专利名称：一种用于直流等离子喷射法金刚石厚膜制造的钼基体的制作方法
技术领域：
一种用于直流等离子喷射法金刚石厚膜制造的钼基体技术领域[0001]本实用新型涉及一种用于直流等离子喷射法金刚石厚膜制造的钼基体，属于金刚石厚膜生产用设备领域。
背景技术：
[0002]现有技术中，金刚石厚膜生长过程中，需要在生长设备中放置承载金刚石厚膜的钼基体，目前使用的钼基体一般都采用圆柱形，如图1所示，在基体底部设置有冷却液通道，钼基体顶部金刚石厚膜生长区域的高温通过圆柱体将热量传给冷却液而散热。由于圆柱形固有的形状使得冷却液与钼基体接触面积小，难以向上充分冷却金刚石厚膜，即使冷却液从该通道快速流过，也很难起到及时冷却金刚石厚膜生长区域的作用。实用新型内容[0003]针对上述现有技术存在的不足之处，本实用新型的目的在于提供一种用于直流等离子喷射法金刚石厚膜制造的钼基体，改进后的钼基体不仅能稳定承载金刚石厚膜的生长，还能起到良好的冷却作用。[0004]本实用新型的目的通过下述技术方案实现[0005]一种用于直流等离子喷射法金刚石厚膜制造的钼基体，基体外观呈圆台形，下顶面面积大于上顶面面积，圆台形底部设置有冷却液通道。[0006]本实用新型的钼基体采用圆台形取代现有的圆柱形，冷却液与钼基体接触面积增加，大大提高了冷却效果；同时，不仅解决了圆柱形钼基体冷却不充分的技术问题，而且圆台形自身的形状保证了钼基体的稳定性，由此可以确保金刚石厚膜生长过程的稳定性。
[0007]图1是现有技术中采用的钼基体外观图。[0008]图2是本实用新型采用的钼基体剖面图。
具体实施方式
[0009]下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。[0010]如图2所示，用于直流等离子喷射法金刚石厚膜制造的钼基体，基体外观呈圆台形，且圆台底部设置有冷却液通道。[0011]由于圆台底部比顶部宽，冷却液从底部通道流过时，冷却液与钼基体接触面积增加，大大提高了冷却效果；能对上部空间进行充分冷却，有利于金刚石厚膜的生长。且圆台形状本身结构更稳定，在金刚石厚膜生长过程中不会发生晃动，保证了金刚石厚膜的生长质量。[0012]上面结合附图对本实用新型优选实施方式进行了详细说明，但是本实用新型并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。
权利要求1. 一种用于直流等离子喷射法金刚石厚膜制造的钼基体，其特征在于基体外观呈圆台形，下顶面面积大于上顶面面积，且圆台底部设置有冷却液通道。
专利摘要本实用新型公开了一种用于直流等离子喷射法金刚石厚膜制造的钼基体，基体外观呈圆台形，且圆台底部设置有冷却液通道。采用该技术方案后，不仅解决了圆柱形钼基体冷却不充分的技术问题，而且圆台形自身的形状保证了钼基体的稳定性，由此可以确保金刚石厚膜生长过程的稳定性。
文档编号C23C16/27GK202246848SQ20112034509
公开日2012年5月30日 申请日期2011年9月15日 优先权日2011年9月15日
发明者李建林, 邹泽宏 申请人:河南飞孟金刚石工业有限公司