半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及使用无电解镀敷法对半导体晶片的被镀面形成膜厚以及膜质均匀性优异的镀膜的半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法镀敷。

背景技术：

就电力用半导体装置、例如igbt(绝缘栅型双极晶体管)以及mosfet(mos型场效应晶体管)等功率器件而言，为了改善以导通特性等为代表的通电性能，将半导体基板加工得薄。近年来，为了对制造成本方面以及特性方面进行改善，使用薄化至50μm左右的超薄晶片工艺制造半导体装置。

另一方面，在将这样的表背导通型的电力用半导体装置安装至电路基板等的情况下，将背面侧焊料接合至基板之上，将表面侧通过铝线等进行导线键合，由此进行电连接。近年来，由于电力用半导体装置的通电性能提高，所以正在变化为通过对两面进行焊料接合而使组装有电力用半导体装置的电力用半导体模块的通电性能以及散热性能提高的构造。因此，电力用半导体装置的表面侧形成的电极层需要焊接性能优异的ni/au膜。

但是，由于在焊接时ni膜被焊料侵蚀而逐渐减少，所以需要大于或等于2μm的ni膜。在蒸镀以及溅射等真空成膜方式中，成膜速度慢且难以图案化，在生产效率以及制造成本方面残留有问题。因此，由能够高速成膜、易于图案化且低成本的无电解镀敷实现的ni的形成受到关注。

在向半导体晶片的al合金电极表面形成ni镀层时，通常利用使用称为锌酸盐法的方法的无电解镀ni。使用锌酸盐法的无电解镀ni是如下技术，即，将在半导体晶片之上形成的al合金电极进行脱脂以及酸洗而使al合金电极成为活性面之后，利用zn的标准氧化还原电位比al高这一点而在al合金电极表面较薄地析出zn膜。然后，以ni膜置换zn膜，通过自析出反应形成ni膜。

在上述制造中，通常是在载体设置半导体晶片，使设置有半导体晶片的载体浸渍于加入了各药液的槽中进行处理。特别是，在ni镀液槽中的处理时，为了确保膜厚以及膜质均匀性，需要使ni镀液槽内的液体流速均匀。为了提高膜厚以及膜质均匀性，关于槽内的构造，进行ni镀液槽的容积增加、外槽的4面化、以及供给配管的改进等。

但是，如果要实现上述构造，则装置会大型化，设备成本也会上升。作为确保镀层的膜厚以及膜质均匀性的技术，存在例如专利文献1中公开的技术。

在专利文献1中公开有如下技术，即，外槽是4面化构造的浴槽，关于在供给管设置的孔的开口率，越是反应溶液的供给侧该开口率越低，越是气泡释放部侧该开口率越高，由此，能够抑制泡纹的产生，能够形成膜厚以及膜质均匀性优异的膜。

专利文献1：日本特开2014－234539号公报

然而，在专利文献1记载的技术中，难以针对单面的外槽而确保镀层的膜厚以及膜质均匀性。另外，需要在供给管设置作为用于释放气泡的构造的气泡释放部，并且由于浴槽也是4面的外槽，所以也有设备成本上升这样的问题。并且，通过设置气泡释放部，对被镀面的反应溶液的供给量与没有设置气泡释放部的情况相比降低。因此，成膜速率降低，处理能力也降低。为了提高反应溶液的供给量，需要使泵大型化等，其结果，预计到设备成本上升这样的问题。

技术实现要素：

因此，本发明的目的在于提供一种技术，其能够一边抑制设备成本的上升，一边对半导体晶片的被镀面形成膜厚以及膜质均匀性优异的镀膜。

本发明涉及的半导体装置的制造装置具备：反应槽，其使半导体晶片浸渍于反应溶液而在所述半导体晶片形成镀膜；供给管，其在所述反应槽的内部延伸设置，并且在该供给管沿延伸设置方向设置有喷出所述反应溶液的多个喷出孔；以及储存槽，其与所述反应槽相邻设置，并且对从所述反应槽溢出的所述反应溶液进行储存，多个所述喷出孔中的离所述储存槽距离远的部分的开口率至少局部性地大于离所述储存槽距离近的部分的开口率。

