大大节约了反复去电子显微镜确认的时间，也避免了电子显微镜反复照射对样品造成的伤害。
[0053]所述图形包括但不限于阿拉伯数字(1、2、3、4、……)、英文大写字母(A、B、C、D、……)及英文小些字母(a、b、c、d、……)等。作为示例，所述薄膜的材质为二氧化硅，所述图形的材质为铜。所述图形可通过光刻、显影、刻蚀、沉积金属、化学机械抛光等常规半导体工艺得到。
[0054]作为示例，所述衬底3为正方形，所述衬底3的边长范围为0.5?2cm。本实施例中，所述衬底的边长优选为1cm。当然在其它实施例中，所述衬底也可以为其它形状，如五边形、六边形等，只要便于固定即可，此处不应过分限制本实用新型的保护范围。
[0055]本实施例中，与所述衬底3的形状相匹配，所述通槽5亦为正方形，且所述通槽5的四条边分别与所述衬底的四条边平行。所述通槽5优选为位于所述衬底3及薄膜4中央，这样对称的分布有利于研磨样品时的均匀性。
[0056]具体的，所述通槽5的边长为所述衬底3边长的1/3?2/3，本实施例中，所述通槽5的边长优选为为所述衬底3边长的1/2，即5mm。
[0057]本实用新型的样品研磨辅助装置的使用方法如下:
[0058]首先，将研磨样品6制备得比所述通槽5稍小一点，然后将所述研磨样品6粘贴在所述通槽5中，使研磨样品6的表面与样品研磨辅助装置的表面在同一水平面上。
[0059]请参阅图5显示为将研磨样品6放入样品研磨辅助装置的分解示意图。请参阅图6，显示为将研磨样品放入样品研磨辅助装置中的剖面图，其中，研磨样品通过热熔胶7固定于所述辅助装置。
[0060]具体的，将所述辅助装置及所述研磨样品倒扣在一绝对平面(如玻片等)上，以保证所述辅助装置的上表面与所述研磨样品的上表面在同一水平面上，然后在所述研磨样品6及所述辅助装置背面涂上热熔胶7，并冷却使得所述热熔胶7固化，从而将所述研磨样品通过热熔胶7粘贴固定于所述辅助装置。
[0061]接着，将粘贴好研磨样品的辅助装置翻转过来并固定于研磨台上，即可开始研磨。
[0062]由于所述辅助装置上每一个图形对应的薄膜厚度是已知的，所以在研磨样品的时候就可以根据所述通槽5周围的薄膜图形精确计算出磨下去多少，从而推断出所述辅助装置中间的研磨样品磨到了哪一层，大大节约了反复去电子显微镜确认的时间，也避免了电子显微镜反复照射对样品造成的伤害。
[0063]所述研磨样品6的内部结构根据要进行失效分析的芯片类型及位置各有不同，作为不例，如图6所不，所述研磨样品中包括第一金属层8、第二金属层9及第三金属层10。如图7所示，当在光学显微镜(OM)下观察所述辅助装置处理到第六层薄膜4006时，由于已知所要分析样品的每一层的厚度，这时就能知道样品已经处理到了第二金属层9的上面，通孔的底部。
[0064]进一步的，由于研磨样品放在了所述辅助装置的中间，通过观察辅助装置前后左右四个方向所在的薄膜层就可以判断研磨的平整性，如果不平整就可以调整研磨的力度使辅助装置前后左右都在同一层薄膜，这样中间的研磨样品就能保证大范围的平整性，这对28nm及以下制程样品的制备有非常大的帮助。
[0065]请参阅图8，显示为研磨面不平整时的示意图，其中，部分区域研磨至第四层薄膜4004，部分区域研磨至第六层薄膜4006。请参阅图9，显示为调整研磨力度得得研磨面平整的示意图，其中，辅助装置前后左右均研磨至第六层薄膜4006。
[0066]以上，通过本实用新型的样品研磨辅助装置的帮助，可以准确地知道研磨下去的厚度，从而及时停在需要观察的层次，同时可以保证大范围的平整性，提高28nm及以下制程失效分析的样品的制备效率。
[0067]综上所述，本实用新型的样品研磨辅助装置适用于28nm及以下先进制程的产品失效分析，将要研磨的样品制备得比辅助装置中央通槽稍小一点，并将样品粘贴在通槽中，使得样品表面与辅助装置表面在同一水平面上，在研磨过程中，通过光学显微镜观察辅助装置上的图案就可以准确地判断研磨到了哪一层，大大节约了反复去电子显微镜确认的时间，也避免了电子显微镜反复照射对样品造成的伤害。同时，由于样品放置在辅助装置的中央，通过观察辅助装置前后左右四个方向所在的层就可以判断研磨的平整性，从而及时调整研磨的力度，保证样品大范围的平整性。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0068]上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种样品研磨辅助装置，其特征在于，所述样品研磨辅助装置包括: 衬底； 若干层薄膜，依次叠加形成于所述衬底上表面； 用于容置研磨样品的通槽，所述通槽贯穿所述衬底及所有所述薄膜。
2.根据权利要求1所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:所述衬底为正方形。
3.根据权利要求2所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:所述衬底的边长为0.5?2cm0
4.根据权利要求2所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:所述通槽为正方形，且位于所述衬底及薄膜中央。
5.根据权利要求4所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:所述通槽的边长为所述衬底边长的1/3?2/3。
6.根据权利要求4所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:所述通槽的边长为所述衬底边长的1/2。
7.根据权利要求1所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:每一层薄膜的厚度相同。
8.根据权利要求7所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:所述薄膜的厚度为lOOnm。
9.根据权利要求1所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:所述薄膜的层数大于或等于 100。
10.根据权利要求1所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:每一层薄膜中的图形均不同。
11.根据权利要求10所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:所述图形包括阿拉伯数字、英文大写字母及英文小些字母中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的样品研磨辅助装置，其特征在于:所述薄膜的材质为二氧化硅，所述图形的材质为铜。
【专利摘要】本实用新型提供一种样品研磨辅助装置，包括：衬底、依次叠加形成于所述衬底上表面的若干层薄膜；及用于容置研磨样品的通槽，所述通槽贯穿所述衬底及所有所述薄膜。该辅助装置适用于28 nm及以下先进制程的产品失效分析，将要研磨的样品粘贴在通槽中，使得样品表面与辅助装置表面在同一水平面上，在研磨过程中，通过光学显微镜观察辅助装置上的图案就可以准确地判断研磨到了哪一层，大大节约了反复去电子显微镜确认的时间，也避免了电子显微镜反复照射对样品造成的伤害。同时，由于样品放置在辅助装置的中央，通过观察辅助装置前后左右四个方向所在的层就可以判断研磨的平整性，从而及时调整研磨的力度，保证样品大范围的平整性。
【IPC分类】B24B37-30
【公开号】CN204450180
【申请号】CN201520025317
【发明人】高保林, 王倩
【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年1月14日