硅的制造方法

专利名称：硅的制造方法
技术领域：
本发明涉及从硅烷类制造半导体级或太阳光发电级的硅的方法。更详细地说，本发明涉及通过在不冷却的情况下且用少的工作量使在硅析出反应器内在基体材料上已析出的硅从析出基体材料剥离下来进行回收而能使反应器的工作效率提高的高纯度硅的制造方法。
背景技术：
迄今为止，已知有各种制造作为半导体或太阳光发电用电池(光电系统)的原料来使用的硅的方法，其中的几种方法已在工业上进行了实施。
其一种方法是被称为西门子法的方法。该方法是这样的将成为析出的基体材料的细的硅棒(丝)配置在钟罩内，利用通电来加热，使三氯硅烷(SiHCl3)或甲硅烷(SiH4)与该基体材料接触，以固体状态使硅析出，该方法是现在最一般地实施的方法。
在西门子法中，在停止了通电后并在充分地冷却了作为析出物的硅棒后，打开钟罩，在仔细地回收了容易破碎的析出物后，必须再次高精度地设置细的硅丝，因此，不仅在每次回收析出物时需要花费很大的工作量，而且析出中止时间也长，析出反应器的工作效率低。
另一方面，在特开昭59-121109号公报和特开昭51-37819号公报、特开2002-29726号公报中提出了关于连续地回收在析出反应器内析出的硅的方法。这些方法是这样的使硅烷类与加热到硅的熔点以上的温度的基体材料的表面接触，一边在熔融状态下使硅析出，一边在原来的熔融状态下从基体材料的表面回收该析出物，作为硅熔融液或冷却固化的块状物从反应器取出。
由于在高温区域进行硅的析出，故该方法的析出效率非常高，可廉价地制造硅。但是，用该方法得到的硅的熔融液具有被称为「万能溶剂」(super solvent)那样的强的反应性，存在容易受到来自该熔融液接触的基体材料表面的污染的问题。因此，存在难以得到特别是能使用于半导体用途的高纯度的硅的情况。

发明内容因而，本发明的目的在于提供下述的硅的制造方法，该方法能连续地从硅烷类析出并回收半导体用或太阳光发电用的硅，能由此使反应器的工作效率提高，此外，与在熔融状态下进行硅的析出的现有的硅的制造方法相比，能连续地制造高纯度的硅。
可从以下的说明来明白本发明的其它的目的和优点。
按照本发明，通过在同一装置内重复进行将基体材料的表面加热到不到硅的熔点的温度并以固体状态使硅析出的工序和在进行了某种程度的上述硅的以固体状的析出时将基体材料的表面加热到硅的熔点以上以使该已析出的硅的一部分或全部熔融并落下的工序，可实现本发明的上述目的和优点。
即，按照本发明，提供下述的硅的制造方法，该方法的特征在于包含一边将基体材料的表面加热到并保持在不到硅的熔点的温度、一边使硅烷类与该基体材料的表面接触从而使硅析出的工序(以下，也将该工序称为「工序1」)；以及使基体材料的表面温度上升、使已析出的硅的一部分或全部熔融并从基体材料的表面落下且进行回收的工序(以下，也将该工序称为「工序2」)。
在上述本发明的方法中，通过以固体状态析出硅，在硅的析出时，上述硅几乎不受到来自基体材料的污染。而且，在回收时，通过至少使基体材料表面的硅熔融并使已析出的硅从基体材料落下，与从析出时起硅以熔融液的状态存在的现有的方法相比，可缩短硅的熔融液与析出面的基体材料接触的时间。其结果，可有效地减少因基体材料与硅熔融液的接触引起的污染。此外，按照本发明的方法，可连续地实施硅的析出和回收。再者，由于硅的硅的朝向基体材料表面的析出速度在比熔点稍低的温度区域中为最大，故与现有的熔融析出法相比，可选择析出速度大的温度区域，可谋求提高生产效率。


图1是示出使用了代表性的形态的反应装置的本发明的方法中的各工序的概念图。此外，图2是示出使用了另一代表性的形态的反应装置的本发明的方法中的各工序的概念图。再者，图3、4是示出在本发明中使用的反应装置的另一形态的概略图。
具体实施方式
本发明的工序(1)是一边将基体材料的表面加热到并保持在不到硅的熔点的温度、一边使硅烷类与该基体材料的表面接触从而使硅析出的工序。
