一种可提高靶材利用率的靶座的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于真空镀膜技术领域，涉及一种靶座，特别涉及一种可提高靶材利用率的靶座。
【背景技术】
[0002]在太阳能电池中，薄膜电池具有更强的弱光效应，廉价的制备材料，更佳的视觉效果及易于大规模连续化生产等优点，在光伏建筑一体化(BIPV)中具有广阔的发展前景。对于Si基薄膜电池来说，背电极的导电性能及膜层结构在整个电池的工艺中处于一个非常重要的地位，Si基薄膜电池背电极利用磁控派射技术(magnetron sputtering，简称PVD)制备，在溅射过程中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材固体平板，通过物理过程撞击出原子，这些被撞击出来的原子穿过真空，最后沉积在芯片上。
[0003]现有工艺中常用的溅射靶材(可简称靶材)一般为平面长方形结构，且靶材表面为光滑的平面结构。当该靶材被多次使用之后，其表面将不再是平整的结构，而是形成了一个环状的凹坑，这是由于溅射过程中高能粒子撞击靶材表面的角度、频率及能量等有所不同而导致。
[0004]上述凹坑继续被高能粒子撞击时，将可能导致靶材被击穿，从而影响溅射结果，因此，需要及时更换已经形成有较深凹坑的靶材。而何时更换靶材，怎么才能更大限度的利用革巴材，如何才能最大利用革E材。理论来说在革E材被击穿的瞬间才是革E材利用最大的时间，但如何准确预测靶材被击穿。即使对靶材的消耗有了明确的计算也会因为各种因素的不确定性而造成更换靶材时，靶材没有实现最大利用。
【发明内容】
[0005]本实用新型要解决的技术问题是如何克服现有技术的上述缺陷，提供一种一种可提高靶材利用率的靶座。
[0006]本实用新型是通过以下技术方案实现的:
[0007]本一种可提高靶材利用率的靶座，包括:
[0008]靶材；
[0009]导电膜层，位于靶材下方；
[0010]靶材背板，其上表面设置导电膜层；
[0011]靶材冷却层，设于靶材背板下方；
[0012]革E材磁场层，设于革E材冷却层下方；
[0013]靶材基座，设于靶材磁场层下方；
[0014]陶瓷组件，包括陶瓷组件正极、陶瓷组件负极和陶瓷密封焊接件，所述陶瓷组件正极和陶瓷组件负极贯穿靶材背板、靶材冷却层、靶材磁场层、靶材基座设置，所述导电膜层和靶材背板通过陶瓷密封焊接件连接。
[0015]作为优化，所述导电膜层包括三层结构，分别为由下至上的第一层导电膜、第二层绝缘膜和第三层导电膜。
[0016]作为优化，所述第一层导电膜通过镀膜工艺镀在该靶材背板上，所述第二层绝缘膜通过镀膜工艺镀在第一层导电膜上，所述第三层导电膜通过镀膜工艺镀在第二层绝缘膜上。
[0017]作为优化，所述第一层导电膜沉积到陶瓷组件正极上，第二层绝缘膜沉积至陶瓷密封件绝缘层上，第三层导电膜沉积至陶瓷组件负极上。
[0018]本实用新型一种可提高靶材利用率的靶座的有益效果是:
[0019]本一种可提高靶材利用率的靶座，在溅射过程中，当靶材被击穿的瞬间，就可以做出断电反应，停止溅射进行；进而可提高该靶材的使用寿命。当该靶材使用寿命耗尽的时候，靶材上所剩的材料也不是太多，从而避免了靶材材料的浪费，节约了成本，实现靶材利用的最大值。具有较好的实际应用价值和推广价值。
【附图说明】
[0020]下面结合附图对本一种可提高靶材利用率的靶座作进一步说明:
[0021]图1是本一种可提高靶材利用率的靶座的主视结构示意图；
[0022]图2是本一种可提高靶材利用率的靶座的俯视结构示意图；
[0023]图3是本一种可提高靶材利用率的靶座的左视结构示意图；
[0024]图4是本一种可提高靶材利用率的靶座的陶瓷组件结构示意图；
[0025]图5是本一种可提高靶材利用率的靶座的导电膜层和陶瓷组件连接结构示意图。
[0026]图中:1为靶材、2为导电膜层、2.1为第一层导电膜、2.2为第二层绝缘膜、2.3为第三层导电膜、3为靶材背板、4为靶材冷却层、5为靶材磁场层、6为靶材基座、7为陶瓷组件、7.1为陶瓷组件正极、7.2为陶瓷组件负极、7.3为陶瓷密封焊接件、8为印刷栅极、9为极靴、10为磁钢。
【具体实施方式】
[0027]为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本实用新型进一步详细说明。
[0028]如图1-图5所示，本一种可提高靶材利用率的靶座，包括:
[0029]靶材I ;
[0030]导电膜层2，位于靶材I下方，；
[0031]靶材背板3，其上表面设置导电膜层2 ;
[0032]靶材冷却层4，设于靶材背板3下方；
[0033]革E材磁场层5，设于革E材冷却层4下方；
