本实用新型涉及银纳米点阵制备领域，尤其涉及一种制备银纳米点阵结构的装置。
背景技术：
银纳米材料就是将银纳米颗粒粒径做到纳米级的金属银单质，由于其具有良好的光学和导电导热性能，在光学和微电子领域占有极其重要的地位。将银纳米粒子进行组装，并固定于基片上形成特定点阵结构，其集体协同作用和热点效应可以使其性能得到显著增强，能够广泛应用于表面增强拉曼、医学检测、电子器件等方面。
目前，主要是通过在溶液体系中添加有机诱导分子来实现纳米粒子的自组装，从而得到点阵结构，这种方法一方面操作复杂、难以控制，对于复杂点阵结构很难精确制备。另一方面，大量使用有毒的有机物，对环境不友好，需要对废液进行处理，增加了制备成本。
有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的银纳米点阵结构的制备装置，使其更具有产业上的利用价值。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种结构简单、提拉过程稳定，银纳米粒子均匀的制备银纳米点阵结构的装置。
本实用新型的制备银纳米点阵结构的装置，包括工作台，所述工作台上设有门形支架以及用于放置硝酸银溶液的容器，所述支架的横梁上设有吊装基片的提拉机构，所述支架的两侧梁上设有相向的紫外照射灯，所述横梁上还设有限制所述基片提拉高度的限位机构。
进一步的，所述提拉机构包括通过轴承套设在所述横梁上、卷绕有提拉绳的转筒，所述提拉绳的一端设有夹持所述基片的抓手，所述转筒由设置在所述工作台的驱动机构驱动转动。
进一步的，所述限位机构包括两设置在所述横梁上、分别位于所述转筒两侧的连杆，两所述连杆端部均设有挡片，两所述挡片之间的间距能够供所述基片穿过，两所述挡片的底端上均安装有光电传感器，两所述光电传感器相向设置。
进一步的，所述驱动机构为电机，所述电机的输出轴及所述转筒上设有带轮，两所述带轮由同步带传动连接。
进一步的，所述容器的端口上覆盖有铝箔纸，所述铝箔纸上设有供所述基片进出所述容器的开口。
借由上述方案，本实用新型制备银纳米点阵结构的装置结构简单，提拉过程稳定，制备的银纳米粒子均匀。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
参见图1，本实用新型一较佳实施例所述的一种制备银纳米点阵结构的装置，包括工作台10，工作台10上设有门形支架以及用于放置硝酸银溶液的容器81，支架的横梁21上设有吊装基片30的提拉机构，支架的两侧梁22上设有相向的紫外照射灯50，横梁21上还设有限制基片30提拉高度的限位机构。
具体的，提拉机构包括通过轴承套设在横梁21上、卷绕有提拉绳41的转筒42，提拉绳41的一端设有夹持基片30的抓手，转筒42由设置在工作台10的驱动机构驱动转动。抓手可采用目前较常用的两爪夹爪；驱动机构为电机71，在电机71的输出轴及转筒42上均设置带轮72，将两带轮72由同步带73传动连接，如此，电机71转动即可带动转筒42转动，通过控制电机71正反转，即可控制提拉绳41上升或下降，从而将基片30从容器81中提出或放入容器81内。另外，电机71可设置带有提拉速度显示器的旋钮，转动电机71上旋钮精确调控提拉速度。
本实用新型中限位机构包括两设置在横梁21上、分别位于转筒42两侧的连杆61，两连杆61端部均设有挡片62，两挡片62之间的距离能够供基片30穿过。当基片30被提拉出来，若基片30越过紫外照射灯50穿入两挡片62之间，则无法被紫外照射灯50照射，为确保基片30能够提拉到被紫外照射灯50照射的高度，具体可在挡片62底端上设置有光电传感器，并使两光电传感器相向，当光电传感器检测到基片30刚好穿过挡片62底边，控制电机71停止转动，开启两紫外照射灯50对基片30进行照射。
为了避免容器81内的硝酸银溶液被紫外照射灯50照射，本实用新型在容器81的端口上覆盖有铝箔纸82，并铝箔纸82上设有供基片30进出容器81的开口83。如此即可防止容器81内的整体溶液见紫外光分解。
工作时，将经过处理具有线状凹槽的基片30通过提拉机构插入到硝酸银溶液中，控制电机的转速，基片30提出后吸附在表面的硝酸银呈线状分布，经紫外光照分解得到银纳米线。为了得到具有一定形状的点阵结构，可以先将基片进行化学刻蚀或机械处理，将基片浸入到硝酸银溶液中，则凹槽内会充满硝酸银溶液，提出会经紫外光分解得到目标点阵结构。控制硝酸银浓度、光照强度、提拉速度即可制备任何形状的点阵结构。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，并不用于限制本实用新型，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。