作为在上述的工序(1)中使用的硅烷类，可举出用下述式表示的化合物。
SiaHbXc(在此，X是卤素原子、烷氧基或烷基，a是正的整数，b和c是互相独立的，是0或正的整数，其中，假定满足2a+2＝b+c的关系)。
X的卤素原子最好是氯。作为烷氧基，最好是碳的数目为1～2的烷氧基，此外，作为烷基，最好是碳的数目为1～2的烷基。
如果具体地示出这样的硅烷类，则可举出象甲硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、丙硅烷(Si3H8)那样的氢化硅烷；象氯硅烷(SiH3Cl)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、三氯硅烷(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)那样的卤素硅烷；象三乙氧基硅烷(SiH(C2H5O)3)、四乙氧基硅烷(Si(C2H5O)4)那样的烷氧基硅烷；象甲基硅烷(SiH3CH3)、二甲基硅烷(SiH2(CH3)2)那样的烷基硅烷；以及甲基二氯硅烷(SiHCl2CH3)、甲基三氯硅烷(SiCl3CH3)、二甲基氯硅烷(SiHCl(CH3)2)、二甲基二氯硅烷(SiCl2(CH3)2)那样的烷基卤素硅烷。
在将由本发明得到的硅作为半导体用或太阳光发电用的原料使用的情况下，较为理想的是将以这些硅烷类中的氢化硅烷、卤素硅烷、烷基硅烷为主要成分来使用。使用这些硅烷中的能以高纯度来精制的甲硅烷、乙硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅、三乙氧基硅烷、四乙氧基硅烷则更为理想，使用能在工业上进行大量生产并且广泛地被使用的甲硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅则特别理想。可一起使用1种或2种以上的硅烷类。
将这些硅烷类以单独的硅烷类的方式或如果需要的话与氢一起以气体状供给反应系统是有利的。
在本发明中，利用电流或电磁波进行基体材料的加热的方法是简便的，故是较为理想的。
例如，在利用电磁波进行基体材料的加热的情况下，可使用频率为几百～几十GHz的电磁波。此时，可根据被加热的基体材料的材质或形状适当地选择合适的频率。
在本发明中，在其表面上使硅析出用的基体材料的材质必须由能直接地或间接地加热到硅的熔点以上的温度的物质构成。作为这样的材质，例如可举出以石墨为代表的碳材料和象碳化硅那样的陶瓷材料。碳材料最为理想。
在将上述碳材料作为基体材料使用的情况下，由于与硅熔融液接触的缘故，一部分或全部变为碳化硅，但在本发明中，在该状态下可作为基体材料来使用。
此外，可利用耐硅的熔融液的性能高的材料来构成与析出的硅直接接触的上述基体材料的表面部分。具体地说，在利用电磁波加热基体材料的情况下，例如用氮化硅、碳化硅、热分解碳等的材料覆盖表面部分是较为理想的。覆盖方法不作限定。利用另外成形的衬垫来进行覆盖是很方便的。
本发明的重要的目的之一在于相对于以硅的熔融温度使硅析出的现有的方法来说防止因熔融硅引起的基体材料的性能恶化和起因于此的制品硅的污染。因而，在利用原料气体与基体材料的接触来进行硅的析出的工序(1)中，将该基体材料的表面的温度维持为不到硅的熔点这一点是重要的。
即，在以硅的熔融温度析出硅的现有的方法中，由于对于析出物来说硅的熔融液经常与基体材料接触，故析出物经常遇到污染的机会。与此不同，在本发明的工序(1)中，由于以固体状析出硅，故不管基体材料是怎样的材质，大部分析出物都在高纯度的硅的固体表面上依次析出，析出物与西门子法的析出物同样，在本质上是高纯度的。而且，通过使析出温度尽可能地接近于硅的熔点，可进一步加快析出速度。
此外，在本发明的工序(1)中，由于析出基体材料的大小不受硅熔融液的表面张力和自重的限制，其大小可足够大，故可充分地确保工业上的生产量。
