专利名称：用于处理或加工硅材料的方法和设备的制作方法
用于处理或加工硅材料的方法和设备
应用领域和现有技术
本发明涉及一种用于处理或加工硅材料的方法和设备。 由现有技术已知的一种处理方法和一种适合于实施该方法的i殳备 被用于清洗硅原材料。尤其是可以以不同大小的硅碎片或碎块的形式呈 现的硅原材料通过该处理方法进行预处理，以便进行后续的加工，例如 用于由此制造出用于半导体制造的硅晶片或者用于太阳能电池制造的 硅片。为了进行处理，硅材料被运送到处理室中和在那里用一种或多种 液体的和/或气态的处理介质或处理介质组合物进行处理，以便除去表面
上的污物如例如金属残余物和/或氧化层。在使用液体处理介质的情况下 不能够保证硅材料的所有表面区域都被处理介质润湿。此外液体处理介 质的残余物或被处理介质溶解脱落的杂质虽然要经历后续的沖洗过程 但是仍然可能保留在硅材料的表面上。
任务和技术方案
本发明的任务是提供一种开头所述的设备以及一种开头所述的方 法，通过它们可以避免现有技术中的问题和尤其是可以实现硅材料的提 高的清洗效果。
该任务通过一种具有权利要求1的特征的方法以及通过一种具有权 利要求11的特征的设备解决。本发明的有利的以及优选的实施例是其 它权利要求的主题和在以下进行详细描述。方法和设备部分地共同地描 述，但是这些描述以及相应的特征与该方法和设备是相独立的。权利要 求书的全文通过明确的引用成为说明书的内容。
按照本发明的一个第一方面，设置一种用于处理或加工硅材料的方
法，其包括一个清洗过程，其中该清洗过程具有步骤:用第一液体处理介 质润湿在第一空间方位上定向的硅材料，借助于回转装置自动化地改变 硅材料的方位，在改变的方位上用第一液体处理介质润湿硅材料。硅材 料，其尤其是以具有小于10cm的典型的棱边长度和小于1000cn^的典 型的体积的不规则的碎片的形式，亦即大约拳头大的和更小的碎块或碎 片呈现，将首先在一个第一空间定向上用第一液体处理介质润湿。硅材
料的空间定向由通过将碎块输送到处理室中时任意地产生，在该处理室 中实施清洗过程。碎块例如通过一个接触面或通过多个接触点放置一个 支座上和在该空间定向上用液体处理介质润湿，尤其是被喷射。虽然硅 材料被喷射，其优选从多个空间方向用多个喷嘴进行，该喷嘴尤其是可 以将喷射流或喷雾喷洒到硅材料上，但是由于受到各单个的碎块的外轮 廓的限制，不能够保证通常不规则地形成的硅材料碎块的所有表面段都 -故液体的处理介质润湿。
为了能够实现有利的清洗效果，在用处理介质进行了第 一 润湿之后 借助于回转装置有利地自动化地改变硅材料的方位，从而硅材料现在以
一个不同的接触面或另外的接触点放置在支座上和由此处于一个改变 了的空间方位是，亦即处于不同的位置。由此在再次喷洒液体处理介质 时，在位置改变之前不能够被润湿的那些表面段也能够被润湿。在本发
明的一个优选的实施形式中，回转装置这样地构造，至少50%的硅材料 在回转过程中经历了一次至少20度的位置改变。在本发明的一个特别 优选的实施形式中，规定，至少75%的硅材料在回转过程中经历一次至 少20度的位置改变。
在本发明的实施例中规定，在清洗过程中在至少三个润湿工序之间 进行至少两次方位改变。通过至少三个清洗工序，即通过针对硅材料的 一个在时间顺序上的三个润湿工序和在各个清洗工序之间分别设置的 方位改变，可以以高的可靠性实现用处理介质对硅材料的全部外表面进 行至少近似完全的润湿。在清洗工序之间通过回转装置各引起一次方位
湿下。由此一定数量的清洗工序对应于一定数量的n-l次方位改变。
在本发明的另 一个实施例中规定，用处理介质润湿硅材料也至少在 方位改变期间进行。在方位改变期间，该方位改变相当于硅材料的各单 个碎块相对于支座的相对运动，那些可能既没有在第一空间定向上也没
理介质润湿。由此可以达到一种通过很小次数的方位改变，尤其是只有 一次方位改变的特别有利的清洗效果。
