一种平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供的平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法，在溅射阴极和工件盘之间增加具有孔阵列的挡板，孔阵列在不同位置设置不同的孔径，改变一定等离子体刻蚀速率时的有效沉积面积，达到对等离子体在工件表面投影面积大小的精确控制，能快速、精确的实现磁控溅射膜厚均匀性的修正，实现对沉积区域膜厚均匀性的调整。

技术研发人员：刘海;高劲松;王笑夷;刘震
受保护的技术使用者：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
技术研发日：2018.02.05
技术公布日：2018.07.24