一种高温热电Sr3Co4O9薄膜电阻率的调控方法与流程

技术特征：

1.一种高温热电Sr₃Co₄O₉薄膜电阻率的调控方法，其特征在于：通过脉冲激光沉积在c轴倾斜的单晶衬底上生长Sr₃Co₄O₉外延薄膜，在静态氧气氛中原位退火后冷却到室温得到Sr₃Co₄O₉薄膜；通过调控单晶衬底的c轴倾斜角度即可得到不同电阻率的Sr₃Co₄O₉薄膜，所述c轴倾斜单晶衬底的倾斜角度为0≤α≤90°。

2.根据权利要求1所述高温热电Sr₃Co₄O₉薄膜电阻率的调控方法，其特征在于：c轴倾斜单晶衬底为SrTiO₃、LaAlO₃或(La_xSr_1-x)(Al_yTa_1-y)O₃。

3.根据权利要求1所述高温热电Sr₃Co₄O₉薄膜电阻率的调控方法，其特征在于：所述脉冲激光沉积技术的激光光源为KrF准分子激光，激光波长248nm，激光脉宽28ns，激光能量175-350mJ，激光频率2-5Hz，背底真空1×10^-3Pa-1×10^-4Pa，生长温度730-810℃，生长流动氧压5-50Pa。

4.根据权利要求1所述高温热电Sr₃Co₄O₉薄膜电阻率的调控方法，其特征在于：静态氧气氛中原位退火的条件为：退火温度750-850℃，退火氧压1×10⁴-5×10⁴Pa，退火时间10-30min。