刻的方式将未受保护的区域去除以形成修整粒101，随后将掩膜200去除干净，得到抛光垫修整器的结构。
[0074]在本实施例中，修整粒101的形状可以为平头锥柱(如图3A所示)或尖头锥柱(如图3B所示)，也可为其他合适的形状。如图3A或图3B所示，修整粒的高度为h，并且，300 μ m>h>100μ m。
[0075]在本实施例中，修整粒在基板100上的分布为有规律的规则分布，例如，可以为区域性分布或整面分布。示例性地，修整粒的个数由中心向外圈递减或递增。其中，修整粒101的大小可以相同也可以不相同，示例性地，修整粒的粒径由基板的外圈向中心处递增。优选地,位于基板100的中心区域(中央区域)的修整粒的顶端高于其他区域的修整粒的顶端，具体地，可以为基板100的表面为平面，但修整粒的高度不一致；也可以为基板100的表面为具有弧度或多种层次的凸出面，而修整粒的高度一致。此时的修整粒在整体上具有多个高度不同的层次，其修整粒高低间隙可增加修整粒的有效运用。其中，在同一个抛光垫修整器上定义一种或多种的修整粒高度排列，可以将抛光垫修整出均匀且粗细相间的纤毛，其中，较高的修整粒(指顶端高的修整粒)能刺入抛光垫表面移除表面阻塞物且刮出较深的沟槽，可以提高抛光垫表面抛光浆的披覆量，而较低的修整粒(指顶端低的修整粒)则可以同时刮出较浅沟槽，使抛光垫表面得到均匀的细纤毛结构，而提高抛光效率。
[0076]在本实施例中，可以采用特定轴向的蓝宝石晶体(C-轴、V-轴、r-轴、a-轴、m_轴)作为基板(修整器基材)，经过刻蚀成型(形成修整粒)后，形成具有多种高度的修整粒的抛光垫修整器，其修整粒排列方式经特殊设计。
[0077]在进行研磨时，修整器抛光垫的表面一致化及提高修整器抛光垫的抛光效率是一直追求的目标，然而，均高的修整粒排列容易使修整的残屑滞留在抛光垫与抛光垫修整器的表面，不易藉由离心力排除而一直在修整碟内部循环、填塞空隙，因而会降低移除效率，且一致性的修整粒的尖端磨耗，接触面积增加，会导致需持续增加抛光垫修整器的下压力以维持整体修整力。而在本实施例中，当抛光垫修整器的基板100的形成修整粒的表面为凸出面(例如:具有弧度的凸出面或具有多个层次的凸出面)时，基板100的形状可以使得中心区域的修整粒101的顶端高于其他区域的修整粒的顶端，因此，在进行修整时，中央凸出部位的修整粒101可以刺入抛光垫的表面移除表面阻塞物且均匀刮出较深的沟槽，而外围的修整粒101亦可被利用；同时，如此非完全平面的设计，可以提高研磨时排除残屑的效率，避免平面结构的排屑不易的问题，进而提高修整抛光垫的效率。另外，如此之设计，使用时亦可用抛光垫修整器的中央部位抵住抛光垫，承受大部分力量，利用周边修整粒以层次的方式修整抛光垫表面，因而可以使抛光垫修整器的整体使用寿命得到提升。当然，只要位于基板100的中心区域(中央区域)的修整粒的顶端高于其他区域的修整粒的顶端(包括基板100的表面为平面、修整粒的高度不一致的情况)，就可以具有前述技术效果。
[0078]步骤A4:对基板100以及所述修整粒101进行热处理，以修复刻蚀造成的损伤。
[0079]当基板100为蓝宝石基板时，在步骤A3进行蚀刻制程的过程中，包含了物理性及化学性去除氧化铝的机制，皆会造成基板100及修整粒101的损伤(包括:表面晶格缺陷、错位等情况)，导致表面所能承受的应力将会低于稳定的蓝宝石结构。因此，本步骤利用热处理制程修复刻蚀造成的损伤(即，将表面缺陷进行重组，使表面得到较稳定的晶格排序)，以提升抛光垫修整器表面所能承受应力和抛光垫修整器的寿命。
[0080]示例性地，本实施例的热处理制程包括:将基板100(8卩，已完成修整粒制作的蓝宝石抛光垫修整器)，置入高温炉以一定速率升温，升温至一预定温度(例如300-180(TC )后保持该温度若干时间(例如:1?10小时)，然后降温至室温。其中，不同的热处理温度将会对蓝宝石表面型态造成不同程度的改变，具体可以根据实际需要进行选择，此处并不进行限定。
[0081 ] 本发明实施例的抛光垫修整器的制造方法制得的抛光垫修整器，由于通过在基板100上刻蚀形成修整粒，因此，修整粒101与基板100为一体结构，与现有技术相比，具有修整粒不容易脱落的优点，可以提高抛光垫修整器的使用寿命，并提高抛光良率。
[0082]此外，当位于基板100的中心区域(中央区域)的修整粒的顶端高于其他区域的修整粒的顶端时,在进行修整时，中央凸出部位的修整粒101可以刺入抛光垫的表面移除表面阻塞物且均匀刮出较深的沟槽，而外围的修整粒101亦可被利用；同时，这一设计还可以提高研磨时排除残屑的效率，避免修整粒顶端高度一致的结构的排屑不易的问题，进而提高修整抛光垫的效率。
