1.一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有cu合金芯材、和形成于所述cu合金芯材的表面的pd被覆层，
所述接合线包含ge，相对于线整体，ge的浓度为0.011质量％以上1.5质量％以下。
2.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于所述线整体，ge的浓度为0.025质量％以上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于所述线整体，ge的浓度为0.031质量％以上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于所述线整体，ge的浓度为0.050质量％以上。
5.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于所述线整体，ge的浓度为1.4质量％以下。
6.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于所述线整体，ge的浓度为1.3质量％以下。
7.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述pd被覆层的厚度为0.015μm以上0.150μm以下。
8.根据权利要求7所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述pd被覆层的厚度为0.02μm以上。
9.根据权利要求7所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述pd被覆层的厚度为0.025μm以上。
10.根据权利要求7所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述pd被覆层的厚度为0.140μm以下。
11.根据权利要求7所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述pd被覆层的厚度为0.130μm以下。
12.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述pd被覆层上还具有包含au和pd的合金表皮层。
13.根据权利要求12所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述包含au和pd的合金表皮层的厚度为0.0005μm以上0.050μm以下。
14.根据权利要求13所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述包含au和pd的合金表皮层的厚度为0.001μm以上。
15.根据权利要求13所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述包含au和pd的合金表皮层的厚度为0.002μm以上。
16.根据权利要求13所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述包含au和pd的合金表皮层的厚度为0.045μm以下。
17.根据权利要求13所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述包含au和pd的合金表皮层的厚度为0.040μm以下。
18.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还包含选自ni、ir、pt之中的1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为0.011质量％以上1.2质量％以下。
19.根据权利要求18所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还包含选自ni、ir、pt之中的1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为0.02质量％以上。
20.根据权利要求18所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还包含选自ni、ir、pt之中的1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为0.05质量％以上。
21.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述cu合金芯材包含pd，所述cu合金芯材中所含有的pd的浓度为0.05质量％以上1.2质量％以下。
22.根据权利要求21所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述cu合金芯材包含pd，所述cu合金芯材中所含有的pd的浓度为0.1质量％以上。
23.根据权利要求21所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述cu合金芯材包含pd，所述cu合金芯材中所含有的pd的浓度为0.2质量％以上。
24.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还包含选自b、p、mg之中的至少1种元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为1质量ppm以上100质量ppm以下。
25.根据权利要求24所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还包含选自b、p、mg之中的至少1种元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为3质量ppm以上。
26.根据权利要求24所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还包含选自b、p、mg之中的至少1种元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为5质量ppm以上。
27.根据权利要求24所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还包含选自b、p、mg之中的至少1种元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为95质量ppm以下。
28.根据权利要求24所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还包含选自b、p、mg之中的至少1种元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为90质量ppm以下。
29.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在测定所述接合线表面的晶体取向时所得到的测定结果中，所述接合线长度方向的晶体取向之中、相对于长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜111＞的存在比率为30％以上100％以下。
30.根据权利要求29所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线长度方向的晶体取向之中、相对于长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜111＞的存在比率为35％以上。
31.根据权利要求29所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线长度方向的晶体取向之中、相对于长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜111＞的存在比率为40％以上。
32.根据权利要求1～31的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述接合线的最表面存在cu。