方法可与任何种类的基板搭配使用来形成薄膜。在一个实施例中，基板可包括液晶显示器(LCD)。在基板是液晶显示器(IXD)的同一实施例中，在基板上形成薄膜可包括在液晶显示器(IXD)上形成绝缘层。在另一个实施例中，等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)可用于在液晶显示器(LCD)上形成绝缘层。
[0031]参见图16，示出了用于在基板上形成薄膜的实施例的流程图。如上所述，第一操作400可包括提供工艺腔室310。第二操作402可包括使包含氟的第一气体320流入以清洁工艺腔室310。第三操作404可包括使第二气体322在第一持续时间期间流入以用具有非晶硅的第一包封层350涂覆工艺腔室310，其中第一包封层抵抗氟污染。第四操作406可包括将基板300加载到工艺腔室310中。第五操作408可包括使第三气体324流入工艺腔室310中以在基板300上沉积薄膜370。最后的操作410可包括从工艺腔室310卸载基板300。
[0032]图17示出了用于在太阳能电池上形成氮化硅膜的实施例的流程图。如上所述，第一操作420可包括提供工艺腔室310。第二操作422可包括使含有氟的第一气体320流入以清除工艺腔室310中的过量氮化硅(SiN) 330。第三操作424可包括使第二气体322在第一持续时间期间流入以用非晶硅涂覆工艺腔室，其中非晶硅形成第一包封层350以抵抗氟污染。第四操作426可包括在工艺腔室310中加载太阳能电池300。第五操作428可包括通过等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)在太阳能电池300上沉积氮化硅膜370。最后的操作430可包括从工艺腔室310卸载太阳能电池300。
[0033]参见图18，示出了用于在太阳能电池上形成氮化硅膜的实施例的流程图。如上所述，第一操作440可包括提供工艺腔室310和太阳能电池300，该太阳能电池具有被构造为在正常工作期间面向太阳的正面和与正面相对的背面。第二操作442可包括使三氟化氮(NF3)气体320流入以清除工艺腔室310中的过量氮化硅(SiN) 330。第三操作444可包括使硅烷(SiH4)气体322流入最多5分钟以用非晶硅涂覆工艺腔室，其中非晶硅形成第一包封层350以抵抗氟污染。第四操作446可包括在工艺腔室310中加载太阳能电池300。第五操作448可包括通过硅烷(SiH4)、氨气(NH3)和氮气(N2)气体的等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)在太阳能电池300的正面上沉积包括氮化硅(SiN)膜的抗反射涂层(ARC)层370。最后的操作450可包括从工艺腔室310卸载太阳能电池300。
[0034]虽然前面的详细描述已展示至少一个示例性实施例，但应当理解，还存在大量的变型形式。还应当理解，本文所述的一个或多个示例性实施例并不旨在以任何方式限制要求保护的主题的范围、适用性或构型。相反，上述详细说明将为本领域的技术人员提供实施所述一个或多个实施例的方便的操作路径图。应当理解，可在不脱离权利要求书所限定的范围(其包括提交本专利申请时已知的等同物和可预知的等同物)的情况下对元件的功能和布置方式进行多种改变。
【主权项】
1.一种用于在基板上形成薄膜的方法，包括: 通过使包含氟的第一气体流入工艺腔室中来清洁所述工艺腔室； 通过使第二气体在第一持续时间期间流入所述工艺腔室中来用包含非晶硅的第一包封层涂覆所述工艺腔室，其中所述第一包封层抵抗氟污染； 在用所述第一包封层涂覆所述工艺腔室之后，将基板加载到所述工艺腔室中； 通过使第三气体流入所述工艺腔室中来在所述基板上沉积薄膜；然后 从所述工艺腔室卸载所述基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜是氮化硅(SiN)膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一气体包含三氟化氮(NF3)。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二气体包含硅烷(SiH4)。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三气体包括选自硅烷(SiH4)、氨气(NH3)和氮气(N2)的气体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一持续时间为在0.5至5分钟的范围内。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板是太阳能电池。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述基板上形成薄膜的步骤包括在所述太阳能电池上形成包括氮化硅膜的抗反射涂层(ARC)。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板是液晶显示器(LCD)。