发明的效果

根据本发明，由于多个喷出孔中的离储存槽距离远的部分的开口率至少局部性地大于离储存槽距离近的部分的开口率，所以能够使反应槽内的液体流速变均匀，在半导体晶片形成膜厚以及膜质均匀性优异的镀膜。由于能够以简易的结构实现这样的效果，所以能够抑制设备成本的上升。

附图说明

图1是实施方式1涉及的半导体装置的制造装置的示意图。

图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造装置具备的供给管的喷出孔的配置的示意图。

图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造装置具备的其他供给管的喷出孔的配置的示意图。

图4是实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的流程图。

图5是镀敷处理工序的流程图。

图6是表示供给管的开口率变更前的流速的大小的仿真结果的图。

图7是表示供给管的开口率变更后的流速的大小的仿真结果的图。

图8是表示镀敷载体间的膜厚差和nip膜厚均匀性的比较的图形。

图9是实施方式1的变形例1涉及的半导体装置的制造装置具备的多个供给管的示意图。

图10是实施方式1的变形例1涉及的半导体装置的制造装置具备的其他多个供给管的示意图。

图11是实施方式1的变形例2涉及的半导体装置的制造装置的示意图。

图12是表示实施方式1的变形例2涉及的半导体装置的制造装置具备的供给管的喷出孔的配置的示意图。

图13是表示实施方式2涉及的半导体装置的制造装置具备的多个供给管和外槽的关系的示意图。

图14是表示实施方式2涉及的半导体装置的制造装置具备的其他多个供给管和外槽的关系的示意图。

标号的说明

1、1a、1b、1c成膜装置，2反应槽，3外槽，4供给管，4a喷出孔，4b管路，8半导体晶片。

具体实施方式

＜实施方式1＞

以下使用附图说明本发明的实施方式1。图1是实施方式1涉及的半导体装置的制造装置的示意图，是在与反应槽2的长边平行的方向切断后的剖面图。图2是表示半导体装置的制造装置具备的供给管4的喷出孔4a的配置的示意图。图3是表示半导体装置的制造装置具备的其他供给管4的喷出孔4a的配置的示意图。

通常实施无电解镀ni的药液槽具有4面或2面的储存槽。在实施方式1中，药液槽具有单面的储存槽。如图1所示，半导体装置的制造装置即成膜装置1是对以后述的图4和图5所示的步骤处理后的半导体晶片8进行无电解镀ni处理的装置。

如图2和图3所示，供给管4具备多个喷出孔4a。多个喷出孔4a沿供给管4的延伸设置方向设置。多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的开口率至少局部性地大于离外槽3距离近的部分的开口率。由此，能够不降低生产效率而以简易的设备结构通过无电解镀敷法在半导体晶片8的al合金膜之上析出膜厚以及膜质均匀性优异的ni镀膜，所以对于抑制设备成本上升有效果。此外，开口率是供给管4的每单位长度的开口率。

接着说明半导体装置的制造方法。图4是半导体装置的制造方法的流程图。图5是镀敷处理工序的流程图。

如图4所示，首先形成晶片表面侧电路(步骤s1)。在晶片表面侧电路的形成工序中，在由si构成的半导体晶片8的表面侧经过注入工序、扩散工序、照相制版工序、蚀刻工序、以及成膜工序形成半导体元件区域。

接着，形成晶片表面电极(步骤s2)。在晶片表面电极的形成工序中，使用真空蒸镀法或溅射法等在半导体晶片8的表面中的例如5μm左右的期望区域形成由例如铝构成的表面电极。作为表面电极的材料，能够使用纯al、alsi合金、alcu合金、或alsicu合金。