在本发明的另一个实施例中规定，在一个第一清洗过程之后设置至 少 一个或多个尤其是相同方式进行的采用不同的处理介质的清洗过程， 其中设置至少一个用处理介质对硅材料进行的第一润湿，至少一次硅材料的方位改变和至少另 一 个用处理介质对硅材料进行的润湿。通过串联 多个清洗过程，其尤其是实施各至少两个润湿工序和至少一个在其之间
除不同的杂质。
在本发明的另 一 个实施例中规定，作为处理介质使用以下组中的至
少一种物质:氢氟酸(HF),盐酸(HC1),硝酸(HN03),钾碱液(NaOH),尤 其是在水溶液中。采用这些处理介质可以从硅材料的外表面上去除氧化 层，金属离子和其它杂物。这些物质尤其是在水溶液中使用，以便能够 产生确定的不是太强烈的清洗效果。这些物质也可以相互混合在置于水 溶液中，以便可以获得一种组合的清洗效果。
在本发明的另 一 个实施例中规定，对于第 一 清洗过程使用溶解在水 中的氢氟酸(HF(aq))或溶解在水中的硝酸(HN03(aq))作为处理介质，对于 第二清洗过程使用溶解在水中的钾碱液(NaOH(aq))作为处理介质和对于 第三清洗过程使用溶解在水中的盐酸(HCI(aq))作为处理介质。在前后设
材料的外表面上的有关的污物。
在本发明的另一个实施例中规定，在至少一个，尤其是在每个清洗 过程之后利用沖洗装置实施一个沖洗过程，尤其是采用去离子化的水。 通过一个冲洗过程，它可以在改变或不改变硅材料的方位下实施，由处 理介质从外表面除掉的污物以及处理介质本身可以;故除去和由此不会 妨碍在后续的清洗过程中继续清洗硅材料。此外防止了在前一个清洗步 骤中的处理介质的残余物在下一个清洗步骤中与在那里使用的处理介 质以不希望的方式发生反应。
冲洗过程可以在与清洗过程相同的处理室中进行，同样可以^见定， 为了进行冲洗过程将硅材料运送到 一个具有用于沖洗介质的配量孔口 的分开的沖洗室中。在本发明的 一 个优选的实施形式中环形地设置喷 嘴，这种设置可以实现至少近乎全方位地将冲洗介质喷洒到硅材料上。
在本发明的另 一 个实施例中规定，该 一 个或多个清洗过程通过基本 上连续地尤其是自动化地输送硅材料，通过用处理介质基本上连续地润 湿硅材料和通过对硅材料的至少一次方位改变，尤其是在清洗室中，进 行实施。通过一种连续的输送可以在一个短的时间段中有效地清洗大量 的硅材料。连续的输送硅材料是指，使硅材料借助于输送装置在至少一
个空间方向运动和在此情况下通过至少一个第一润湿装置， 一个回转装 置和一个第二润湿装置。润湿装置构造成基本上连续地将处理介质施加 到硅材料的外表面上，而回转装置构造成基本上连续地改变硅材料的方 位。通过使连续的输送硅材料与连续的润湿和连续的方位改变进行组 合，各单个的硅材料碎块在通过笫 一 润湿装置时经受到用处理介质进行 的第一润湿。接着发生方位改变的回转过程和然后在通过第二润湿装置 时另一次施加处理介质。由此可以实施连续的清洗过程，但是它祸:i正了 对硅材料的至少几乎全部表面段的可靠的清洗。
在本发明的另 一个实施例中规定，硅材料为了改变空间方位辆^人第 一输送装置输送到一个相间隔地布置的第二输送装置上，后者布置在第 一输送装置下方，从而硅材料从第 一输送装置在改变空间方位的情况下 落到第二输送装置上。通过将输送装置间隔开使得硅材料在输送装置之 间运动一个路段，此时它至少短时间地不与支座，即不与其中一个l命送 装置接触。通过使硅材料从第 一输送装置上离开和达到或带到第二输送 装置上完成希望的方位改变。优选输送装置在垂直方向上相互相间隔 地，即相互上下地布置，从而硅材料从第一输送装置落到第二输送装置 上和由此改变它的空间定向或位置。方位改变也可以通过前后布置的输 送装置的不同的速度，尤其是通过各后置的输送装置的更高的速度变得 更加有利。
在本发明的另一个实施例中规定，在至少一个清洗过程之后和/或在 至少一个沖洗过程之后对硅材料进行一个干燥过程。由此可以防止通过