工序(1)的基体材料的表面的温度最好为硅析出的600℃以上即可，但为了提高硅的析出效率，较为理想的是1,100℃以上，更为理想的是超过1,250℃，最为理想的是1,350℃以上。
这些较为理想的析出温度是在现有的西门子法中难以采用的条件，而在本发明的方法中是能采用的温度。即，在上述析出温度为1,100℃的情况下，在西门子法中发生凹凸多的表面形态，容易难以进行正常的继续析出。此外，如果上述析出温度为1,250℃以上，则在西门子法中析出物发生熔断的可能性极高。
此外，工序(1)中的硅的析出温度的上限为不到硅的熔点。关于作为该上限温度的硅的熔点，存在各种见解，但大体上应理解为处于1,410～1,430的范围内。
在本发明中，在工序(2)中使基体材料的表面温度上升到硅的熔点以上的温度、使已析出的硅的一部分或全部熔融并从基体材料的表面落下且进行回收。
此外，在工序(2)中使之上升的基体材料的表面温度为已析出的硅熔融的温度、即硅的熔点以上即可。但是，由于温度越高，越要不必要地消耗能量，或有时根据情况会促进基体材料材质的性能恶化，故该温度在1,600℃以下是较为理想的。
在本发明的工序(2)中，由于使在基体材料的表面上已析出的硅的一部分或全部熔融并落下，故在将使基体材料的表面温度上升到硅的熔点以上并进行维持的时间定为回收时间的情况下，为了谋求防止回收硅的污染、基体材料的性能恶化和提高析出反应器的工作效率，希望这样的回收时间尽可能地短。即，回收时间相对于全部运转时间来说，较为理想的是不到30％，更为理想的是不到10％，最为理想的是不到5％。
在上述工序(2)中，为了使在基体材料的表面上已析出的硅的一部分或全部熔融并落下，将该硅所存在的基体材料表面加热到上述的硅的熔点以上的温度即可。作为使该基体材料表面的温度上升的方法，一般来说是使上述加热用的电流、电磁波的输出增加的方法。此外，也可采用与上述方法组合起来或单独地使反应装置中流过的气体流量减少的方法。
此时，为了使在该基体材料表面析出的硅稳定地落下，反应装置最好能独立地控制基体材料表面的加热。具体地说，在利用电磁波加热基体材料的形态中，推荐使用将施加该电磁波用的加热线圈分割为多个段、在各分割段中能独立地控制输出的方法。
在本发明中，作为使基体材料的表面温度上升到硅的熔点以上的方法，例如可举出在电磁波的加热中使加热线圈的输出上升的方法。
上述的说明以使用电磁波进行基体材料的加热形态的方法为中心来进行，但也可在基体材料中流过电流来加热。
再有，硅是半导体，在进行析出反应的高温下，硅也具有相当的导电性。因而，在通过使用导电性的基体材料、在其中流过电流进行加热从而在该基体材料表面上使硅析出的情况下，必然在硅析出物本身中也流过电流。如果为了进行上述的析出的硅的熔融而使电流增大，则硅的与基体材料的接触面的一部分开始熔融，电流密度集中于该部分的结果，以该部分为起点，优先地引起上述接触面中的熔融，可使基体材料表面上析出的硅落下。
在上述的加热方法中，在利用电磁波来加热基体材料的方法中，由于因基体材料的加热引起的硅的熔融不影响析出层的厚度或结晶状态，故用该电磁波的加热方法作为本发明的加热方法是较为理想的。
在本发明的方法中，通过采用使基体材料的表面的析出物的一部分或全部熔融来回收的工序(2)，可省略在现有的西门子法中必要的分批操作中的钟罩内部的气体置换、打开、新的硅丝的设置等的一切作业，可显著地提高装置的工作效率。
以下，一边参照附图，一边更具体地说明本发明，但本发明不限定于这些附图中示出的形态。
图1、2是示出使用了利用电磁波(高频)来加热基体材料的反应装置的本发明中的各工序的概念图。
图1、2中示出的装置由具备供给成为析出原料的硅烷类的供给口1、发生电磁波的加热装置2、由电磁波加热的基体材料3、使析出物落下并回收的回收部4和排放气体出口5的壳体13构成。此时，最好通过如图1、2中所示那样作成在与被加热的基体材料3之间插入由不遮蔽电磁波的物质构成的隔壁8的结构，将发生电磁波的加热装置2与该基体材料3存在的气氛隔离。