接着，将晶片背面减薄(步骤s3)。在晶片背面的减薄工序中，通过包含氢氟酸或硝酸的湿蚀刻、或机械加工，将半导体晶片8的表面减薄至期望的厚度。然后，通过由离子注入或热处理实现的活性化处理形成晶片背面扩散层(步骤s4)。

接着，形成晶片背面电极(步骤s5)。在晶片背面电极的形成工序中，与表面同样地使用真空蒸镀法或溅射法等，形成焊接性能优异的ni/au膜。作为背面电极的材料，能够使用例如alsi合金、nisi合金、或tisi合金作为能与半导体晶片8欧姆接触的金属硅化物层。

在向半导体晶片8的两面形成镀膜的情况下，进行直至形成金属硅化物层为止的工序。然后，在进行镀敷预处理之后(步骤s6)，通过镀敷处理来形成镀膜(步骤s7)。

接着，说明镀敷处理工序的详情。如图5所示，首先，在表面活性化处理中，对在表面形成的电极面进行氧等离子体清洁处理(步骤s11)。氧等离子体清洁处理是通过将在镀敷预处理中不能除去的有机残渣以氧等离子体进行酸解、撞击，将表面清洁化的处理方法。

接着，进行脱脂处理以及酸洗(步骤s12、s13)。脱脂处理是为了将在al合金表面残留的轻度的有机物污染以及氧化膜除去而进行的。接着，对al合金表面进行中和，对al合金的表面进行蚀刻而使面变粗糙，进行用于提高后续工序的处理液的反应性，提高镀层的附着力的处理。

接着，进行锌酸盐处理(步骤s14)。锌酸盐处理是在al合金表面一边除去al的氧化膜一边形成锌(zn)的覆膜的处理。然后，在浸渍于硝酸中而除去了zn覆膜之后(步骤s15)，再次实施锌酸盐处理(步骤s16)，形成zn覆膜。这样，通过实施2次锌酸盐处理，从而在al合金表面形成致密的zn覆膜，成为附着力牢固且均匀性优异的镀膜。就锌酸盐处理而言，越增加次数，al合金表面越平滑，镀膜的完成状况也越好，但如果考虑到生产效率，则通常最多是3次左右。

然后，实施无电解镀ni(步骤s17)。如果将由zn覆盖的al合金皮膜浸渍于无电解ni镀液，则由于zn的标准氧化还原电位比ni低，所以首先在al合金之上析出ni。接着，如果表面被ni覆盖，则通过镀液中包含的还原剂的作用，ni还原析出而形成。就无电解ni镀膜的厚度而言，还考虑到向半导体晶片8的膜应力等而优选是大于或等于2μm且小于或等于10μm。

最后，为了防止氧化，在形成无电解ni镀膜之后，使半导体晶片8浸渍于无电解au镀液，形成大于或等于20nm且小于或等于100nm的无电解au镀膜(步骤s16)。这样，在无电解镀敷法中，能够容易地形成这样的几μm级的厚膜，同时，在聚酰亚胺等不产生电子交换的保护膜的上表面不析出无电解ni镀膜。由此，能够选择性地使无电解ni镀层析出，所以工艺变容易、生产效率提高。

返回成膜装置1的说明。如图1所示，成膜装置1具备：反应槽2、作为储存槽的外槽3、供给管4、泵5、加热器6、整流板7、载体9、以及配管11。

反应槽2在俯视时是矩形状，在内部设置有供给管4、整流板7、以及载体9。载体9是用于设置半导体晶片8的部件。通过将在载体9设置的半导体晶片8设置为与供给管4平行或垂直，能够一次对大量的半导体晶片8析出ni镀膜。将半导体晶片8浸渍于在反应槽2内部储存的反应溶液10中而在半导体晶片8形成镀膜。整流板7配置于载体9的下侧。