处理介质或沖洗介质的水分残余物将污物重新粘附在硅材料的外表面 上。此外尤其是对于处理介质的残余物可以减小或停止各处理介质与硅 材料的外表面的继续反应。干燥过程优选设置高温空气干燥或红外线干 燥，其中硅材料被连续地运送通过一个干燥室，在该干燥室中进行干燥过程。
按照本发明的另一个方面，设有一种用于处理硅材料的设备，尤其 是用于实施前述的方法，该设备包括至少一个用于在至少一个输送方向 上输送硅材料的输送装置，包括至少一个与该输送装置配置的用于改变 硅材料的空间方位的回转装置和包括至少 一个分别在输送方向上在回 转装置之前和在输送方向上在回转装置之后布置的用于用处理介质润 湿硅材料的润湿装置。该尤其是自动的输送装置能够在至少一个输送方
向上连续地输送硅材料。硅材料的输送可以尤其是沿着直线的或曲线的 空间线上进行。自动化的输送可以尤其是通过外力驱动的输送装置实 施，例如采用电动驱动装置。回转装置可以主动地或被动地构造。在主
改变，例如通过一个抓臂，它抓住硅材料和主动地改变空间定向。在被 动的回转装置中例如将由于输送而总是存在的运动能量和/或硅材料的 潜在的位能用于方位改变，由此可以实现设计结构简单的回转装置。
在本发明的另一个实施例中规定，输送装置具有环行的、无头的输 送带，其包括一个上分支和一个下分支，其中上分支与水平方向成4兌角 地定向和用于运送硅材料。上分支和下分支由无头的、环形的、由柔性 的材料制造的、环行的带子形成。输送带的上分支是向上与输送装置背 离指向的、可以在输送方向上运动的表面区域，它的面法线基本上在垂 直方向上向上地指向。该表面区域用作为硅材料的支座并且没有其它的 辅助机构。面法线可以尤其是与垂直线成一个锐角，亦即，硅材料在输 送期间克服一个高度差。借助于无头的输送带和例如作为电机构造的驱 动装置可以在很小的时间内输送大量的硅材料。
在本发明的另一个实施例中规定，输送带用一种可以让处理介质通 过的材料，尤其是网状材料，构成。由此保证处理介质在喷洒到硅材料 的外表面上之后可以滴出，而不会聚积在硅材料的下侧和作为封闭的表 面构造的支座之间。由此可以尤其是避免，在硅材料的下侧上聚积,皮处 理介质除掉的杂质。在本发明的一个优选的实施形式中规定，借助于在 上分支的下方布置的用于处理介质的润湿装置也可以借助于基本上垂 直向上的喷射流润湿硅材料的下侧。通过输送带的可以透过的构造，由 此可以不仅在珪材料的下侧上增多污物而且可以有利地润湿硅材并牛的 下侧。
在本发明的另一个实施例中规定，作为回转装置构造至少一个与输 送方向成锐角地布置的、与上分支的表面正交地和相邻地定向的导4九， 用于硅材料的方位改变。此时涉及的是一种被动的回转装置，它以偏转 板的方式将一个基本上垂直于输送方向指向的力施加到硅材料上和由 此可以引起方位改变。为此目的，导轨与上分支的表面相邻地布置，从 而它可以覆盖至少几乎全部放置在上分支上的硅材料的碎块。导轨具有 一个偏转表面，它与输送方向成一个锐角和它的面法线基本上水平地定
向。通过输送装置在输送方向输送的硅材料以锐角撞击到导轨上和由此 受到与输送方向正交的力的作用，由此可以产生方位改变。通过在导轨 和输送方向之间的角度的可调节性可以确定硅材料在导轨上撞击的强 度和由此确定通过导轨引起的回转过程的效果。在本发明的 一个优选的 实施形式中多个，不同地定向的导轨前后地布置在上分支上，以{更{呆证 硅材料的可靠的方位改变。
在本发明的另一个实施例中规定，回转装置通过设置至少两个尤其 是在输送方向重叠地布置的输送带形成，用于引起硅材料的方位改变。 该至少两个输送带可以尤其是相互相间隔地布置，从而硅材料在之输送 带间运动一段自由的路段，在该情况下它至少短时间地不与支座，亦即 不与其中 一个输送装置接触。硅材料离开第 一输送带和到达第二输送带 上，由此引起希望的方位改变。优选输送带在垂直方向上相互相间隔， 从而硅材料从第 一输送带上以至少近似自由落体的情况下落到第二输 送带上和由此改变它的空间定向。也可以通过前后布置的输送带的不同 的速度，尤其是通过后置的输送带的较高的速度使方位改变有利地实 现。在本发明的一个有利的实施形式中规定，相互跟随的输送带相互成 一定角度地定向，亦即，输送方向不同地、尤其是反向地选择。
