法指的是在圆环状的标准衬垫夹钳的环形内壁上对应于晶圆片缺口的位置设有一遮挡部，且遮挡部的外形、大小与晶圆片缺口相对应。
2. 根据权利要求1所述的一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，其特征在于 所述遮挡部为由标准衬垫夹钳环形内壁朝内一体化延伸成型。
3. 根据权利要求1所述的一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，其特征在于 所述遮挡部与标准衬垫夹钳为分离式设计，由各自所设对应的连接结构实现遮挡部在标准 衬垫夹钳上的固结或拆分。
4. 根据权利要求3所述的一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，其特征在于 所述连结结构包括螺钉、点焊或销钉。
5. 根据权利要求1所述的一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，其特征在于 所述遮挡部与晶圆片缺口的外形、大小完全一致。
6. 根据权利要求1所述的一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，其特征在于 所述遮挡部与晶圆片缺口的外形一致，且遮挡部的遮挡面积大于晶圆片缺口的大小。
7. 根据权利要求1、5或6所述的一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，其特征在于所述遮挡部相对于衬垫夹钳环形内壁向内突出3±0. 5mm。
8. 根据权利要求1所述的一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，其特征在于所述标准衬垫夹钳还设有顶压晶圆片的六个探针及其遮蔽帽。
全文摘要
本发明公开了一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，适用于在晶圆片上淀积铝金属薄膜的制程中，针对夹持晶圆片的衬垫夹钳进行改进，其特征在于所述改善方法指的是在圆环状的标准衬垫夹钳的环形内壁上对应于晶圆片缺口的位置设有一遮挡部，且遮挡部的外形、大小与晶圆片缺口相对应。本发明的改善方法从减少晶圆制备过程中淀积工艺对整个晶圆制程造成的不良影响出发，利用在标准衬垫夹钳的环形内壁上对应于晶圆片缺口的位置设一遮挡部，避免了铝金属薄膜淀积过程中晶圆片与底部加热器可能发生的粘连现象，保障了后续晶圆片移除操作的易执行性，提高了晶圆级淀积制程的良品率。
文档编号C23C14/18GK101736290SQ20081023598
公开日2010年6月16日 申请日期2008年11月19日 优先权日2008年11月19日
发明者周烽, 李文涛 申请人:和舰科技(苏州)有限公司