[0034]革E材基座6，设于革E材磁场层5下方；
[0035]陶瓷组件7，包括陶瓷组件正极7.1、陶瓷组件负极7.2和陶瓷密封焊接件7.3，所述陶瓷组件正极7.1和陶瓷组件负极7.2贯穿靶材背板3、靶材冷却层4、靶材磁场层5、靶材基座6设置，所述导电膜层2和靶材背板3通过陶瓷密封焊接件7.3连接；这样可以实现陶瓷组件7的陶瓷组件正极7.1、陶瓷组件负极7.2与靶材背板3绝缘，使陶瓷组件正极
7.1、陶瓷组件负极7.2两个电极与导电膜层2形成独立通路；
[0036]印刷栅极8，所述印刷栅极8和靶材磁场层5均采用oring密封，这样设计是为了便于革E材背板3与革E材磁场层5的拆装及革E材冷却层4的检查；
[0037]所述靶材基座6内设有极靴9，所述极靴9处在靶材磁场层5中，所述极靴9上安装有磁钢10。
[0038]具体的，所述导电膜层2包括三层结构，分别为由下至上的第一层导电膜2.1、第二层绝缘膜2.2和第三层导电膜2.3 ;所述第一层导电膜2.1通过镀膜工艺镀在该靶材背板3上，所述第二层绝缘膜2.2通过镀膜工艺镀在第一层导电膜2.1上，所述第三层导电膜2.3通过镀膜工艺镀在第二层绝缘膜2.2上。如此设计，采用镀膜工艺是为了尽可能的减薄靶材I与靶材背板3之间的缝隙，达到良好接触的目的；三层结构是为了使导电膜层2形成一个完整的独立电路，当导电膜层2受到溅射损坏后，整个电路形成通路。
[0039]具体的，所述第一层导电膜2.1沉积到陶瓷组件正极7.1上，第二层绝缘膜2.2沉积至陶瓷密封件绝缘层上，第三层导电膜2.3沉积至陶瓷组件负极7.2上。如此设计，可以使银浆与电极有良好的绝缘作用并形成独立的电路。
[0040]工作原理:
[0041]本一种可提高靶材利用率的靶座，通过在靶材的下方加一层导电膜层，以及设置陶瓷组件使得导电膜层形成一个独立的报警电路系统，当靶材耗尽时通过对靶材被击穿后造成导电膜层形成通路的现象对辉光进行报警，提醒换靶，实现靶材利用的最大值。
[0042]上述一种可提高靶材利用率的靶座，设计科学、使用方便，可提高该靶材的使用寿命，避免靶材材料的浪费，节约成本。
[0043]上述【具体实施方式】仅是本实用新型的具体个案，并非是对本实用新型作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施方式。但是凡是未脱离本实用新型技术原理的前提下，依据本实用新型的技术实质对以上实施方式所作的任何简单修改、等同变化与改型，皆应落入本实用新型的专利保护范围。
【主权项】
1.一种可提高靶材利用率的靶座，其特征在于，包括: 靶材； 导电膜层，位于革E材下方； 靶材背板，其上表面设置导电膜层； 靶材冷却层，设于靶材背板下方； 革巴材磁场层，设于革E材冷却层下方； 革巴材基座，设于革E材磁场层下方； 陶瓷组件，包括陶瓷组件正极、陶瓷组件负极和陶瓷密封焊接件，所述陶瓷组件正极和陶瓷组件负极贯穿靶材背板、靶材冷却层、靶材磁场层、靶材基座设置，所述导电膜层和靶材背板通过陶瓷密封焊接件连接。
2.如权利要求1所述的一种可提高靶材利用率的靶座，其特征在于:所述导电膜层包括三层结构，分别为由下至上的第一层导电膜、第二层绝缘膜和第三层导电膜。
3.如权利要求2所述的一种可提高靶材利用率的靶座，其特征在于:所述第一层导电膜通过镀膜工艺镀在该靶材背板上，所述第二层绝缘膜通过镀膜工艺镀在第一层导电膜上，所述第三层导电膜通过镀膜工艺镀在第二层绝缘膜上。
4.如权利要求3所述的一种可提高靶材利用率的靶座，其特征在于:所述第一层导电膜沉积到陶瓷组件正极上，第二层绝缘膜沉积至陶瓷密封件绝缘层上，第三层导电膜沉积至陶瓷组件负极上。
【专利摘要】本实用新型涉及一种可提高靶材利用率的靶座。一种可提高靶材利用率的靶座，包括：靶材；导电膜层，位于靶材下方；靶材背板，其上表面设置导电膜层；靶材冷却层，设于靶材背板下方；靶材磁场层，设于靶材冷却层下方；靶材基座，设于靶材磁场层下方；陶瓷组件，包括陶瓷组件正极、陶瓷组件负极和陶瓷密封焊接件，所述陶瓷组件正极和陶瓷组件负极贯穿靶材背板、靶材冷却层、靶材磁场层、靶材基座设置，所述导电膜层和靶材背板通过陶瓷密封焊接件连接。本一种可提高靶材利用率的靶座，可提高该靶材的使用寿命，当该靶材使用寿命耗尽的时候，靶材上所剩的材料也不是太多，从而避免了靶材材料的浪费，节约了成本，实现靶材利用的最大值。
【IPC分类】C23C14-34
【公开号】CN204550699
【申请号】CN201520217063
【发明人】刘林, 檀玉珩
【申请人】山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年4月13日