一种平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法与流程

文档序号:15012844发布日期:2018-07-24 22:52阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供的平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法,在溅射阴极和工件盘之间增加具有孔阵列的挡板,孔阵列在不同位置设置不同的孔径,改变一定等离子体刻蚀速率时的有效沉积面积,达到对等离子体在工件表面投影面积大小的精确控制,能快速、精确的实现磁控溅射膜厚均匀性的修正,实现对沉积区域膜厚均匀性的调整。

技术研发人员:刘海;高劲松;王笑夷;刘震
受保护的技术使用者:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
技术研发日:2018.02.05
技术公布日:2018.07.24
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