专利名称：还原炉出气孔分气帽的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种分气装置，尤其涉及一种还原炉出气孔分气帽。
背景技术：
三氯氢硅和氢气的混合气体从进气孔进入还原炉，从出气孔出来，在还原炉内形成一个气场，这个气场越均勻，对还原炉内的多晶硅生长越有利。但是，一般情况下还原炉内的气场是如图3所示来循环的，这种循环自然而然的在还原炉靠近下底面的边缘部分产生一个死角，这个死角内的气体流动相对比其他位置缓慢得多。这样，这个死角就会得不到新鲜的混合气体对它进行置换，在这个死角内的HCl含量就会增加，HCl对对硅芯根部温度较低的位置腐蚀性是相当厉害的，硅芯根部经过腐蚀就会支撑不住逐渐变粗、变重的硅芯， 从而导致倒炉。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能使还原炉内的三氯氢硅和氢气的混合气体均勻且还原炉内没有气场死角的装置。为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是一种还原炉出气孔分气帽，其特征在于所述还原炉出气孔分气帽由圆锥体形分流帽和周壁上设有进气孔、底面设有出气孔以及出气管的排气管道组成。采用上述技术方案所产生的有益效果在于由于所述分气帽的上端设有圆锥体形分流帽，增加了气体在还原炉内流动的路径，避免了还原炉外圈硅芯根部HCl富集的现象， 从根本上解决了多晶硅生长初期倒炉的可能，保证气体在炉内停留的时间，使反应更加充分，增大三氯氢硅的转化率；而且，由于所述分流帽将还原炉出气孔挡住，避免出炉时因操作不当，块状多晶硅掉进出气孔的情况。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型结构示意图；图2是本实用新型应用示意图；图3是原有还原炉结构示意图；其中1、圆锥体形分流帽2、进气孔3、出气孔4、出气管5、周壁上设有进气孔、 底面设有出气孔以及出气管的排气管道6、还原炉7、进气管8、还原炉上的出气管。
具体实施方式
如
图1所示，一种还原炉出气孔分气帽，其特征在于所述还原炉出气孔分气帽由圆锥体形分流帽1和周壁上设有进气孔2、底面设有出气孔3以及出气管4的排气管道5组成。[0012]在还原炉停炉的时候，把所述分气帽放在还原炉上的出气管8上，使所述分气帽的出气管4插进所述还原炉上的出气管8，保证所述分气帽不会因为气流的变化而移动位置。
如图2所示，在还原炉安装所述分气帽之后气体在还原炉内的流动路径将改变去除了还原炉内的死角，并增加了所述混合气体在还原炉内停留的时间，使混合气体得以充分反应。
权利要求1. 一种还原炉出气孔分气帽，其特征在于所述还原炉出气孔分气帽由圆锥体形分流帽 (1)和周壁上设有进气孔(2)、底面设有出气孔(3)以及出气管(4)的排气管道(5)组成。
专利摘要本实用新型公开了一种还原炉出气孔分气帽，其特征在于所述还原炉出气孔分气帽由圆锥体形分流帽和周壁上设有进气孔、底面设有出气孔以及出气管的排气管道组成。由于所述分气帽的上端设有圆锥体形分流帽，增加了气体在还原炉内流动的路径，避免了还原炉外圈硅芯根部HCl富集的现象，从根本上解决了多晶硅生长初期倒炉的可能，保证气体在还原炉内停留的时间，使反应更加充分，增大三氯氢硅的转化率；而且由于所述分流帽将还原炉出气孔挡住，避免出炉时因操作不当，块状多晶硅掉进出气孔的情况。
文档编号C01B33/03GK202208642SQ201120270718
公开日2012年5月2日 申请日期2011年7月28日 优先权日2011年7月28日
发明者冯谨, 李延辉, 段沙沙 申请人:河北东明中硅科技有限公司