一种银镍-钨电触头材料的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种银镍?钨电触头材料，按百分比计包括，Ni?W粉含量为8～15％，银含量为85～92％；所述Ni?W粉按百分比计包括，纳米钨粉含量为1～5%，余量为常规Ni粉。本发明具有导电导热性能好、接触电阻低、抗烧损性能优良、易加工制造、成本低、抗耐磨性及电弧烧蚀优良的优点。
【专利说明】
一种银镍-钨电触头材料的制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及材料制备技术领域，尤其涉及一种银镍-钨电触头材料的制备方法。
【背景技术】
[0002]近几年银镍合金材料被广泛应用在电触头上，电触头是电器开关仪器仪表中非常重要的接触元件，主要担负着接通断开电路及承载电流的任务，低压配电与控制系统对自动化水平灵敏程度要求的提高，以及电子工业产品的更新换代都对电触头材料的性能提出了新的要求，银镍合金触头材料具有导电导热性能好、接触电阻低、易加工制造、成本低、适合大规模生产等优点，但抗耐磨性及电弧烧蚀比较差。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种具有导电导热性能好、接触电阻低、抗烧损性能优良、易加工制造、成本低、抗耐磨性及电弧烧蚀优良的银镍-钨电触头材料的制备方法。
[0004]为达到上述目的，本发明通过以下技术方案来实现。
[0005]—种银镍-钨电触头材料，按百分比计包括，N1-W粉含量为8?15%，银含量为85?92%；所述N1-W粉按百分比计包括，纳米钨粉含量为I?5%，余量为常规Ni粉。
[0006]—种银镍-钨电触头材料的制备方法，按以下工艺步骤制备:
步骤一，将常规Ni粉中加入I?5%纳米W粉，通过高速立体混粉机进行混合均匀；
步骤二，将混合均匀后的N1-W粉，置入银氨溶液中进行银包覆处理，再将粉体水洗至中性；
步骤三，将N1-W粉含量为8?15%，银含量为85?92%的配比的粉体手工混合后，置入V型混粉机中，进行机械合金化处理，得到混合均匀的合金粉体；
步骤四，将混合后的粉末进行烧结处理，烧结采用H2保护，烧结完成后在H2保护下冷却；
步骤五，将冷却后粉体进行等静压成型，按每批物料5?25Kg进行配料，将制得的锭坯烧结；
步骤六，通过正反向挤压机，挤压成丝材，再拉拨至成品规格线材。
[0007]其中，步骤一中，混粉机的频率为120?180转/分，混合时间为60-120分钟。
[0008]其中，步骤四中，烧结温度为400?600°C，烧结时间为I?4小时。
[0009]其中，步骤五中，锭坯烧结温度为750?850°C，烧结时间为2?3小时。
[0010]其中，步骤六中，挤压温度为750?900°C，挤压时间为2?8小时，挤压比为200?300倍。
[0011]本发明的有益效果为:本发明所述的一种银镍-钨电触头材料具有导电导热性能好、接触电阻低、抗烧损性能优良、易加工制造、成本低、抗耐磨性及电弧烧蚀优良的优点。
【具体实施方式】
[0012]下面结合具体的实施方式来对本发明进行说明。
[0013]实施例一
取原料用量，N1-W粉含量为8%，银含量为92% ;所述N1-W粉按百分比计包括，纳米钨粉含量为5%，常规Ni粉含量为95%，按25KG配制。
[0014]步骤一，将常规Ni粉中加入5%纳米W粉，通过高速立体混粉机进行混合均匀，频率为180转/分，混合时间为120分钟；
步骤二，将混合均匀后的N1-W粉，置入银氨溶液中进行银包覆处理，再将粉体水洗至中性；
步骤三，将粉体手工混合后，置入V型混粉机中，进行机械合金化处理，得到混合均匀的合金粉体；
步骤四，将混合后的粉末采用600°C、1小时的烧结处理，烧结采用H2保护，烧结完成后在H2保护下冷却；
步骤五，将冷却后粉体进行等静压成型，将制得的锭坯烧结，锭坯烧结温度为8500C，烧结时间为2小时；
步骤六，通过正反向挤压机，挤压成丝材，挤压温度为900°C，挤压时间为2小时，挤压比为300倍，再拉拨至成品规格线材。
[0015]实施例一得到的成品的材料具有导电导热性能好、接触电阻低、抗烧损性能优良、抗耐磨性及电弧烧蚀优良，其材料的密度2 10.25g/cm3，电阻率< 1.95μΩ.cm，硬度2850MPa，抗拉强度为260-380MPa，延伸率为8_30%。
[0016]实施例二
取原料用量，N1-W粉含量为15%，银含量为85% ;所述N1-W粉按百分比计包括，纳米钨粉含量为1%，常规Ni粉含量为99%，按5KG配制。
[0017]步骤一，将常规Ni粉中加入1%纳米W粉，通过高速立体混粉机进行混合均匀，频率为180转/分，混合时间为120分钟；
步骤二，将混合均匀后的N1-W粉，置入银氨溶液中进行银包覆处理，再将粉体水洗至中性；
步骤三，将粉体手工混合后，置入V型混粉机中，进行机械合金化处理，得到混合均匀的合金粉体；
步骤四，将混合后的粉末采用400°C、4小时的烧结处理，烧结采用H2保护，烧结完成后在H2保护下冷却；
