1.一种高纯砷晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将砷原料置于提纯容器内，使砷原料占提纯容器体积的1/5～1/2，并使盛放有砷原料的提纯容器保持密封状态；
(2)对步骤(1)中提纯容器进行抽真空处理；
(3)停止抽真空处理，将步骤(2)中提纯容器的温度升高到250～295℃并进行第一阶段保温；
(4)将步骤(3)中提纯容器的温度升高到300～460℃并进行第二阶段保温，第二阶段保温过程中向提纯容器内持续通入保护气，并将气体排出到回收溶液之中；
(5)停止通入保护气并停止排气，将步骤(4)中提纯容器的温度升高到500～620℃并进行第三阶段保温；
(6)将步骤(5)中提纯容器的温度降至300～460℃并进行第四阶段保温，第四阶段保温过程中向提纯容器内持续通入保护气，并将气体排出到回收溶液之中；其中，在降温过程中，提纯容器的下半部分温区降温速率为上半部分温区降温速率的1.5～3倍；
(7)重复步骤(5)～(6)若干次，得到高纯砷晶体。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述砷原料包括砷块体、砷单晶或砷粉体，所述砷原料的纯度为98％～99.99％。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提纯容器的材质包括金属、石英玻璃和陶瓷中的一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述抽真空处理是使提纯容器内的压强达到10-1～10-5pa。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一阶段保温、第二阶段保温、第三阶段保温和第四阶段保温的时间独立地为1～48h。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)和步骤(6)中保护气独立地包括氦气、氖气、氩气和氮气中的一种。
7.根据权利要求1或6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)和步骤(6)中回收溶液的温度为-10～30℃。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)的降温过程中，提纯容器的上半部分温区降温速率为1～20℃/h。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(7)中重复步骤(5)～(6)的次数为2～10次。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(7)完成后还包括：
停止通入保护气并停止排气，将提纯容器的温度降到室温，之后在保护气氛中打开所述提纯容器，得到高纯砷晶体。