作为不遮蔽上述电磁波的物质，例如石英、硅铝氧氮耐热陶瓷、氮化铝等的具有耐热性且具有绝缘性的材料是合适的。
此外，图1示出基体材料3呈棒状、在其外表面上使硅析出的形态，图2示出基体材料呈在下方开了口的筒状、在其内表面上使硅析出的形态。这些形态中，特别是基体材料呈筒状的形态(图2)的加热效率良好，是很合适的。
再者，在图1、2中，(a)示出了利用工序(1)在基体材料表面上使硅11析出的状态，(b)示出了利用工序(2)使该硅11熔融落下的状态。
在上述工序(1)中，最好这样来供给密封气体，使得原料气体不与基体材料表面的硅的析出区域以外的基体材料表面接触。
在图2中示出了从密封气体供给口9对筒状的基体材料与原料气体供给口1的间隙供给密封气体的形态。作为这样的密封气体，使用氢、氩等的气体是合适的。
此外，通过与上述密封气体一起或代替密封气体连续地或断续地供给与硅反应以生成原料气体的反应试剂，也可防止下述区域外的硅的析出。作为这样的反应试剂，例如使用氯化氢、四氯化硅等。
再者，在使用上述筒状的基体材料的情况下，对在该筒状的基体材料的外表面上存在的空间部、即在图2和图4中基体材料3与隔壁8之间的空间部供给四氯化硅和氢，也可利用该空间部的热来生成三氯硅烷。所生成的三氯硅烷的一部分在筒状的基体材料的内表面上被使用于硅的析出反应，剩下的部分从排放气体取出口5被回收，经过众所周知的精制装置，可作为原料气体再次利用。
再者，在插入由不遮蔽上述电磁波的物质构成的隔壁8的形态中，最好对壳体13与该隔壁间供给上述密封气体。
图3示出了在本发明中使用了电流的加热装置的代表性的反应装置的概念图。此时，与图1或图2中示出的反应装置相同，设置了原料气体供给口1、排放气体出口5和回收部4。
如上述图3中所示，基体材料3可以是连接棒状物而成为可通电的形态。此外，作为其它的形态，也可作成下述形态利用绝缘材料构成基体材料，与该基体材料分开地准备通过流过电流来发热的发热体，通过由该发热体加热该基体材料，使该发热体与在基体材料析出的硅导电性地隔离。如果具体地示出后者的形态，则可将上述筒状的绝缘物作为基体材料，在其外周面上设置通过流过电流发热的发热体，在该筒状绝缘物的内侧表面上进行硅的析出，也可将在内部具有空间的绝缘物作为基体材料，在其内部设置上述发热体，在该绝缘物的外侧表面上进行硅的析出。
在上述通过流过电流来发热的形态中，可调节电流来进行硅析出时和该已析出的硅的熔融时的温度的转换。此时，除了电磁波发生装置2外，使用适当地调节基体材料温度和析出表面温度用的电流电源装置6。作为上述电流电源装置6，可适当地使用交流电源和直流电源的任一种。
在本发明中，对于来自回收部4的硅11的取出方法不作特别的限制。图4示出具有适合于在工业上实施本发明的方法的结构的反应装置的概念图。在图4中示出了能用气氛隔断器7在析出反应的空间与回收部之间隔断气氛的结构作为从回收部4进行硅11的取出的一种形态。更具体地说，作为气氛隔断器的代表性的形态，可举出使板状体滑动以隔断其上下的气氛的形态。
通过将本发明中使用的反应装置作成具备上述那样的气氛隔断器的结构，一边在上部设置的硅析出部中继续进行析出反应，一边打开位于下部的回收部4，将落下回收的硅运送到外部。
上述运送到外部的运送装置最好用设置在回收部4中的接受器皿15接受落下的硅11，在蓄积了规定量程度的状态下取出硅。
另一方面，在不特别作成隔断析出反应的空间与回收部之间的结构的情况下，也可停止析出原料气体的供给，在一度转换为惰性气体等后，将落下回收物运送到外部。此时，由于可在加热状态下保持基体材料，故如果开始析出原料气体的供给，则可快速地开始析出，不会显著地降低硅制造的工作效率。
