铜工艺品的压铸方法

文档序号:9698531阅读:1019来源:国知局
铜工艺品的压铸方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及铜工艺品的制作的领域,具体地,涉及铜工艺品的压铸方法。
【背景技术】
[0002]铜和铜合金的塑性加工,除应保证制品稳定一致的力学性能、尺寸公差和表面质量外,对要求具有深冲性能的铜材还要控制晶粒大小,如黄铜晶粒粗大,深冲时就会使广品表面出现“桔皮”。一般深冲工艺要求薄板晶粒尺寸为0.03?0.07毫米。为控制制品的晶粒度,冷加工时,应控制变形量和中间退火工艺制度;热加工时,要控制加热温度和终乳温度。终乳温度过高,卷取后晶粒将继续长大。这些质量要求靠工艺及装备来保证。
[0003]在现有的铜工艺品的压铸中,对于铜工艺品的压铸,无法将铜熔液平均分散到型腔的所有容腔中,那么设计一种保证铜熔液分散到型腔中的铜工艺品的压铸方法成为一种亟需解决的问题。

【发明内容】

[0004]本发明的目的是提供一种铜工艺品的压铸方法,该铜工艺品的压铸方法克服了现有技术中的铜工艺品的压铸过程中,无法将铜熔液平均分散到型腔的所有容腔中的问题,实现了将铜熔液平均分散到型腔的所有容腔中。
[0005]为了实现上述目的,本发明提供了一种铜工艺品的压铸方法,该铜工艺品的压铸方法包括:
[0006]步骤1,将铜熔化升温至1100-1200°C;
[0007]步骤2,将融化后的铜熔液在的加压加入预热后为350_450°C的型腔中,并在型腔的多个位置设置有多个铜熔液感应器,在多个所述铜熔液感应器都感应到所述铜熔液的情况下,输出触发信号;
[0008]步骤3,在接收到所述触发信号的情况下,执行将铜熔液压铸成为一体;
[0009]步骤4,在压铸成为一体之后,逐渐冷却至25°C得到铜工艺品。
[0010]优选地,在步骤1中,将铜熔化升温至1120-1160°C。
[0011]优选地,在铜熔液感应器感应到铜熔液的情况下,通过无线发射端发送无线触发信号,压铸成型机构接收无线触发信号,并执行压铸成型。
[0012]优选地,在步骤4中,逐渐冷却的方法包括:
[0013]依次通过第一真空冷却腔室、第二真空冷却腔室、第三真空冷却腔室和第四真空冷却腔室下逐渐冷却。
[0014]优选地,在步骤4中,所述第一冷却腔室的温度范围为500-800°C;所述第二冷却腔室的温度为300-400°C;所述第三冷却腔室的温度为100-200°C,所述第四真空冷却腔室的温度为25°C。
[0015]优选地,在步骤2中,对于融化后的铜熔液通过5_15Pa的压强加压加入预热后为350-450°C的型腔中。
[0016]优选地,在步骤2中,对于融化后的铜熔液通过10_12Pa的压强加压加入预热后为350-450°C的型腔中。
[0017]通过上述的铜工艺品的压铸方法,可以实现对铜熔液的感应,当铜熔液分散到型腔的多个位置的情况下,感应器可以感应到铜熔液,从而输出触发信号,表示可以压铸为一体了,那么就可以执行下一步的压铸,通过步骤4的逐渐冷却可以避免冷却过程中铜工艺品的损坏。
[0018]本发明的其他特征和优点将在随后的【具体实施方式】部分予以详细说明。
【附图说明】
[0019]附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的【具体实施方式】一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
[0020]图1是说明本发明的一种铜工艺品的压铸方法的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]以下结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
[0022]本发明提供一种铜工艺品的压铸方法,该铜工艺品的压铸方法包括:
[0023]步骤1,将铜熔化升温至1100_1200°C;
[0024]步骤2,将融化后的铜熔液在的加压加入预热后为350_450°C的型腔中,并在型腔的多个位置设置有多个铜熔液感应器,在多个所述铜熔液感应器都感应到所述铜熔液的情况下,输出触发信号;
[0025]步骤3,在接收到所述触发信号的情况下,执行将铜熔液压铸成为一体;
[0026]步骤4,在压铸成为一体之后,逐渐冷却至25°C得到铜工艺品。
[0027]通过上述的铜工艺品的压铸方法,可以实现对铜熔液的感应,当铜熔液分散到型腔的多个位置的情况下,感应器可以感应到铜熔液,从而输出触发信号,表示可以压铸为一体了,那么就可以执行下一步的压铸,通过步骤4的逐渐冷却可以避免冷却过程中铜工艺品的损坏。
[0028]上述的实施方式,可以避免铜熔液分散不均匀的问题,避免铜熔液在压铸的过程中出现空隙气泡等现象,可以让铜熔液压铸之后成为一个实习的整体,提高铜工艺品的质量。
[0029]以下结合附图1对本发明进行进一步的说明,在本发明中,为了提高本发明的适用范围,特别使用下述的【具体实施方式】来实现。