在本发明的另一个实施例中规定，至少一个自动输送装置，至少一 个回转装置和至少两个润湿装置设置在一个至少基本上封闭的清洗室 中，用于防止处理介质逸出。由此可以将通常是腐蚀性的处理介质也以 大的压力施加到硅材料上，尤其是雾化地施加。由此可以实现有利的清 洗效果，同时不会使环境承受处理介质。在本发明的一个有利的实施形 式中在清洗室的 一个进入口处和/或 一个排出口处，通过它们可以将石圭材 料引入到处理室中或者从处理室中输送出来，设置一个密封装置，尤其 是形式为柔性的材料条和/或形式为空气帘或水帘，通过它们可以几乎完 全地防止被雾化的处理介质从清洗室中出来。
在本发明的另 一 个实施例中规定，将 一 个沖洗装置组合在清洗室 中。由此可以在一个清洗室中实现用处理介质对硅材料进行的完全集合 的湿式化学清洗和紧接着随后的冲洗过程。
在本发明的 一个备选的实施例中规定，冲洗装置由单独的冲洗模块 构造和沿着输送方向布置在清洗室之后。这可以实现对处理介质和沖洗 介质的分开的处理，它们可以收集在分开的模块中，从而可以对各个介 质分别进行一种特定适合的处理。此外在这种清洗室和沖洗装置的i殳置
中分别运行的清洗过程和沖洗过程不会以不希望的方式产生相互影响。 在本发明的另一个实施例中规定，沖洗装置，干燥装置和清洗室模 块式地和相互可以以任意的顺序耦联地构造。由此可以实现采用不同的 处理介质的可以预先自由给定的顺序的清洗过程和必要时在该清洗过 程之间设置冲洗和/或干燥过程。这可以使要处理的硅材料的不同的清洗 要求得到有利的适配。在本发明的另一个实施例中规定，输送装置配置 有一个接纳站和/或一个输出站，它们用于输入和/或运出硅材料。4妾纳 站和输出站可以由输送带构造和可以实现将硅材料连续地运送到至少 一个清洗室中和将处理过的硅材料从清洗室或后置的冲洗装置或干燥 装置中运出。
中获得，其中各单个特征可以本身单独地或者:、冲目互组合的形式多个地 在本发明的实施形式中和在其它领域中实施和展示为有利的以及本身 可以保护的实施方案，对其在此要求了保护。本申请划分成各个段落以 及加有小标题在此所做的陈述下不限制它的 一般的有效性。
附图的简单说明
在附图中示意示出了本发明的一个实施例并且在下面进行详细描
述。附图中所示
图l是一个清洗室的示意视图，包括一个后置的冲洗装置和多个作 为输送带构造的输送装置。
实施例的详细描述
用于处理硅材料3的设备1具有多个相互前后逐段地在垂直方向上 重叠地布置的自动输送装置，它们构造成输送带2.1至2.7和用于在至 少一个输送方向4上输送硅材料3。借助于输送带2.1至2.7硅材料3可 以被输送通过清洗室5和后置的冲洗室6和用处理介质7以及冲洗介质 8力口载。
第一输送带2.1作为接纳站进行构造和用于将硅材料3运送到清洗 室5中。第一输送带2.1在垂直方向上布置在第二输送带2.2的上方并 且重叠，从而硅材料3可以从第一输送带2.1沿着一个短的自由下落路
程落到第二输送带2.2上。所有的输送带2.1至2.7是共同的，使得硅材 料3可以在柔性的，网眼形的和由此液体可通过的带子10的上分支9 的与输送带2.1至2.7背离指向的表面上进行输送。此时上分支9的表 面的面法线11至少基本上在垂直方向14上定向，从而可以通过环4亍的 带子10在至少主要为水平方向上进行硅材料3的运送。为了能够紧凑 地设置输送带2.2至2.6和由此使清洗室5和后置的冲洗室6保持^艮小 的空间需求，输送带2.2至2.6分别相互平行地定向和面法线11与垂直 线14之间成一个锐角，例如5度至30度的角。 a