步骤五，将冷却后粉体进行等静压成型，将制得的锭坯烧结，锭坯烧结温度为7500C，烧结时间为3小时；
步骤六，通过正反向挤压机，挤压成丝材，挤压温度为750°C，挤压时间为8小时，挤压比为200倍，再拉拨至成品规格线材。
[0018]实施例二得到的成品的材料具有导电导热性能好、接触电阻低、抗烧损性能优良、抗耐磨性及电弧烧蚀优良，其材料的密度2 10.05g/cm3，电阻率<2.15μΩ.cm，硬度2800MPa，抗拉强度为240-350MPa，延伸率为5_30%。
[0019]实施例三
取原料用量，N1-W粉含量为10%，银含量为90% ;所述N1-W粉按百分比计包括，纳米钨粉含量为2%，常规Ni粉含量为98%，按1KG配制。
[0020]步骤一，将常规Ni粉中加入2%纳米W粉，通过高速立体混粉机进行混合均匀，频率为180转/分，混合时间为120分钟；
步骤二，将混合均匀后的N1-W粉，置入银氨溶液中进行银包覆处理，再将粉体水洗至中性；
步骤三，将粉体手工混合后，置入V型混粉机中，进行机械合金化处理，得到混合均匀的合金粉体；
步骤四，将混合后的粉末采用450°C、3小时的烧结处理，烧结采用H2保护，烧结完成后在H2保护下冷却；
步骤五，将冷却后粉体进行等静压成型，将制得的锭坯烧结，锭坯烧结温度为7800C，烧结时间为2.3小时；
步骤六，通过正反向挤压机，挤压成丝材，挤压温度为800°C，挤压时间为4小时，挤压比为230倍，再拉拨至成品规格线材。
[0021]实施例三得到的成品的材料具有导电导热性能好、接触电阻低、抗烧损性能优良、抗耐磨性及电弧烧蚀优良，其材料的密度2 10.15g/cm3，电阻率<2.05μΩ.cm，硬度2850MPa，抗拉强度为250-360MPa，延伸率为6_30%。
[0022]实施例四
取原料用量，N1-W粉含量为12%，银含量为88% ;所述N1-W粉按百分比计包括，纳米钨粉含量为4%，常规Ni粉含量为96%，按20KG配制。
[0023]步骤一，将常规Ni粉中加入4%纳米W粉，通过高速立体混粉机进行混合均匀，频率为180转/分，混合时间为120分钟；
步骤二，将混合均匀后的N1-W粉，置入银氨溶液中进行银包覆处理，再将粉体水洗至中性；
步骤三，将粉体手工混合后，置入V型混粉机中，进行机械合金化处理，得到混合均匀的合金粉体；
步骤四，将混合后的粉末采用550°C、2小时的烧结处理，烧结采用H2保护，烧结完成后在H2保护下冷却；
步骤五，将冷却后粉体进行等静压成型，将制得的锭坯烧结，锭坯烧结温度为8200C，烧结时间为2.7小时；
步骤六，通过正反向挤压机，挤压成丝材，挤压温度为850°C，挤压时间为6小时，挤压比为270倍，再拉拨至成品规格线材。
[0024]实施例一得到的成品的材料具有导电导热性能好、接触电阻低、抗烧损性能优良、抗耐磨性及电弧烧蚀优良，其材料的密度2 10.20g/cm3，电阻率<2.05μΩ.cm，硬度2850MPa，抗拉强度为250-360MPa，延伸率为6_30%。
[0025]以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【主权项】
1.一种银镍-钨电触头材料，其特征在于:按百分比计包括，N1-W粉含量为8?15 %，银含量为85?92% ； 所述N1-W粉按百分比计包括，纳米钨粉含量为I?5%，余量为常规Ni粉。2.—种制备权利要求1所述的银镍-钨电触头材料的方法，其特征在于:按以下工艺步骤制备: 步骤一，将常规Ni粉中加入I?5%纳米W粉，通过高速立体混粉机进行混合均匀； 步骤二，将混合均匀后的N1-W粉，置入银氨溶液中进行银包覆处理，再将粉体水洗至中性； 步骤三，将N1-W粉含量为8?15%，银含量为85?92%的配比的粉体手工混合后，置入V型混粉机中，进行机械合金化处理，得到混合均匀的合金粉体； 步骤四，将混合后的粉末进行烧结处理，烧结采用H2保护，烧结完成后在H2保护下冷却； 步骤五，将冷却后粉体进行等静压成型，按每批物料5?25Kg进行配料，将制得的锭坯烧结； 步骤六，通过正反向挤压机，挤压成丝材，再拉拨至成品规格线材。3.根据权利要求2所述的一种银镍-钨电触头材料的制备方法，其特征在于:步骤一中，混粉机的频率为120?180转/分，混合时间为60-120分钟。4.根据权利要求2所述的一种银镍-钨电触头材料的制备方法，其特征在于:步骤四中，烧结温度为400?6000C，烧结时间为I?4小时。5.根据权利要求2所述的一种银镍-钨电触头材料的制备方法，其特征在于:步骤五中，锭坯烧结温度为750?850°C，烧结时间为2?3小时。6.根据权利要求2所述的一种银镍-钨电触头材料的制备方法，其特征在于:步骤六中，挤压温度为750?900 °C，挤压时间为2?8小时，挤压比为200?300倍。
【文档编号】C22C1/04GK105886827SQ201610254233
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年4月23日
【发明人】蒋廷顺, 马鹏飞, 高华云
【申请人】东莞市华诺合金有限公司