10.根据权利要求9所述的方法，其中在液晶显示器(LCD)上形成薄膜的步骤包括在液晶显示器(IXD)上形成绝缘层。
11.一种用于在太阳能电池上形成氮化硅膜的方法，所述方法包括: 通过使包含氟的第一气体流入工艺腔室中来清洁所述工艺腔室，以去除过量氮化硅(SiN)； 通过使第二气体在第一持续时间期间流入所述工艺腔室中来用非晶硅涂覆所述工艺腔室，其中非晶硅形成抵抗氟污染的第一包封层； 在所述工艺腔室中加载太阳能电池； 通过等离子体增强型化学气相沉积来在所述太阳能电池上沉积氮化硅膜；然后 从所述工艺腔室卸载所述太阳能电池。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一气体包含三氟化氮(NF3)。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二气体包含硅烷(SiH4)。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第三气体包括选自硅烷(SiH4)、氨气(NH3)和氮气(N2)的气体。
15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一持续时间为在0.5至5分钟的范围内。
16.根据权利要求11所述的方法，其中非晶硅形成厚度为在0.05至0.5微米的范围内的第一包封层。
17.—种用于在太阳能电池上形成氮化硅膜的方法，所述太阳能电池具有被构造为在正常工作期间面向太阳的正面和与所述正面相对的背面，并且所述方法包括: 通过使三氟化氮(NF3)气体流入来清洁工艺腔室，以去除过量氮化硅(SiN)； 通过使硅烷(SiH4)气体流入所述工艺腔室中最多5分钟，来用非晶硅涂覆所述工艺腔室，其中所述非晶硅形成抵抗氟污染的第一包封层； 在所述工艺腔室中加载太阳能电池； 通过硅烷(SiH4)、氨气(NH3)和氮气(N2)气体的等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)来在所述太阳能电池的所述正面上沉积包括氮化硅(SiN)膜的抗反射涂层(ARC);然后从所述工艺腔室卸载所述太阳能电池。
18.根据权利要求17所述的方法，其中在太阳能电池的正面上形成氮化硅(SiN)膜的步骤包括在太阳能电池的背面上形成抗反射涂层(BARC)。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述太阳能电池包括选自下述的太阳能电池:背接触式太阳能电池、前接触式太阳能电池、单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池、薄膜硅太阳能电池、铜铟镓砸化合物(CIGS)太阳能电池和碲化镉太阳能电池。
20.根据权利要求17所述的方法，其中非晶硅形成厚度为在0.05至0.5微米的范围内的第一包封层。
【专利摘要】本发明公开了用于在基板上形成薄膜的方法。所述方法包括通过使含有氟的第一气体流入来清洁工艺腔室(402)。所述方法还包括通过使第二气体在第一持续时间期间流入来用包含非晶硅(A-Si)的第一包封层涂覆所述工艺腔室，其中所述第一包封层抵抗氟污染(404)。所述方法还包括将基板加载到所述工艺腔室中(406)，通过使第三气体流入所述工艺腔室中来在所述基板上沉积薄膜(408)，然后从所述工艺腔室卸载所述基板(410)。所述薄膜可包含氮化硅(SiN)，所述第一气体可包括三氟化氮(NF3)气体，并且第二气体可包括硅烷(SiH4)气体。所述薄膜可使用等离子体增强型化学气相沉积来形成。所述基板可为太阳能电池或液晶显示器(LCD)。
【IPC分类】C23C16-00
【公开号】CN104769152
【申请号】CN201380058277
【发明人】黄佳艺, 托马斯·邱
【申请人】太阳能公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2013年9月27日
【公告号】US8877617, US20140087496, WO2014052747A2, WO2014052747A3