第二输送带2.2以及其它输送带2.3和2.4分别配置一个润湿装置。 借助于构造成喷嘴装置12的润湿装置，它们部分地在垂直方向上布置 在上分支9上方和部分地在垂直方向上布置在上分支9下方，可以至少 大致全方位地用处理介质7对硅材料3进行润湿。处理介质7通过介质 管道13供给到喷嘴装置12,借助于压力加载通过没有详细示出的喷嘴 孔口作为雾化的喷射锥在上分支9的方向上和由此在硅材料3的方向上 散布和喷射到硅材料3上。通过在在清洗室5中设置喷嘴装置12可以 在高压下用处理介质7对硅材料3进行润湿，同时由此被雾化的处理介 质不会不受控制地跑到环境中。喷嘴装置12分别与输送带2.2， 2.3和 2.4配置，其中喷嘴装置12的喷射锥也分别覆盖输送带2.2和2.3的端 部区域。由此保证，硅材料3在通过级联式的输送带装置时产生的方位 改变期间也由处理介质7润湿。
多余的处理介质7和带有从硅材料上脱落的杂质的处理介质7可以 在垂直方向上向下滴出和由此被收集到一个没有详细示出的收集或处 理池中，用于处理或加工已使用的处理介质7。喷嘴装置12用于连续地 供给处理介质7，从而在输送带2.2至2.4上输送的硅材料同样近似连续 地-故处理介质润湿。
硅材料3以第一空间定向置于第一输送带2.1上和沿输送方向4被 运送到第二输送带2.2上。通过第二输送带2.2的垂直向下移置的、重 叠的设置，硅材料3在到达输送带2.1的端部区域时沿垂直方向落到第 二输送带2.2上，其中硅材料3的空间定向也发生变化，以及发生了转 动。同样的情况也适用于其它的输送带2.3至2.7,从而硅材料3在每次 ,人前一个到后一个输送带2.1至2.7的过渡期间经历一次方位改变，如 这在
图1中示意地示出。由此各重叠布置的输送带2.1至2.7形成用于
硅材料3回转装置。
输送带2.5用于将硅材料3从清洗室5引导到冲洗室6中，在或者 中同样设有喷嘴装置12,它至少几乎在各侧上用冲洗介质8,尤其是用 去离子化的水，润湿硅材料。
在本发明的一个没有示出的实施形式中设有一个分拣装置，它对在 一个清洗步骤期间或之后针对各个碎块的大小分拣被处理的硅材料。优 选分拣装置与输出站相配置，从而在硅材料完全清洗之后进行分拣。
权利要求
1.用于处理或加工尤其是固体的硅材料(3)的方法，包括一个清洗过程，其具有步骤:用第一液体处理介质(7)润湿在第一空间方位上定向的硅材料(3)，借助于回转装置改变硅材料(3)的方位，在改变的方位上用第一液体处理介质(7)润湿硅材料(3)。
2. 按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在该清洗过程中进行 至少三个润湿工序并且在各工序之间进行一次方位改变。
3. 按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在方位改变期间 也用处理介质(7)对硅材料(3)进行润湿。
4. 按照前述权利要求中之一所述的方法，其特征在于，在一个笫一 清洗过程之后设置至少一个或多个尤其是相同方式进行的采用不同的 处理介质(7)的清洗过程，其中设置至少一个用处理介质(7)对硅材料(3) 进行的第 一润湿，至少一次硅材料(3)的方位改变和至少另 一个用处理介 质(7)对硅材料(3)进行的润湿。
5. 按照前述权利要求中之一所述的方法，其特征在于，作为处理介 质(7)使用以下的组中的至少一种:氢氟酸(氟化氢HF),盐酸(HC1),硝酸 (HN03),钾碱液(NaOH),尤其是在水溶液中。
6. 按照权利要求4或5所述的方法，其特征在于，对于第一清洗过 程使用溶解在水中的氢氟酸(HF(aq))或溶解在水中的硝酸(HN03(叫))作 为处理介质(7),对于第二清洗过程使用溶解在水中的钾碱液(NaOH(aq)) 作为处理介质(7)和对于第三清洗过程使用溶解在水中的盐酸(HCI(aq)) 作为处理介质(7)。
7. 按照前述权利要求中之一所述的方法，其特征在于，在至少一个， 尤其是在每个清洗过程之后利用冲洗装置实施一个冲洗过程，尤其是采 用去离子化的水。
8. 按照前述权利要求中之一所述的方法，其特征在于，该一个或多理介质(7)基本上^续地润湿硅材料(3)和通过对硅材料(3)的至少 一次方 位改变，尤其是在清洗室(5)中，进行实施。
