技术总结
本发明公开了一种制备高硅含量(40-70wt.％Si)硅铝复合材料的方法。采用熔铸法制备低硅铝合金坯料，Si含量为20-30wt.％；坯料加热至铝硅二元合金液固两相温度区(共晶温度以上5～30℃)，保温一定时间获得半固态浆料6；浆料6置于带有分离机构5的模具型腔8中，通过压头9施加一定压力，使液相通过分离机构5流入型腔3中，留在型腔8中的剩余富硅相半固态浆料在压力作用下凝固，获得含(40-70wt.％)Si的高硅铝复合材料。该工艺方法流程短、成本低，制备的高硅铝材料具有高致密度、轻质、低膨胀、高导热、良好的力学性能等特点，适用于高性能电子封装壳体制作。
技术研发人员：刘俊友;李艳霞;尹衍利;黄瑛;周洪宇
受保护的技术使用者：北京科大科技园有限公司;北京科技大学
文档号码：201510521926
技术研发日：2015.08.24
技术公布日：2017.03.08