专利名称：一种硅片抛光装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种硅片抛光装置，特别是一种300mm以上大直径娃片的抛光装置。
背景技术：
半导体硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过拉晶、切片、倒 角、磨片、腐蚀、抛光、清洗等工艺过程制造而成的集成电路级半导体硅片。为增加IC芯片 产量，降低单元制造成本，硅片向大直径发展，尽管目前的主流是300mm，国际上三大IC厂 家正在研究和推进450mm硅片的应用和产业化。由于大尺寸硅片的表面积较大，在抛光过 程中几何参数难以控制，为了获得平坦的表面，在目前大尺寸硅片的抛光过程中双面抛光 代替单面抛光。双面抛光过程中由于硅片处于自由的悬浮状态，抛光后的表面几何参数能控制得 很好，能达到65nm和32nm线宽的要求。但随着硅片表面积的进一步增大，由于面积太大和 自身重力的问题，抛光过程中的均勻性很难控制，从而会影响大直径硅片的几何参数。因 此，为了得到符合几何参数要求的300mm直径以上硅片产品，就需要一种新型的硅片抛光
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发明内容本实用新型的目的是提供一种硅片抛光装置，该装置结构紧凑，硅片在抛光时处 于垂直状态，硅片可以有效地避免因自重而引起的形变，同时更容易控制硅片两面能解决 由于硅片尺寸的增大而带来的抛光问题，既提高了生产的效率，又提高了抛光片的成品率。为达到上述发明目的本实用新型采用以下技术方案一种硅片抛光装置，其特征在于它包括垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的 游轮圈、位于游轮圈左侧的、由左传动部分带动的左抛光轮，位于游轮圈右侧的、由右传动 部分带动的右抛光轮，左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光的抛光垫，还有直接供应抛光 液到抛光垫上的抛光液供给部分。所述的左、右抛光轮为抛光盘。抛光轮的材料为金属或陶瓷。抛光轮直径为150mm 250mm。游轮圈材料为树脂。抛光液供液部分的管道材料为树脂。本发明的优点由于抛光时硅片是垂直的，可以有效地避免因自重而引起的形变， 同时更容易控制硅片两面表面的几何参数，能解决由于硅片尺寸的增大而带来的抛光问 题。抛光垫是市场上常规抛光垫。
图la 目前双面抛光机的抛光示意图[0014]图lb 图la的内部结构示意图图2 本实用新型的结构示意图图3 使用本实用新型时加工示意图
具体实施方式
图la、图lb中，21为上大盘，22为下大盘，23为边缘齿轮，24为游轮片，25为硅片， 26为太阳轮，27为抛光液供应部份。图2、图3中，这种硅片抛光装置包括垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮 圈(3)、位于游轮圈左侧的、由左传动部分(2)带动的左抛光轮(1)，位于游轮圈右侧的、由 右传动部分(5)带动的右抛光轮(4)，左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光的抛光垫(7)， 还有直接供应抛光液到抛光垫上的抛光液供给部分(27)。传动部分提供抛光过程中的压力和转速。在抛光时游轮圈带动硅片旋转，抛光液 由上方的抛光液供给部分流下，左右抛光轮同时逆向旋转对硅片表面进行抛光，左右抛光 轮的转速和压力相同。由于抛光时硅片是垂直的，可以有效地避免因自重而引起的形变，同时更容易控 制硅片两面表面的几何参数，能解决由于硅片尺寸的增大而带来的抛光问题。抛光垫是市 场上常规抛光垫。
权利要求一种硅片抛光装置，其特征在于它包括垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮圈(3)、位于游轮圈左侧的、由左传动部分(2)带动的左抛光轮(1)，位于游轮圈右侧的、由右传动部分(5)带动的右抛光轮(4)，左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光的抛光垫(7)，还有直接供应抛光液到抛光垫上的抛光液供给部分(27)。
2.按照权利要求1所述的硅片抛光装置，其特征在于所述的左、右抛光轮为抛光盘。
3.按照权利要求1所述的硅片抛光装置，其特征在于抛光轮的材料为金属或陶瓷。
4.按照权利要求1所述的硅片抛光装置，其特征在于抛光轮直径为150mm 250mm。
5.按照权利要求1所述的硅片抛光装置，其特征在于游轮圈材料为树脂。
6.按照权利要求1所述的硅片抛光装置，其特征在于抛光液供液部分的管道材料为 树脂。
专利摘要一种硅片抛光装置包括垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮圈(3)、位于游轮圈左侧的、由左传动部分(2)带动的左抛光轮(1)，位于游轮圈右侧的、由右传动部分(5)带动的右抛光轮(4)，左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光的抛光垫(7)，还有直接供应抛光液到抛光垫上的抛光液供给部分(27)。游轮圈带动硅片旋转，左右抛光轮同时向相对方向旋转，对硅片表面进行抛光。本实用新型的优点是该装置结构紧凑，硅片在抛光时处于垂直状态，硅片可以有效地避免因自重而引起的形变，同时更容易控制硅片表面的几何参数，能解决由于硅片尺寸的增大而带来的抛光问题，既提高了生产的效率，又提高了抛光片的成品率。
文档编号B24B29/00GK201711851SQ20102026176
公开日2011年1月19日 申请日期2010年7月12日 优先权日2010年7月12日
发明者常青, 库黎明, 索思卓, 闫志瑞, 鲁进军 申请人:北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司