9. 按照前述权利要求中之一所述的方法，其特征在于，硅材料(3)为 了改变空间方位被从第一输送装置(2.1， 2.2, 2.3, 2.4, 2.5, 2.6, 2.7)输送到一个相间隔地布置的第二输送装置(2.1， 2.2， 2.3， 2.4, 2.5， 2.6， 2.7)上,后者布置在第一输送装置(2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5， 2.6, 2.7) 下方，从而硅材料从第一输送装置(2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5， 2.6, 2.7) 在改变空间方位的情况下落到第二输送装置(2.1, 2.2, 2.3, 2.4， 2.5， 2.6， 2.7)上。
10. 按照前述权利要求中之一所述的方法，其特征在于，在至少一个 清洗过程之后和/或在至少一个沖洗过程之后对硅材料(3)进行一个干燥过程。
11. 用于处理硅材料(3)的设备(1),尤其是用于实施前述的方法，包 括至少一个用于在至少一个输送方向(4)上输送硅材料(3)的输送装置 (2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5, 2.6, 2.7),包括至少一个与该输送装置(2.1,2.2, 2.3， 2.4， 2.5, 2.6， 2.7)配置的用于改变硅材料(3)的空间方位的回 转装置和包括至少一个分别在输送方向(4)上在回转装置之前和在输送 方向上在回转装置之后布置的用于用处理介质(7)润湿硅材料(3)的润湿 装置(12)。
12. 按照权利要求11所述的设备，其特征在于，输送装置(2.1, 2.2, 2.3， 2.4， 2.5， 2.6, 2.7)纵向伸长地构造。
13. 按照权利要求11或12所述的设备，其特征在于，输送装置(2.1， 2.2， 2.3， 2.4, 2.5, 2.6, 2.7)具有环行的、无头的输送带，其包括一个 上分支(9)和一个下分支，其中上分支(9)与水平方向成一个锐角地定向和 用于运送硅材料(3)。
14. 按照权利要求13所述的设备，其特征在于，输送带(2.1, 2.2,2.3, 2.4, 2.5， 2.6, 2.7)由一种可使处理介质(7)通过的材料，尤其是网 状材料，构成。
15. 按照权利要求13或14所述的设备，其特征在于，作为回转装置 构造有至少一个在与输送方向(4)成锐角地布置的、与上分支(9)的表面正 交地和相邻地定向的导轨，用于硅材料(3)的方位改变。
16. 按照权利要求13或14所述的设备，其特征在于，回转装置通过 设置至少两个尤其是在输送方向(4)重叠地布置的输送带(2.1， 2.2, 2.3, 2.4， 2.5， 2.6, 2.7)形成，用于引起硅材料(3)的方位改变。
17. 按照权利要求13至16中之一所述的设备，其特征在于，至少一 个自动输送装置(2.1, 2.2, 2.3, 2.4， 2.5， 2.6， 2.7),至少一个回转装 置和至少两个润湿装置(12)设置在一个至少基本上封闭的清洗室(5)中， 用于防止处理介质(7)跑出，其中优选将一个冲洗装置(12)组合到清洗室(5)中。
全文摘要
一种用于处理或加工硅材料(3)的方法，用于实施一个清洗过程，其具有以下步骤用第一液体处理介质(7)润湿在第一空间方位上定向的硅材料(3)，借助于回转装置自动化地改变硅材料(3)的方位，在改变的方位上用第一液体处理介质(7)润湿硅材料(3)。还公开了一种相应的清洗设备(1)。
文档编号C01B33/00GK101374763SQ200780003303
公开日2009年2月25日 申请日期2007年1月23日 优先权日2006年1月23日
发明者H·卡普勒 申请人:吉布尔·施密德有限责任公司