外槽3在供给管4的一端侧与反应槽2相邻设置。更具体而言，外槽3与反应槽2的矩形状的短边相邻设置，储存从反应槽2溢出的反应溶液。由此，能够将成膜装置1紧凑化。

配管11连接于反应槽2的底部和外槽3的底部之间。供给管4、泵5、以及加热器6与配管11连接。由此，能够将反应溶液10向供给管4供给，使其在反应槽2内循环。

供给管4在反应槽2内部沿水平方向延伸设置，配置于整流板7的下侧。更具体而言，供给管4在与反应槽2的矩形状的长边平行的方向延伸。即，供给管4向远离外槽3的方向延伸。

供给管4将反应溶液10向反应槽2供给。供给管4与将反应槽2的底部的中央部贯穿的配管11连接。向供给管4的延伸方向的中央部供给的反应溶液10被分支向靠近外槽3侧和远离外槽3侧，从在供给管4形成的多个喷出孔4a喷出而向反应槽2供给。在供给管4形成有多个喷出孔4a，喷出孔4a朝向反应槽2的上方或斜上方而配置。此外，喷出孔4a朝向反应槽2的上方而配置，但也可以朝向下方、横向或斜下方而配置。

由此，能够抑制从各喷出孔4a喷出的反应溶液10的波动，向半导体晶片8供给的反应溶液10的流速变均匀。但是，由于反应溶液10的溢出方向是单面，所以反应溶液10被向外槽3侧拉拽，从而与外槽3相对侧的流速变慢。

因此，如图2和图3所示，需要使多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的开口率至少局部性地大于离外槽3距离近的部分的开口率。此外，至少局部性地大包含以下两种情况，即，如图2所示，就整个供给管4而言，多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的开口率大于离外槽3距离近的部分的开口率，以及如图3所示，多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的开口率局部性地大于离外槽3距离近的部分的开口率。

接着说明供给管4的详情。如图2所示，供给管4具备多个喷出孔4a。多个喷出孔4a例如是圆形，沿供给管4的延伸设置方向设置。多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的开口率大于离外槽3距离近的部分的开口率。换言之，多个喷出孔4a离外槽3的距离越远，其开口率越大。此外，在图2中，左侧是离外槽3距离近的部分，右侧是离外槽3距离远的部分。

开口率是每单位长度的开口率，能够通过变更喷出孔4a的孔径(换言之，面积)、密度、间距、数量、或形状而变更。在图2中，通过变更喷出孔4a的孔径而变更开口率，但在图3中，通过变更喷出孔4a的密度而变更开口率。如果具体说明，则在图2中，多个喷出孔4a离外槽3的距离越远，其孔径越大。在图3中，多个喷出孔4a的密度在离外槽3距离远的部分与在离外槽3距离近的部分相比局部性地变大。

此外，在图2中，也可以不是整个供给管4，而是多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的孔径局部性地大于离外槽3距离近的部分的孔径。另外，在图3中，也可以不是局部性地，而是就整个供给管4而言，多个喷出孔4a的密度在离外槽3距离远的部分与在离外槽3距离近的部分相比变大。

由此，从半导体晶片8通过的反应溶液10的流速在反应槽2内变均匀，镀膜成为均匀性优异的膜厚以及膜质。

通过调整多个喷出孔4a的开口率，从而能够不降低生产效率而以简易的设备结构通过无电解镀敷法在半导体晶片8的al合金膜之上析出膜厚以及膜质均匀性优异的ni镀膜，因此，对于设备成本上升的抑制有效果。

实际使喷出孔4a的开口率变化时的仿真结果是图6和图7。图6是表示供给管4的开口率变更前的流速的大小的仿真结果的图。图7是表示供给管4的开口率变更后的流速的大小的仿真结果的图。图8是表示镀敷载体间的膜厚差和nip膜厚均匀性的比较的图表。

