1.本发明涉及纳米铜制备领域，特别涉及一种高导电高耐候改性纳米铜工艺。
背景技术：
2.随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，多层片式陶瓷电容也以惊人的速度向前发展，每年以10％～15％的速度递增。世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70％出自日本，其次是欧美和东南亚(含中国)。随着多层片式陶瓷电容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。聚合物电容是采用高电导率的聚合物材料作为阴极的片式叠层铝电解电容器，具有超越现有液体片式铝电解电容器和固体片式钽电解电容器的卓越电性能。聚合物电容在额定电压范围内，无需降压使用，具有极低的等效串联电阻(esr)，降低纹波电压能力强，允许通过更大纹波电流。聚合物片式叠层铝电解电容器在高频下，阻抗曲线呈现近似理想电容器特性。在频率变化情况下，电容量非常稳定。此类电容器主要应用于主板(笔记本电脑、平板显示器、数字交换机)旁路去耦/储能滤波电容、开关电源、dc/dc变换器、高频噪声抑制电路及便携式电子设备等，目前已开始逐渐成为市场主流发展趋势。纳米铜粉为紫褐色或紫黑色粉末，可用于制造高电导率的聚合物材料。随着人们对电子产品轻薄、超小等要求的逐渐提高，微电子部件的需求量日益俱增，高导电高耐候纳米铜粉的市场前景广阔。
3.介电材料又称电介质，是电的绝缘材料，主要用于制造电容器介电材料要求材料的电阻率高，介电常量大。介电材料种类很多，重要的有金红石瓷，含二氧化钛的复合氧化物陶瓷，如钛酸钙、钛酸镁、钛酸钡等。随着近年来电子设备日新月异的发展，广泛使用的电容器向高储能、小型化以及有利于环保的方向发展。尽管陶瓷电介质材料具有非常优异的介电性能，但是多层陶瓷电容器在制造过程中需要丝网电极进行共烧，耗能大，工艺复杂，而且这种介质材料的柔韧性差，在经受机械撞击或者剧烈的温度变化时可能产生裂纹，影响了电容器的使用。在聚合物中加入少量导电粒子至接近材料的渗流阈值，便可以迅速增加其介电常数。聚合物电容是采用高电导率的聚合物材料作为阴极的片式叠层铝电解电容器，具有超越现有液体片式铝电解电容器和固体片式钽电解电容器的卓越电性能。聚合物电容在额定电压范围内，无需降压使用，具有极低的等效串联电阻(esr)，降低纹波电压能力强，允许通过更大纹波电流。聚合物片式叠层铝电解电容器在高频下，阻抗曲线呈现近似理想电容器特性。在频率变化情况下，电容量非常稳定。此类电容器主要应用于主板(笔记本电脑、平板显示器、数字交换机)旁路去耦/储能滤波电容、开关电源、dc/dc变换器、高频噪声抑制电路及便携式电子设备等。
4.铜粉具有良好的导电性和价格上的优势，但与传统贵金属电极材料、相比存在一个明显的缺点，超细铜粉易被氧化，而且粒径越小越易氧化，大于500nm的铜粉常温下在空气中可以稳定存在，而小于500nm的铜粉能在空气中氧化，在高温下更容易被氧化，提高铜粉抗氧化性的一主要途径是铜粉的表面包覆改性，即将铜粉包覆一层其他物质，保护铜粉
在烧结过程中不被氧化，铜粉在烧结后互相连通形成一个整体。常用的改性方法是将铜粉包覆一层银，这样的双金属粉既具有良好的导电性又具有较高的抗氧化性，而成本较高，改性后的性能也不太理想。
技术实现要素：
5.本发明的目的在于提供一种高导电高耐候改性纳米铜工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高导电高耐候改性纳米铜工艺，包括如下制备步骤：
7.s101：将固定比例的l
‑
半胱氨酸、低聚聚酰胺、对甲苯酸酸水化合物混入甲苯中，并进行油浴处理，得低聚物聚酰胺
‑
l
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半胱氨酸配体；
8.s102：按照比例将纳米铜粉分散在乙醇溶液中，并加入低聚物聚酰胺
‑
l
‑
半胱氨酸配体进行搅拌，使其对纳米铜粒子进行表面改性，并经通风挥发及烘干制备成块状改性纳米铜；
9.s103：采用精密球磨机对进行块状改性纳米铜精密研磨处理，经筛分装置筛分以提高改性纳米铜粒径均匀度，制备高纯度超细均匀改性纳米铜粉末。
10.优选的，所述s101中l
‑
半胱氨酸、低聚聚酰胺、对甲苯酸酸水化合物混入甲苯中后进行油浴的温度为100℃
‑
260℃，且油浴的时间为2h
‑
2.5h。
11.优选的，所述s101中l
‑
半胱氨酸、低聚聚酰胺、对甲苯酸酸水化合物按照1∶1∶1、1∶2∶1和1∶1∶2比例进行配置。
12.优选的，所述s102中纳米铜粉和乙醇溶液按照1∶1、1∶2和2∶1比例进行配置。
