本发明涉及加工领域，具体是一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置。
背景技术：
随着人民生活水平的不断提高，继Si、GaAs之后，GaN成为第三代半导体材料，它使激光二极管和发光二极管又上了一个新台阶，但它本身不易制成体材料，必须在其他衬底材料上生长薄膜，而玉石就是其最主要的衬底材料，作为衬底材料对晶体表面有着超光滑的要求，研究表明衬底的表面加工水平决定了器件的质量，尤其是用于GaN生长的玉石衬底片的精密加工技术是目前研究的重点；目前玉石在切割前只有减薄和抛光两个粗略的步骤，而此法生产的玉石片粗糙度较大，表面还有较深划伤，需要从新研磨抛光，增加了玉石片的成本。
发明专利内容
本发明专利提供一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置，以解决上述背景技术中提出的不节能环保的问题。
技术方案：一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置，包括以下步骤：A.粘片将玉石片长有器件的一面用粘片设备粘在玻璃片上；B.粗磨利用粗磨机将玉石衬底的厚度减薄至150μm左右，粗糙度为2.0μm左右；在加工条件为温度25-35℃，压力1-5kgC.细磨用细磨机将玉石衬底的厚度减薄至90～100μm，粗糙度为0.5μm左右，厚度均匀度在2.0μm以内；D.粗抛用粗抛机和粗抛液对玉石衬底进行抛光，粗糙度0.1μm，厚度均匀度1.0μm以内；E.精抛用精抛机和精抛液对玉石衬底进行抛光，使粗糙度到20μm以下。作为优化，所述加工方法的加工条件为温度25-35℃，压力1-5kg。
有益效果：本发明所述的一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置，使玉石在切割时表面平整度得到加强，降低了加工成本。
附图说明
无
具体实施方式
实施例：
本实施例包括：本发明专利所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：本发明属于一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置，一种带保温复位补偿外压型膨胀节装置，包括以下步骤：粘片，粗磨，细磨，粗抛，精抛；在加工条件为温度25℃，压力1kg的情况下，将玉石片长有器件的一面用粘片设备粘在玻璃片上，利用粗磨机将玉石衬底的厚度减薄至150μm左右，粗糙度为2.0μm左右，用细磨机将玉石衬底的厚度减薄至90μm，粗糙度为0.5μm左右，厚度均匀度在2.0μm以内，用粗抛机和粗抛液对玉石衬底进行抛光，粗糙度0.1μm，厚度均匀度1.0μm以内，用精抛机和精抛液对玉石衬底进行抛光，使粗糙度到20μm以下。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。