如图8所示，对半导体晶片8进行无电解镀ni处理的结果是在喷出孔4a的开口率变更前的情况下，ni镀膜面内均匀性是cv(变动系数)＝8.96％、镀敷载体间的膜厚差为0.60μm，与此相对，在喷出孔4a的开口率变更后的情况下，ni镀膜面内均匀性是cv＝7.63、镀敷载体间的膜厚差为0.07μm，得到了良好的结果。

如上所述，在实施方式1涉及的半导体装置的制造装置中，多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的开口率至少局部性地大于离外槽3距离近的部分的开口率，因此，能够使反应槽2内的液体流速变均匀，在半导体晶片8形成膜厚以及膜质均匀性优异的镀膜。由于能够以简易的结构实现这样的效果，所以能够抑制设备成本的上升。

多个喷出孔4a的孔径在离外槽3距离远的部分与在离外槽3距离近的部分相比至少局部性地变大，或者，多个喷出孔4a的密度在离外槽3的距离远的部分与在离外槽3距离近的部分相比至少局部性地变大。因此，能够提高成膜装置1的设计自由度，更容易地制造成膜装置1。

反应槽2在俯视时是矩形状，外槽3与反应槽2的矩形状的短边相邻设置，供给管4沿与反应槽2的矩形状的长边平行的方向延伸，因此，能够以1根供给管4向整个反应槽2供给反应溶液10。这样，由于能够减少供给管4的根数，所以能够更容易地制造成膜装置1。

另外，半导体装置的制造方法具备：将半导体晶片8的被镀面清洁化的工序(a)；以及在成膜装置1处向半导体晶片8的被镀面供给反应溶液10而形成镀膜的工序(b)。

因此，通过对附着于被镀面的有机物残渣进行清洁化，确保镀液的润湿性，从而能够形成膜厚以及膜质均匀性优异的镀膜。另外，通过调整喷出孔4a的开口率，从而能够调整从供给管4的多个喷出孔4a供给的反应溶液10的液量，使得相对于整个被镀面的流速均匀化。

工序(a)是进行等离子体清洁处理的工序，由于在等离子体清洁处理中使用的等离子体是氧或氩，所以通过利用具有氧化以及蚀刻力的等离子体，能够高效地除去附着于被镀面的污染物质。

由于工序(b)是使用无电解镀敷法的工序，所以能够在确保生产效率的情况下以简易的设备结构进行无电解镀敷。

<实施方式1的变形例>

接着，说明实施方式1的变形例1。图9是实施方式1的变形例1涉及的半导体装置的制造装置具备的多个供给管4的示意图。图10是实施方式1的变形例1涉及的半导体装置的制造装置具备的其他多个供给管4的示意图。

如图9所示，供给管4在与反应槽2的矩形状的长边平行的方向延伸，在与供给管4的延伸方向交叉的方向即与反应槽2的矩形状的短边平行的方向排列有4根。4根供给管4由与延伸设置方向交叉的3根管路4b连接。此外，管路4b不限定于3根，例如也可以是仅中央1根。

在4根供给管4设置的多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的开口率至少局部性地大于离外槽3距离近的部分的开口率。

更具体而言，在4根供给管4的右侧部分，多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的开口率大于离外槽3距离近的部分的开口率。即，多个喷出孔4a是相同孔径，以使得在多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分多个喷出孔4a的密度变大的方式隔开小的间隔设置有多个喷出孔4a。以使得在多个喷出孔4a中的离外槽3距离近的部分密度变小的方式隔开比离外槽3距离远的部分大的间隔设置有多个喷出孔4a。

另外，在4根供给管4的左侧部分，以比4根供给管4的右侧部分大的间隔等间隔地设置有多个喷出孔4a，使得多个喷出孔4a的密度变小。即，如果仅看4根供给管4的左侧部分，则多个喷出孔4a的密度恒定。此外，关于4根供给管4的左侧部分，也可以是以使得在多个喷出孔4a中的离外槽3距离近的部分密度变小的方式隔开比离外槽3距离远的部分大的间隔设置有多个喷出孔4a。

