一种铝硼母合金掺杂制备多晶硅靶材的铸造工艺的制作方法

文档序号:11811537阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种铝硼母合金掺杂制备多晶硅靶材的铸造工艺,其特征在于具有如下步骤:S1、原料配比;S2、预加热;S3、熔炼;S4、长晶过程;S5、消除热应力;S6、降温阶段。本发明选取了铝硼合金作为母合金,降低配料成本,采用配套的定向凝固铸锭工艺去除引入的铝元素,达到提高产品出成率的目的,出成率能够达到80%左,并且实现了多晶硅铸锭中可控的硼掺杂,可对电阻率精确控制,可将多晶硅料的纯度要求从5.5N降低到3N,降低了使用原料的成本。

技术研发人员:李鹏廷;任世强;谭毅;王凯;姜大川
受保护的技术使用者:大连理工大学
文档号码:201610594698
技术研发日:2016.07.26
技术公布日:2016.11.23

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