技术总结
本发明提供了一种高纯砷晶体的制备方法，属于原材料提纯技术领域。本发明在250～295℃进行第一阶段保温，有助于As2O5向As2O3转化；在300～460℃进行第二阶段保温，使砷原料表面的As2O3蒸发并随保护气排出提纯容器；在500～620℃进行第三阶段保温，使As升华形成砷蒸汽；再使提纯容器上、下部分温区按照不同的降温速率降温到300～460℃，使砷蒸汽可以缓慢凝结成晶体并长大，形成高纯砷晶体，同时砷原料表面及内部的As2O3仍然保持气体状态，并随保护气排出容器，从而将砷原料内的氧化物分离出来。本发明方法工艺简单，成本低廉，且生产的砷晶体纯度高，呈现金属光泽，氧含量小于0.5ppm。
技术研发人员：董持衡;成者;涂畅;马衍伟
受保护的技术使用者：中国科学院电工研究所
技术研发日：2019.12.27
技术公布日：2020.03.27