[0030]在本发明的一种【具体实施方式】中,在步骤1中,将铜熔化升温至1120_1160°C。通过上述的方式,可以对熔炼炉进行预加热,并且在这样的温度下,对铜熔液进行处理的效果可以更好。
[0031]在本发明的一种【具体实施方式】中,在铜熔液感应器感应到铜熔液的情况下,通过无线发射端发送无线触发信号,压铸成型机构接收无线触发信号,并执行压铸成型。通过无线信号的发送,一方面可以减少高温下传输器件的损耗,另一方面,可以对感应装置进行保护,避免高温情况下感应装置的损坏。
[0032]在本发明的一种【具体实施方式】中,在步骤4中,逐渐冷却的方法可以包括:
[0033]依次通过第一真空冷却腔室、第二真空冷却腔室、第三真空冷却腔室和第四真空冷却腔室下逐渐冷却。
[0034]通过多个真空冷却腔室实现多个过程的冷却避免一次性冷却后对于铜工艺品的损坏。
[0035]在该种实施方式中,在步骤4中,所述第一冷却腔室的温度范围为500-800°C;所述第二冷却腔室的温度为300-400°C;所述第三冷却腔室的温度为100-200°C,所述第四真空冷却腔室的温度为25°C。通过上述的第一冷却腔室、第二冷却腔室、第三冷却腔室和第四真空冷却腔室内的温度,可以实现逐渐冷却,进而将温度冷却为自然温度即25V。
[0036]在该种实施方式中,在步骤2中,对于融化后的铜熔液通过5_15Pa的压强加压加入预热后为1100-1200°C的型腔中。通过加压也可以让铜熔液分布扩散到型腔的所有腔室中。
[0037]在该种实施方式中,在步骤2中,对于融化后的铜熔液通过10_12Pa的压强加压加入预热后为1100-1200°C的型腔中。通过10-12Pa可以让铜熔液在型腔的腔室中分布的更加的均匀。
[0038]以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
[0039]另外需要说明的是,在上述【具体实施方式】中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
[0040]此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。
【主权项】
1.一种铜工艺品的压铸方法,其特征在于,该铜工艺品的压铸方法包括: 步骤1,将铜熔化升温至1100-1200°C; 步骤2,将融化后的铜熔液在的加压加入预热后为350-450°C的型腔中,并在型腔的多个位置设置有多个铜熔液感应器,在多个所述铜熔液感应器都感应到所述铜熔液的情况下,输出触发信号; 步骤3,在接收到所述触发信号的情况下,执行将铜熔液压铸成为一体; 步骤4,在压铸成为一体之后,逐渐冷却至25°C得到铜工艺品。2.根据权利要求1所述的铜工艺品的压铸方法,其特征在于,在步骤1中,将铜熔化升温至 1120-1160°C。3.根据权利要求1所述的铜工艺品的压铸方法,其特征在于,在铜熔液感应器感应到铜熔液的情况下,通过无线发射端发送无线触发信号,压铸成型机构接收无线触发信号,并执行压铸成型。4.根据权利要求1所述的铜工艺品的压铸方法,其特征在于,在步骤4中,逐渐冷却的方法包括: 依次通过第一真空冷却腔室、第二真空冷却腔室、第三真空冷却腔室和第四真空冷却腔室下逐渐冷却。5.根据权利要求4所述的铜工艺品的压铸方法,其特征在于,在步骤4中,所述第一冷却腔室的温度范围为500-800°C;所述第二冷却腔室的温度为300-400°C;所述第三冷却腔室的温度为100-200°C,所述第四真空冷却腔室的温度为25°C。6.根据权利要求1所述的铜工艺品的压铸方法,其特征在于,在步骤2中,对于融化后的铜熔液通过5_15Pa的压强加压加入预热后为350-450°C的型腔中。7.根据权利要求6所述的铜工艺品的压铸方法,其特征在于,在步骤2中,对于融化后的铜熔液通过10_12Pa的压强加压加入预热后为350-450°C的型腔中。
【专利摘要】本发明公开了铜工艺品的压铸方法,该铜工艺品的压铸方法包括:步骤1,将铜熔化升温至1100-1200℃;步骤2,将融化后的铜熔液加压加入预热后为350-450℃的型腔中,并在型腔的多个位置设置有多个铜熔液感应器,在多个所述铜熔液感应器都感应到所述铜熔液的情况下,输出触发信号;步骤3,在接收到所述触发信号的情况下,执行将铜熔液压铸成为一体;步骤4,在压铸成为一体之后,逐渐冷却至25℃得到铜工艺品。该铜工艺品的压铸方法实现了将铜熔液平均分散到型腔的所有容腔中。
【IPC分类】B22D17/00, B22D17/32
【公开号】CN105458209
【申请号】CN201510940384
【发明人】赵敏, 郭飞
【申请人】铜陵铜官府文化创意股份公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年12月15日
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