13.优选的，所述纳米铜粉和乙醇溶液在200
‑
500r/min转速下机械搅拌至分散均匀，搅拌的时间为30min
‑
45min。
14.优选的，所述加入低聚物聚酰胺
‑
l
‑
半胱氨酸配体进行搅拌的时候使得配置而成的溶液形成纳米铜的乙醇悬浮液即可。
15.本发明的技术效果和优点：本发明通过在l
‑
半胱氨酸、低聚聚酰胺、对甲苯酸酸水化合物混入甲苯中，并进行油浴处理后得到的低聚物聚酰胺
‑
l
‑
半胱氨酸配体与纳米铜粉分散在乙醇溶液后经过改性后得到的纳米铜，其抗氧化性和导电性高不比包覆银的性能低，而且经济实用，降低了生产成本，适合大量的生产，
具体实施方式
16.对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
17.本发明提供了一种高导电高耐候改性纳米铜工艺，
18.实施例一：包括如下制备步骤：
19.s101：将固定比例1∶1∶1的l
‑
半胱氨酸、低聚聚酰胺、对甲苯酸酸水化合物混入甲苯中，并进行油浴处理，得低聚物聚酰胺
‑
l
‑
半胱氨酸配体；
20.s102：按照比例1∶1将纳米铜粉分散在乙醇溶液中，并加入低聚物聚酰胺
‑
l
‑
半胱
氨酸配体进行搅拌，使其对纳米铜粒子进行表面改性，并经通风挥发及烘干制备成块状改性纳米铜；
21.s103：采用精密球磨机对进行块状改性纳米铜精密研磨处理，经筛分装置筛分以提高改性纳米铜粒径均匀度，制备高纯度超细均匀改性纳米铜粉末。
22.实施例二：包括如下制备步骤：
23.s101：将固定比例1∶2∶1的l
‑
半胱氨酸、低聚聚酰胺、对甲苯酸酸水化合物混入甲苯中，并进行油浴处理，得低聚物聚酰胺
‑
l
‑
半胱氨酸配体；
24.s102：按照比例1∶2将纳米铜粉分散在乙醇溶液中，并加入低聚物聚酰胺
‑
l
‑
半胱氨酸配体进行搅拌，使其对纳米铜粒子进行表面改性，并经通风挥发及烘干制备成块状改性纳米铜；
25.s103：采用精密球磨机对进行块状改性纳米铜精密研磨处理，经筛分装置筛分以提高改性纳米铜粒径均匀度，制备高纯度超细均匀改性纳米铜粉末
26.实施例三：包括如下制备步骤：
27.s101：将固定比例1∶1∶2的l
‑
半胱氨酸、低聚聚酰胺、对甲苯酸酸水化合物混入甲苯中，并进行油浴处理，得低聚物聚酰胺
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l
‑
半胱氨酸配体；
28.s102：按照比例2∶1将纳米铜粉分散在乙醇溶液中，并加入低聚物聚酰胺
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l
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半胱氨酸配体进行搅拌，使其对纳米铜粒子进行表面改性，并经通风挥发及烘干制备成块状改性纳米铜；
29.s103：采用精密球磨机对进行块状改性纳米铜精密研磨处理，经筛分装置筛分以提高改性纳米铜粒径均匀度，制备高纯度超细均匀改性纳米铜粉末
30.s101中l
‑
半胱氨酸、低聚聚酰胺、对甲苯酸酸水化合物混入甲苯中后进行油浴的温度为100℃
‑
260℃，且油浴的时间为2h
‑
2.5h。
31.纳米铜粉和乙醇溶液在200
‑
500r/min转速下机械搅拌至分散均匀，搅拌的时间为30min
‑
45min。
32.加入低聚物聚酰胺
‑
l
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半胱氨酸配体进行搅拌的时候使得配置而成的溶液形成纳米铜的乙醇悬浮液即可。
33.综合所示，当1∶2∶1的l
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半胱氨酸、低聚聚酰胺、对甲苯酸酸水化合物混入甲苯制得的低聚物聚酰胺
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l
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半胱氨酸配体，按照比例2∶1将纳米铜粉分散在乙醇溶液中后与低聚物聚酰胺
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l
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半胱氨酸配体搅拌最后得到的纳米铜的介电损耗：≤0.08tg，介电常数：≥32εr。
34.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。