由此，与1根供给管4的情况相比，能够将更多的反应溶液10供给至整个反应槽2。

或者，如图10所示，也可以是多个喷出孔4a离外槽3的距离越远，其孔径越大。这种情况下也得到了与图9的情况同样的效果。此外，也可以不是整个供给管4，而是多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的孔径与离外槽3距离近的部分的孔径相比局部性地变大。

如上所述，在实施方式1的变形例1涉及的半导体装置的制造装置中，供给管4在与供给管4的延伸设置方向交叉的方向排列多个。

因此，能够使反应槽2内的液体流速变均匀，在半导体晶片8形成膜厚以及膜质均匀性优异的镀膜。由于能够以简易的结构实现这样的效果，所以能够抑制设备成本的上升。并且，设置多个喷出孔4a的多个供给管4能够全部设置成相同的规格。由此，能够使得成膜装置的设计以及制造变容易。

接着，说明实施方式1的变形例2。图11是实施方式1的变形例2涉及的半导体装置的制造装置即成膜装置1a的示意图，是在与反应槽2的长边平行的方向切断后的剖面图。图12是表示实施方式1的变形例2涉及的成膜装置1a具备的供给管4的喷出孔4a的配置的示意图。

如图11所示，成膜装置1a具备：反应槽2、2个外槽3、供给管4、泵5、加热器6、整流板7、载体9、以及配管11。

2个外槽3在供给管4的一端侧以及另一端侧与反应槽2相邻设置。更具体而言，2个外槽3分别与反应槽2的矩形状的2个短边相邻设置。此外，在图11中，右侧的外槽3相当于其他储存槽。

如图12所示，多个喷出孔4a中的离左侧的外槽3距离远的部分的开口率至少局部性地大于离左侧的外槽3距离近的部分的开口率。与此相同地，多个喷出孔4a中的离右侧的外槽3距离远的部分的开口率至少局部性地大于离右侧的外槽3距离近的部分的开口率。更具体而言，在供给管4的右侧部分，多个喷出孔4a离右侧的外槽3距离越远，其孔径越大。在供给管4的左侧部分，多个喷出孔4a离左侧的外槽3距离越远，其孔径越大。

或者，也能够是在供给管4的右侧部分，多个喷出孔4a离右侧的外槽3距离越远，其密度越大，在供给管4的左侧部分，多个喷出孔4a离左侧的外槽3距离越远，其密度越大。

此外，成膜装置1a也可以具备3个或4个外槽3。在这种情况下，成膜装置1a具备2根图12所示的供给管4，例如2根供给管4配置成垂直地交叉。由此，多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的开口率至少局部性地大于离外槽3距离近的部分的开口率。

如上所述，在实施方式1的变形例2涉及的半导体装置的制造装置中，在图11中还具备与左侧的外槽3不同的其他的右侧的外槽3，左侧的外槽3设置在供给管4的一端侧，右侧的外槽3设置在供给管4的另一端侧，多个喷出孔4a中的离右侧的外槽3距离远的部分的开口率至少局部性地大于离右侧的外槽3距离近的部分的开口率。因此，能够使反应槽2内的液体流速变均匀，在半导体晶片8形成膜厚以及膜质均匀性优异的镀膜。由于能够以简易的结构实现这样的效果，所以能够抑制设备成本的上升。

<实施方式2>

接着说明实施方式2涉及的半导体装置的制造装置。图13是表示实施方式2涉及的半导体装置的制造装置即成膜装置1b具备的外槽3和多个供给管4的关系的示意图，是在供给管4和整流板7之间沿水平方向切断后的剖面图。图14是表示实施方式2涉及的成膜装置1c具备的其他多个供给管4和外槽3的关系的示意图，是在供给管4和整流板7之间沿水平方向切断后的剖面图。此外，在实施方式2中，对与实施方式1中说明的要素相同的结构要素标注相同的标号，省略说明。

