专利名称：真空温控调压碳化硅冶炼炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及到碳化硅冶炼设备，尤其涉及到一种真空温控调压碳化硅冶炼 炉。
背景技术：
目前，碳化硅生产企业普遍采用反应烧结冶炼炉进行碳化硅冶炼。这种沿用于19 世纪末的艾奇逊法，或在此法基础上单纯对炉体容积和变压器扩容的传统设备和工艺，并 没有从本质上改变反应烧结碳化硅产业的高耗能、高污染现状，有悖于国家乃至世界可持 续发展和低碳经济的发展趋势。
发明内容本实用新型的发明目的，在于提供一种可以有效克服上述问题，低耗能、低污染的 真空温控调压碳化硅冶炼炉。本实用新型的技术方案是这样的，真空温控调压碳化硅冶炼炉，它包括炉体、钢架 结构、保温层、端部密封体、防爆装置、温度变送器、抽真空装置、配电装置、电极、平车和底 部密封体；所述的炉体座落于所述的平车上，平车位于轨道上；所述的炉体的截面结构自外 向内依次是所述的钢架结构、保温层；所述的炉体的上部纵向均勻分布有两个以上所述的 防爆装置；所述的炉体的上部纵向均勻分布有两个以上所述的抽真空装置；所述的炉体的 上部纵向、横向均勻分布有所述的温度变送器；所述的炉体的两端装有所述的电极，电极与 所述的配电装置相连接；所述的炉体的端部装有所述的端部密封体，下部装有所述的底部 密封体。本实用新型的特点是结构简单，设计合理。相比传统碳化硅冶炼炉，每炼一吨碳 化硅可节约用电30%，节约原材料10%左右，同时可实现冶炼碳化硅时产生的一氧化碳的 回收再利用，彻底改变目前碳化硅烧结冶炼炉高耗能、高污染现状。适合各类碳化硅生产企 业的安装使用。
图1为真空温控调压碳化硅冶炼炉整体结构局部剖视主视示意图；图2为真空温控调压碳化硅冶炼炉纵向剖视示意图；其中1炉体、2钢架结构、3保温层、4端部密封体、5防爆装置、6温度变送器、7抽 真空装置、8配电装置、9电极、10平车、11轨道、12底部密封体。
具体实施方式
如附图1、2所示，真空温控调压碳化硅冶炼炉，它包括炉体1、钢架结构2、保温层 3、端部密封体4、防爆装置5、温度变送器6、抽真空装置7、配电装置8、电极9、平车10和底部密封体12 ；所述的炉体1座落于所述的平车10上，平车10位于轨道11上；所述的炉体1的 截面结构自外向内依次是所述的钢架结构2、保温层3 ；所述的炉体1的上部纵向均勻分布 有两个以上所述的防爆装置5 ；所述的炉体1的上部纵向均勻分布有两个以上所述的抽真 空装置7 ；所述的炉体1的上部纵向、横向均勻分布有所述的温度变送器6 ；所述的炉体1的 两端装有所述的电极9，电极9与所述的配电装置8相连接；所述的炉体1的端部装有所述 的端部密封体4，下部装有所述的底部密封体12。本实用新型的工作原理，一是改变传统碳化硅烧结冶炼炉通过电极芯发热，自然 传导，使物料碳化的生产方式，为炉腔实现真空负压，加速热传导，进而达到节能的目的；二 是通过抽真空装置把一氧化碳抽出利用，进而不但可达到减少碳排放，而且还可为工业和 民用提供燃气的目的；三是由于改变了热传导方式，使物料受热碳化较为均勻，进而达到节 约原材料，提高成品率的目的。
权利要求1.真空温控调压碳化硅冶炼炉，其特征在于，它包括炉体(1)、钢架结构(2)、保温层 (3)、端部密封体(4)、防爆装置(5)、温度变送器(6)、抽真空装置(7)、配电装置(8)、电极 (9)、平车(10)和底部密封体(12)；所述的炉体⑴座落于所述的平车(10)上，平车(10)位于轨道(11)上；所述的炉体 ⑴的截面结构自外向内依次是所述的钢架结构(2)、保温层(3)；所述的炉体⑴的上部 纵向均勻分布有两个以上所述的防爆装置(5)；所述的炉体(1)的上部纵向均勻分布有两 个以上所述的抽真空装置(7)；所述的炉体(1)的上部纵向、横向均勻分布有所述的温度变 送器(6)；所述的炉体⑴的两端装有所述的电极(9)，电极(9)与所述的配电装置⑶相连 接；所述的炉体(1)的端部装有所述的端部密封体(4)，下部装有所述的底部密封体(12)。
专利摘要本实用新型公开了一种真空温控调压碳化硅冶炼炉。它包括炉体、钢架结构、保温层、端部密封体、防爆装置、温度变送器、抽真空装置、配电装置、电极、平车和底部密封体。所述的炉体座落于所述的平车上，平车位于轨道上。所述的炉体的截面结构自外向内依次是所述的钢架结构、保温层。所述的炉体的上部纵向均匀分布有两个以上所述的防爆装置。所述的炉体的上部纵向均匀分布有两个以上所述的抽真空装置。所述的炉体的上部纵向、横向均匀分布有所述的温度变送器。所述的炉体的两端装有所述的电极，电极与所述的配电装置相连接。所述的炉体的端部装有所述的端部密封体，下部装有所述的底部密封体。
文档编号C01B31/36GK201785196SQ20102025862
公开日2011年4月6日 申请日期2010年7月13日 优先权日2010年7月13日
发明者马兴忠 申请人:马兴忠