[0083]参照图6，其中示出了本发明实施例的抛光垫修整器的制造方法中的一种典型方法的流程图，用于简要示出整个制造工艺的流程。具体包括:
[0084]步骤SlOl:提供用于制备抛光垫修整器的基板；
[0085]步骤S102:在所述基板的用于形成修整粒的表面上形成掩膜；
[0086]步骤S103:对所述基板进行刻蚀以在所述基板上形成修整粒，去除所述掩膜。
[0087]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种抛光垫修整器，其特征在于，包括基板与位于所述基板的工作面之上并突出所述工作面的多个修整粒，其中，所述修整粒与所述基板为一体结构。2.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述修整粒在所述基板上规则排列，并且所述修整粒的顶端具有至少两个层次。3.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于，位于所述基板的中心区域的所述修整粒的顶端高于位于其他区域的所述修整粒的顶端。4.如权利要求1所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述基板的所述工作面为平面，或具有弧度的凸出面，或具有至少两个阶层的凸出面。5.如权利要求1至4任一项所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述基板的所述工作面为具有弧度的凸出面，其中，所述基板的边缘区域与中央区域的高度差为R，并且，300 μ m>S>100μ mD6.如权利要求1至4任一项所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述基板的所述工作面为具有至少两个阶层的凸出面，其中，相邻的不同阶层的高度差为S，并且，50 μ m>S>10 μ m。7.如权利要求1至4任一项所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述基板的所述工作面为具有至少两个阶层的凸出面，其中所述阶层的数量范围为3-10。8.如权利要求1至4任一项所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述修整粒的数量由中心向外圈递减或递增。9.如权利要求1至4任一项所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述修整粒的形状包括平头锥柱或尖头锥柱；和/或，所述修整粒的高度范围为100-300 μ m。10.如权利要求1至4任一项所述的抛光垫修整器，其特征在于，所述基板与所述修整粒的材料为蓝宝石。11.一种抛光垫修整器的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 步骤SlOl:提供用于制备抛光垫修整器的基板； 步骤S102:在所述基板的用于形成修整粒的表面上形成掩膜； 步骤S103:对所述基板进行刻蚀以在所述基板上形成修整粒，去除所述掩膜。12.如权利要求11所述的抛光垫修整器的制造方法，其特征在于，所述基板为蓝宝石基板，并且，所述步骤SlOl包括: 步骤SlOll:将氧化铝原料经由高温炉进行熔料，藉由特定轴向晶种进行拉晶、冷却以完成氧化铝单晶的生长，形成晶棒； 步骤S1012:沿特定轴向对所述晶棒进行切片，形成基板； 步骤S1013:对所述基板的表面进行修整。13.如权利要求11或12所述的抛光垫修整器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104: 对所述基板以及所述修整粒进行热处理，以修复刻蚀造成的损伤。14.如权利要求11或12所述的抛光垫修整器的制造方法，其特征在于，所述修整粒在所述基板上规则排列，并且所述修整粒的顶端具有至少两个层次。
【专利摘要】本发明涉及一种抛光垫修整器及其制造方法。本发明的抛光垫修整器，包括基板与位于所述基板的工作面之上并突出所述工作面的多个修整粒，其中，所述修整粒与所述基板为一体结构。该抛光垫修整器，由于修整粒与基板为一体结构，具有修整粒不易脱落的优点，因而可以提高抛光垫修整器的使用寿命和抛光良率。本发明的抛光垫修整器的制造方法，用于制造该抛光垫修整器，制得的抛光垫修整器同样具有上述优点。
【IPC分类】B24B53/017
【公开号】CN104972398
【申请号】CN201410134362
【发明人】许孝平
【申请人】深圳市平华兴科技有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2014年4月3日