1.一种利用液固分离制备电子封装用高硅铝复合材料的方法，其主要特征在于该方法所包含的以下步骤：
(1)Al-(20-30)wt.％Si合金坯料熔炼制备
采用熔铸法制备Al-(20-30)wt.％Si合金坯料，利用变质处理结合搅拌精炼细化初生硅相，并净化熔体，处理后的熔体采用重力浇注或低压铸造，最终获得一定尺寸的初始坯料P1；
(2)Al-(20-30)wt.％Si合金半固态浆料制备
定量切割坯料P1，置于气氛保温炉中重新加热，在580-650℃之间保温10-60min，获得初生Si相和液相共存的半固态料坯P3；或者将变质净化后的铝硅熔体直接浇注至预热的铸模中，待熔体温度降至580-650℃之间，停留5～30min，获得半固态浆料P2；
(3)液固分离制备Al-(40-70)wt.％Si复合材料
将半固态浆料坯P2或P3转移至带有分离机构的模具型腔中，施加压力使浆料中的液相通过分离机构流到盛放滤出液的型腔中，剩余半固态浆料P4中富集初生硅相。模具预热温度在200-500℃，压力在5-30MPa，分离出液相占原始坯料质量的30％～80％。液固分离结束后，增大压力至20-100MPa，保压1-2min使坯料P4凝固，获得含有高体积分数初生Si相的高硅铝复合材料P，最后在350～490℃退火处理。
2.根据权利要求1所述步骤(1)，Al-(20-30)wt.％Si合金熔体采用A1-4.6％P中间合金变质处理，变质剂的添加量为0.4％-2％，变质温度高于合金液相线温度50-120℃，保温时间10-60min，初生硅相的平均直径细化至30-50μm。
3.根据权利要求1所述步骤(2)，半固态浆料P3或P2中初生硅相的质量分数为9％-18％，形态呈团球状，平均直径为30-60μm。
4.根据权利要求1所述步骤(3)，液相的分离通过开有缝隙或圆孔的过滤板实现，缝隙尺寸在0.5-5mm，圆孔直径在0.5-5mm，允许液相通过，但浆料中的初生Si相无法通过；液相也可通过成形模具上、下模间留出的缝隙通道流出，缝隙尺寸在0.5-5mm，过滤板采用热作模具钢制作。
5.根据权利1所述方法，高硅铝材料中Si元素质量分数在40％～70％，其余为Al；初生硅相棱角钝化，形态呈近球形，尺寸在40-60μm，材料致密度达到99％以上，热膨胀系数在7-16ppm/℃可调，热导率超过110W/m.K，抗拉强度达到100-200MPa以上，刚度达到90-130GPa以上。