真空镀铝机除静电装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明具体涉及一种悬浮式真空镀铝机除静电纹装置。
【背景技术】
[0002]悬浮式真空镀铝机是在真空状态下，将铝金属加热熔融，蒸发的铝蒸汽凝结在膜面上，形成镀铝层的一种高效镀铝设备。其主要部件为放卷装置、收卷装置、真空蒸发室，真空蒸发室底部设有蒸发舟和铝丝送入装置，放卷装置和收卷装置之间设有多个导辊，技术人员发现每隔一段时间，膜上就会出现静电纹，影响产品质量，经过研宄发现，这是由于膜在放卷、收卷过程中，与导辊摩擦产生静电，静电沿着熔化的铝蒸汽放电造成镀铝时产生静电纹，如何在不让静电沿铝分子放电产生的静电纹消除成为技术人员亟需解决的技术问题。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于解决现有技术悬浮式真空镀铝机在镀铝时，膜上会产生静电，造成镀铝时出现静电纹，影响产品质量的缺陷，提供一种真空镀铝机除静电装置，其利用电阻低、等电位接地的电缆对真空镀铝机的导辊进行接地处理，在蒸镀区域铝蒸汽的电阻值大于蒸镀前的电阻值，提前将产生的静电消除，防止出现静电纹，影响产品质量。
[0004]本发明是通过如下技术方案来实现的:
[0005]即一种真空镀铝机除静电装置，包括放卷装置、收卷装置和蒸发舟，放卷装置和收卷装置之间设有多个导辊，其特征在于导辊的一端或两端均设有导静电导线，上述所有导静电导线均接地。
[0006]作为本发明的一个优选方案:导静电导线为120m2铜电缆。导静电导线的原则是电阻值要低，并不局限于120m2铜电缆一种。
[0007]作为本发明的一个优选方案:导静电导线的接地端连接在蒸发舟和卷绕导辊的底座上，并且接地。
[0008]上述方案利用电阻低、等电位接地的电缆对真空镀铝机的导辊进行接地处理，在蒸镀区域铝蒸汽的电阻值大于蒸镀前的电阻值，提前将产生的静电消除，防止出现静电纹，影响产品质量。
[0009]本发明的原理如下:
[0010]膜与导辊摩擦产生静电不可避免，为了防止静电随膜进入真空蒸发室内，本发明将120m2铜电缆接在各个导辊的端部，然后接地，由于将120m 2铜电缆的阻值远小于铝分子的电阻，因此膜与导辊摩擦产生的静电会优先通过电阻值低的120m2铜电缆接地，这样在镀铝时膜上就不会出现静电纹。
[0011]本发明具有结构简单、使用安全方便、寿命长的优点。本发明不改变原有真空镀铝机的结构，只是在其导辊的端部接导静电导线，然后将导静电导线接地即可，结构简单，安装后长期有效，免维护，使用寿命长，除静电效果好。
【附图说明】
[0012]图1为本发明实施例1的结构示意图；
[0013]图2为本发明实施例2的结构示意图。
[0014]如图中所示:1.蒸发舟；2.导辊；3.膜；4.放卷装置；5.收卷装置；6.导静电导线。
【具体实施方式】
[0015]实施例1
[0016]如图1所示:放卷装置4和收卷装置5之间设有多个导辊2，膜3绕过各导辊2，水平的悬在蒸发舟I的上方，每个导辊2的端部均设有导静电导线6，所述导静电导线6为120m2铜电缆，蒸发舟I上方左侧的导辊2统一接地处理，右侧的导辊2统一接地处理。
[0017]本实施例中，膜3与导辊2摩擦产生的静电会优先通过电阻值低的120m2铜电缆接地，这样在镀铝时膜3上就不会出现静电纹。
[0018]实施例2
[0019]如图2所示:蒸发舟I上方左侧导辊2的120m2铜电缆与右侧导辊2的120m2铜电缆并联后连接在蒸发舟的外壳上，蒸发舟的外壳接地。其他同实施例1。
[0020]本实施例利用电阻低、等电位接地的120m2铜电缆对真空镀铝机的导辊进行接地处理，在蒸镀区域铝蒸汽的电阻值大于蒸镀前的电阻值，提前将产生的静电消除，防止出现静电纹。
【主权项】
1.一种真空镀铝机除静电装置，包括放卷装置、收卷装置和蒸发舟，放卷装置和收卷装置之间设有多个导辊，其特征在于导辊的一端或两端均设有导静电导线，上述所有导静电导线均接地。
2.根据权利要求1所述的真空镀铝机除静电装置，其特征在于导静电导线为120m2铜电缆。
3.根据权利要求1所述的真空镀铝机除静电装置，其特征在于导静电导线的接地端连接在蒸发舟的底座上，蒸发舟的底座接地。
【专利摘要】本发明具体涉及一种真空镀铝机除静电装置，包括放卷装置、收卷装置和蒸发舟，放卷装置和收卷装置之间设有多个导辊，其特征在于导辊的一端或两端均设有导静电导线，上述所有导静电导线均接地。本发明具有结构简单、使用安全方便、寿命长的优点。本发明不改变原有真空镀铝机的结构，只是在其导辊的端部接导静电导线，然后将导静电导线接地即可，结构简单，安装后长期有效，免维护，使用寿命长，除静电效果好。
【IPC分类】C23C14-14, C23C14-24
【公开号】CN104561904
【申请号】CN201410829462
【发明人】田宜谨, 曹连忠, 李学迪, 巩向泽, 田茂银, 杜培彬
【申请人】山东泰宝包装制品有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月26日