如图13所示，在实施方式2中，与实施方式1的变形例1的情况相对地，多个供给管4的排列方向不同。

外槽3在与9根供给管4的延伸方向垂直的方向与反应槽2相邻设置。更具体而言，外槽3与反应槽2的矩形状的短边相邻设置。另外，9根供给管4在与反应槽2的矩形状的短边平行的方向延伸，在与延伸设置方向交叉的方向即与反应槽2的矩形状的长边平行的方向排列。即，供给管4在远离外槽3且与供给管4的延伸设置方向交叉的方向排列9根。9本供给管4由与延伸设置方向交叉的2根管路4b连接。

多个喷出孔4a中的离外槽3距离远的部分的开口率至少局部性地大于离外槽3距离近的部分的开口率。更具体而言，多个喷出孔4a的孔径全部相同，供给管4的根数在反应槽2的右侧部分比左侧部分多。换言之，供给管4的配置间隔在反应槽2的右侧部分比左侧部分窄，与其相伴，喷出孔4a的个数也多。因此，设置多个喷出孔4a的多个供给管4能够全部设置成相同的规格。由此，能够容易地进行成膜装置1b的设计以及制造。另外，在图13中，多个喷出孔4a的密度在离外槽3距离远的部分与在离外槽3距离近的部分相比局部性地变大，也可以不是局部性地，而是就整个供给管4而言，多个喷出孔4a的密度在离外槽3距离远的部分与在离外槽3距离近的部分相比变大。

或者，如图14所示，也可以是9根供给管4的喷出孔4a离外槽3的距离越远，其孔径越大。具体而言，将各供给管4的喷出孔4a的个数设为相同而在各供给管4变更孔径，将各供给管4的喷出孔4a的孔径设为相同而变更喷出孔4a的个数。或者，能够通过它们的组合实现开口率的调整。由此，能够提高成膜装置1c的设计自由度，更容易地制造成膜装置1c。此外，在图14中，供给管4的配置间隔在反应槽2的右侧部分比左侧部分窄，但也可以全部以相同的间隔配置。另外，在图14中，就整个供给管4而言，多个喷出孔4a的孔径在离外槽3距离远的部分与在离外槽3距离近的部分相比变大，但也可以不是整个供给管4，而是多个喷出孔4a的孔径在离外槽3距离远的部分与在离外槽3距离近的部分相比局部性地变大。

如上所述，在实施方式2涉及的半导体装置的制造装置中，供给管4在远离外槽3且与供给管4的延伸设置方向交叉的方向排列多个。

因此，能够使反应槽2内的液体流速变均匀，在半导体晶片8形成膜厚以及膜质均匀性优异的镀膜。由于能够以简易的结构实现这样的效果，所以能够抑制设备成本的上升。

外槽3也可以与反应槽2的矩形状的长边相邻设置。在这种情况下，多个供给管4沿与反应槽2的矩形状的长边平行的方向延伸。因此，与实施方式1的情况相比，由于能够设置大量供给管4，所以能够提高对供给管4进行设置的设计自由度，更容易地制造成膜装置1。

另外，如图13所示，由于成膜装置1b能够将设置多个喷出孔4a的多个供给管4全部设置成相同的规格，所以能够使得成膜装置1b的设计以及制造变容易。

并且，如图14所示，在成膜装置1c中，能够将各供给管4的喷出孔4a的个数设为相同而在各供给管4变更孔径，将各供给管4的喷出孔4a的孔径设为相同而变更喷出孔4a的个数，或通过它们的组合实现开口率的调整，因此，能够提高成膜装置1c的设计自由度，更容易地制造成膜装置1c。

此外，本发明在其发明范围内，能够对各实施方式进行自由组合、对各实施方式适当地进行变形、省略。