专利名称：化学气相沉积设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种化学气相沉积设备。
背景技术：
化学气相沉积(Chemical Vapor D印osition，简称CVD)是反应物质在气态条件下 发生化学反应，生成固态物质沉积在固态基底表面，进而制得固体材料的工艺技术。化学气相沉积设备在化学气相沉积制程中起着重要作用，它直接影响着沉积薄膜 的均勻性与纯度，薄膜颗粒大小一致性以及沉积薄膜速率等。化学气相沉积设备通常包括 进气装置、抽气装置以及反应器，该反应器内设置有用于放置基板的载具。使用时，进气装 置将混合气体通入反应器，混合气体充满整个反应器，混合气体在光源或热源等作用下发 生反应沉积在基板表面，从而在基板表面生成一层薄膜。然而，现有化学气相沉积设备中混 合气体由进气装置自设在反应器一端的气体输入口输入，自另一端被抽气装置抽出，整个 反应器中的气体仅有一个气体输入口输入，使得反应器内的气体密度很难保持均勻，导致 基板上形成的膜厚不均勻。
发明内容
鉴在上述状况，有必要提供一种薄膜沉积均勻的化学气相沉积设备。一种化学气相沉积装置，其包括反应器、与反应器连接的进气装置及抽气装置，该 反应器内设置有承载装置，所述进气装置包括多个分布在反应器内的气体喷嘴。该化学气相沉积设备通过设置多个气体喷嘴使反应气体由多个气体喷嘴输入，反 应气体在反应器中的分布较为均勻，从而使化学气相沉积所形成的薄膜的厚度较均勻。
图1为本发明实施方式的化学气相沉积设备的立体组装图。图2为图1的化学气相沉积设备的立体分解图。图3为图1的化学气相沉积设备另一角度的立体分解图。图4为图1的化学气相沉积设备的进气装置的立体分解图。主要元件符号说明
化学气相沉积设备100反应器10
权利要求
1.一种化学气相沉积设备，其包括反应器、与反应器连接的进气装置及抽气装置，所述 反应器内设置有承载装置，其特征在于所述进气装置包括多个分布在反应器内的气体喷 嘴。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于所述承载装置包括底座及相 对底座可转动的承载件，所述承载件为筒状，所述进气装置设于所述底座，所述多个气体喷 嘴收容于所述承载件。
3.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于所述底座设有环形滑槽，所述 承载件设有滚轮，所述滚轮沿所述滑槽可滑动使所述承载件相对所述底座转动。
4.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于所述承载装置包括抽气管，所 述化学气相沉积设备还包括对所述抽气管抽气的抽气泵，所述承载件具有多个侧壁，所述 侧壁开设有与所述抽气管相通的吸附槽。
5.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于所述进气装置包括进气管及 设置于所述底座的支撑件，所述多个气体喷嘴设于所述支撑件且与所述进气管相连，所述 多个气体喷嘴自所述支撑件邻近所述底座一端向远离所述底座一端依次均勻排布。
6.如权利要求5所述的化学气相沉积设备，其特征在于所述化学气相沉积设备还包 括设于所述反应器外侧的第一光源，所述反应器开设有与所述第一光源相通的通光孔。
7.如权利要求6所述的化学气相沉积设备，其特征在于进气装置还包括第二光源，所 述支撑件形成有容置孔及多个光源导出件，所述第二光源收容于所述容置孔且光线可通过 多个光源导出件导出。
8.如权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于所述进气装置还包括设于所 述支撑件的遮蔽组件，所述遮蔽组件用于对所述多个气体喷嘴及多个光源导出件进行遮 蔽。
9.如权利要求8所述的化学气相沉积设备，其特征在于所述遮蔽组件包括滑杆、沿所 述滑杆可滑动的滑动件及固定于所述滑动件的与所述气体喷嘴或光源导出件配合的遮蔽 件。
10.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于所述进气装置还设有加热组 件，所述加热组件用于对所述进气装置输入的气体进行加热。
全文摘要
一种化学气相沉积设备，其包括反应器、与反应器连接的进气装置及抽气装置，该反应器内设置有承载装置，进气装置包括多个分布在反应器内的气体喷嘴。该化学气相沉积设备通过设置多个气体喷嘴使反应气体由多个气体喷嘴输入，反应气体在反应器中的分布较为均匀，从而使化学气相沉积所形成的薄膜的厚度较均匀。
文档编号C23C16/455GK102108498SQ20091031228
公开日2011年6月29日 申请日期2009年12月25日 优先权日2009年12月25日
发明者裴绍凯 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司