此外，也可在每次从析出部使硅析出物落下时将该硅析出物运送到反应器外部进行回收，但从经济上说，采用在反应器下部设置容量较大的回收部4、在该回收部中落下几次后一起运送到反应器外部进行回收的方法是比较合适的。
如能在本发明中很好地使用的上述反应装置示出的那样，在将硅的回收部4作成一体地设置壳体13的情况下，可使用众所周知的铁钢材料或碳材料等作为该壳体的材质。
此时，因落下的缘故与上述铁钢材料等接触而受到了污染的回收物如果需要的话，通过用化学清洗等刻蚀其表面，作为制品来说，可正常地使用。更为理想的形态是用高纯度硅构成硅的落下面的形态，由此，可进一步防止回收物的污染。
在本发明中，在加热上述的硅的析出物和基体材料的接触部分以固体状回收了硅的情况下，可作为复制了基体材料表面的形状的块状物来得到被回收的析出物的形状。在本发明中，可将其按原样作为制品，如果必要的话，也可在冷却后的工序中将其粉碎作成制品。
此外，在将析出物作为熔融液落下并进行回收的情况下，利用众所周知的凝固法使该熔融物冷却凝固，可作为粉末状来回收，也可在回收部中设置容器并在该容器内回收、使其凝固作成制品。
从以上的说明可理解，按照本发明，可省略在现有的西门子法中必要的分批操作中的钟罩内部的气体置换、打开、新的硅丝的设置等的一切作业，由于工作效率的提高和作业费的减少，可大幅度地降低制造成本。此外，与在熔融状态下析出硅的技术相比，由于基体材料与硅熔融液接触的机会极少，故可得到充分的高纯度制品。
因而，本发明与现有法相比能高效地制造在工业上极为有用的高纯度硅，其价值极高。
实施例以下，为了详细地说明本发明而举出实施例来说明，但本发明不限定于这些实施例。
实施例1使用了具有图4中示出的结构的反应装置。具体地说，作为基体材料3，使用了在内壁上覆盖CVD-SiC、内径为50mm、长度为300mm、厚度为1mm的石墨制圆筒，在其外周部上经由硅铝氧氮耐热陶瓷构成的圆筒的隔壁8设置具有8kHz的频率的电磁波发生线圈作为加热装置2，由该线圈施加电磁波来加热石墨筒。
利用上述加热装置2加热基体材料3的石墨圆筒，将其内表面的温度大致均匀地维持为约1,400℃。其次，从供给口1通过供给管12对该基体材料3的内部以氢100NL/min、三氯硅烷60g/min的比例供给氢和三氯硅烷的混合气体作为原料气体，在基体材料的内表面上以固体的状态使硅析出。此外，从排放气体出口5排出排放气体，利用众所周知的方法回收并精制未反应物，作为原料气体再次利用。
在上述操作中，从密封气体供给口9供给氢气，复制上述供给管12与基体材料3的间隙中的硅的析出。此外，将气体作为密封气体供给上述圆筒的隔壁8与壳体13之间和基体材料3与圆筒的隔壁8之间。
在连续地进行了2小时的上述硅的析出后，在停止三氯硅烷的供给、降低了氢的供给量后，在调整了加热装置2的电磁波输出以使基体材料3的内表面温度在约1,500℃大致为恒定值时，只是从圆筒起与石墨的内壁接触的部分熔解、大部分为固体的硅块落下。在测定以这种方式得到的硅的量时，每小时的析出重量约370g。
其后，进行3小时的上述析出，重复进行使析出物熔融落下的操作，持续了3天的运转。在结束操作后，打开钟罩检查石墨筒，但没有看到异常情况。
此外，使回收物的全部的量实现单晶化，在利用FT-IR法测定碳浓度时，该浓度约为1ppm。
在回收部4中设置底面上配置了硅的接受器皿15，在该处回收了落下的硅11。此外，在该接受器皿15内硅增加到一定量时，在硅析出时利用气氛隔断器7隔断回收部4与反应部的空间，在进行了回收部4的气体置换后，打开硅取出口14，取出上述接受器皿。其次，在回收部4中放置替代的接受器皿，关闭硅取出口14，解除由气氛隔断器7进行的隔断，进行通常的运转。
实施例2在实施例1中，在基体材料3的石墨制圆筒的内壁上覆盖热分解碳，同样地进行了硅的析出、熔融。
其结果，每小时的析出重量约370g。此外，使回收物的全部的量实现单晶化，在利用FT-IR法测定碳浓度时，该浓度约为2ppm。
