专利名称：磁控镀膜控制装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种镀膜机控制装置，尤其涉及一种磁控镀膜控制装置。
背景技术：
真空镀膜目前常用的是两种方式蒸镀和溅镀。溅镀由于镀膜效率高，镀层结合力好等优点，应用范围日益扩大，但是磁控溅镀设备使用多年后，普遍会存在一个问题同样的エ艺条件，镀膜越来越困难，靶材使用率也越来越低。原因分析1)真空条件变差；2)mask等辅材表面粗糙度下降及局部打火；3)电器连接件接触电阻上升；4)真空值、电压、电流值的检测需要校准。针对上述原因，现有的改进方法如下 I)改善真空条件a)更换密封件；b)维护、更换初级泵和分子泵；2)粗糙度改善
a)对mask表面进行喷砂；b)去除溅镀机内部结垢；3)降低接触电阻a)去除连接件表面的锈蚀山)重新紧固所有连接件；4)调教所有检测装置。经过以上处理后溅镀状态有所改善，但还是没有彻底解决，因此，有必要提供新的磁控镀膜控制装置。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种磁控镀膜控制装置，能够有效解决镀膜困难的问题。本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种磁控镀膜控制装置，包括MCU模块和电源模块，其中，所述MCU模块通过放大及逆变电路和倍压整流电路相连，所述倍压整流电路的另ー输入端和溅镀机内的放电针相连提供直流高压信号。上述的磁控镀膜控制装置，其中，所述MCU模块输出占空比为50%的30KHZ的方波信号。上述的磁控镀膜控制装置，其中，所述放大及逆变电路为DC/AC逆变单元，输入24V直流电压，输出1000V，30KHZ的交流高压信号。上述的磁控镀膜控制装置，其中，所述倍压整流电路的放大倍数为3，输出3000V
的直流高压信号。上述的磁控镀膜控制装置，其特征在于，所述放电针正负极之间的放电间隙为IOmm0本实用新型对比现有技术有如下的有益效果本实用新型提供的磁控镀膜控制装置，通过增加逆变器和倍压整流电路为溅镀机提供直流高压信号，在溅镀时起到“点火”的作用从而有效解决镀膜困难的问题。
图I为本实用新型的磁控镀膜控制装置结构示意图。图中[0014]IMCU模块 2放大及逆变电路 3倍压整流电路4电源模块 5溅镀机
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进ー步的描述。图I为本实用新型的磁控镀膜控制装置结构示意图。本实用新型的磁控镀膜控制装置包括MCU模块I和电源模块4，其中，MCU模块I通过放大及逆变电路2和倍压整流电路3相连，倍压整流电路3的另ー输入端和溅镀机5内的放电针相连提供直流高压信号。MCU模块I可以选用单片机，放大及逆变电路2为24V — 1000V的DC/AC逆变单元。其中，信号流向如下MCU模块I主要完成与原设备的信 号联接及产生30KHZ的方波信号；放大及逆变电路2主要是将30KHZ的方波信号进行放大，再经升压变压器输出1000V的高压交流电；所述倍压整流电路主要是将1000V的高压交流电进行三倍压整流，然后输出3000V的直流电，该直流电和溅镀机5内的放电器相连，提供直流高压信号具体工作原理如下电源模块4分别提供5V和24V给MCU模块I和放大及逆变电路2。当原设备控制信号为高电平吋，MCU模块I启动内部的16um定时器，当原设备控制信号为低电平时，MCU模块I关闭内部的16um定时器，同时关闭输出；该定时器的作用就是间隔16um改变MCU模块I输出，产生占空比为50%，周期为32um的方波(约为30KHZ);放大及逆变电路2将MCU模块I给出的方波信号进行放大，然后经过升压变压器输出1000V左右的交流电；三倍压整理电路3将这1000V的交流信号处理成3000V左右的直流电；最后将这3000V的直流电通过高压导线，引入溅镀机内部的放电针，其中负极接地，正极接放电针，正负极间距为10mm。当溅镀机5工作时，放电针两端会加上3000V左右的直流高压电，此时，放电针间隙之间会产生大量的正离子，从而引发雪崩效应，致使溅镀机5达到正常的工作状态。综上所述，本实用新型提供的磁控镀膜控制装置，通过增加放大及逆变电路2和倍压整流电路3为溅镀机5提供3000V左右的直流高压“点火”信号，从而有效解决镀膜困难的问题。虽然本实用新型已以较佳实施例掲示如上，然其并非用以限定本实用新型，任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
权利要求1.一种磁控镀膜控制装置，包括MCU模块(I)和电源模块(4)，其特征在于，所述MCU模块⑴通过放大及逆变电路⑵和倍压整流电路⑶相连，所述倍压整流电路⑶的另一输入端和溅镀机(5)内的放电针相连提供直流高压信号。
2.如权利要求I所述的磁控镀膜控制装置，其特征在于，所述MCU模块(I)输出占空比为50%的30KHZ的方波信号。
3.如权利要求I所述的磁控镀膜控制装置，其特征在于，所述放大及逆变电路(2)为DC/AC逆变单元，输入24V直流电压，输出1000V，30KHZ的交流高压信号。
4.如权利要求I所述的磁控镀膜控制装置，其特征在于，所述倍压整流电路(3)的放大倍数为3，输出3000V的直流高压信号。
5.如权利要求I所述的磁控镀膜控制装置，其特征在于，所述放电针正负极之间的放电间隙为10mm。
专利摘要本实用新型公开了一种磁控镀膜控制装置，包括MCU模块和电源模块，其中，所述MCU模块通过放大及逆变电路和倍压整流电路相连，所述倍压整流电路的另一输入端和溅镀机内的放电针相连提供直流高压信号；所述MCU模块输出占空比为50％的30kHz的方波信号；所述放大及逆变电路为DC/AC逆变单元，输入24V直流电压，输出1000V，30kHz的交流高压信号；所述倍压整流电路的放大倍数为3，输出3000V的直流高压信号。本实用新型提供的磁控镀膜控制装置，通过增加逆变器和倍压整流电路为溅镀机提供直流高压“点火”信号，从而有效解决镀膜困难的问题。
文档编号C23C14/35GK202450149SQ201120575098
公开日2012年9月26日 申请日期2011年12月27日 优先权日2011年12月27日
发明者唐翔, 黄灏 申请人:浙江华虹光电集团有限公司