技术总结
本发明提供一种砷化镓单晶的生长方法，包括步骤：(1)清洗石英坩埚；(2)将石英坩埚放入装有高纯镓的石英管内，对石英管重复进行抽真空和充气操作，最后充入惰性气体或氮气；(3)对石英管进行加热，直至石英管内温度达到1240℃以上并进行保温，之后冷却至室温；(4)将石英坩埚从石英管内取出，用酸浸泡，用去离子水清洗，再用无水乙醇进行脱水处理，放入干燥箱内待用；(5)按装料要求向石英坩埚依次装入籽晶、多晶料、余砷，将石英坩埚放入石英安培瓶内并进行抽真空、烘烤、封焊处理；(6)按传统的VGF法完成砷化镓单晶的生长。本发明既没有使用PBN坩埚，也没有使用液封剂B2O3，因此从源头上确保了GaAs单晶不受额外引入的B元素的污染。
技术研发人员：雷仁贵;易明辉
受保护的技术使用者：广东先导先进材料股份有限公司
文档号码：201510389316
技术研发日：2015.07.02
技术公布日：2017.01.11