实施例3在实施例1中，除了在基体材料3的石墨制圆筒的内壁上插入了用烧结成形的氮化硅制的筒外，同样地进行了硅的析出、熔融。
其结果，每小时的析出重量约370g。此外，使回收物的全部的量实现单晶化，在利用FT-IR法测定碳浓度时，为检测下限的1ppm以下。
实施例4在实施例1中，除了按原样使用基体材料3的石墨制圆筒外，同样地进行了硅的析出、熔融。
其结果，每小时的析出重量约370g。此外，使回收物的全部的量实现单晶化，在利用FT-IR法测定碳浓度时，该浓度约为5ppm。
实施例5在实施例4中，除了将石墨圆筒内表面的温度维持为约1,300℃外，同样地进行了硅的析出、熔融。
其结果，每小时的析出重量约150g。此外，使回收物的全部的量实现单晶化，在利用FT-IR法测定碳浓度时，该浓度约为1ppm。
实施例6在图4中示出的反应装置中，作为基体材料3，替换为直径为25mm、长度为300mm的覆盖了CVD-SiC的石墨制棒，在吊下了该基体材料3的状态下，由具有300kHz的频率的加热装置2从该基体材料3的周围经由石英构成的筒状的壁8施加电磁波，加热了石墨棒。一边将基体材料表面温度维持为1,300～1,400℃，一边从供给口1对上述基体材料与筒状的隔壁8之间以氢100NL/min、三氯硅烷60g/min的比例供给氢和三氯硅烷的混合气体，在2小时中使硅析出。
其次，在使电磁波输出上升以使基体材料3的表面温度上升时，硅作为熔融物落下。如果测定被冷却的落下物的重量，则每小时的析出重量约180g。此外，如果使回收物实现单晶化并利用FT-IR法测定碳浓度，则该浓度约为1ppm。
其后，也重复进行同样的操作，实施了硅的析出、熔融回收，可在3天内正常地持续运转。
实施例7作为反应装置，如图3中所示，将直径为20mm、单侧的长度为300mm的石墨制棒状物连接成V字型，将其从壳体13的上部吊下而配置，从外部利用交流电源装置6对碳棒通电进行了加热。
一边将作为上述基体材料的石墨棒的表面温度维持为1,200～1,400℃，一边在壳体13内从供给口1以氢100NL/min、三氯硅烷60g/min的比例供给氢和三氯硅烷的混合气体。
在连续地进行了3小时的硅的析出后，在使电流输出上升以使基体材料3的表面温度上升到熔点以上时，硅析出物落下。落下回收的硅在基体材料上在熔融中呈现可认为大体经历了熔融状态的性状。此外，每小时的析出重量约250g。此外，如果使由上述方法回收的硅的全部的量实现单晶化，在利用FT-IR法测定碳浓度时，该浓度约为5ppm。
其后，也重复进行上述硅的析出、熔融，在3天内连续地进行了运转，没有发生任何问题。
比较例1在实施例1中，除了将硅析出时的基体材料的表面温度大致定为1,500℃、使已析出的硅从基体材料3常时地落下外，同样地制造了硅。
其结果，每小时的析出重量约230g。此外，使回收物的全部的量实现单晶化，在利用FT-IR法测定碳浓度时，该浓度约为7ppm。
权利要求
1.一种硅的制造方法，其特征在于，包含一边将基体材料的表面加热到并保持在不到硅的熔点的温度、一边使硅烷类与该基体材料的表面接触从而使硅析出的工序；以及使基体材料的表面温度上升、使已析出的硅的一部分或全部熔融并从基体材料的表面落下且进行回收的工序。
2.如权利要求1中所述的硅的制造方法，其特征在于硅析出时的基体材料的表面温度处于1,350℃以上至不到硅的熔点的温度的范围内。
全文摘要
一种硅的制造方法，包含下述工序一边将基体材料的表面加热到并保持在不到硅的熔点的温度、一边使硅烷类与该基体材料的表面接触从而使硅析出的工序；以及使基体材料的表面温度上升、使已析出的硅的一部分或全部熔融并从基体材料的表面落下且进行回收的工序。
文档编号C01B33/035GK1463248SQ02801948
公开日2003年12月24日 申请日期2002年6月6日 优先权日2001年6月6日
发明者若松智, 小田开行 申请人:株式会社德山