本发明涉及陶瓷金属化领域，具体涉及一种陶瓷覆铝板的制备方法。
背景技术：
随着微电子技术的迅速发展，电子器件趋于大功率、高密度、多功能化，电子线路的集成程度越来越高，电路工作时不可避免地产生大量热量。为了防止电子元件因热量聚集而损害，具有与半导体Si相匹配的热膨胀系数、高热稳定性、化学稳定性和低介电常数的陶瓷材料已成为目前业界应用最广泛的电子基板材料。金属陶瓷复合材料综合了陶瓷的绝缘、高导热，耐磨，耐腐蚀，耐高温的特性，和金属的导电，高导热特性。
公开号为CN102040393A的中国专利公开了一种连接陶瓷和铝或铝合金的方法，包括如下步骤：1)使陶瓷的连接面上形成铝合金液膜，得到连接面覆有所述铝合金液膜的陶瓷；2)在所述连接面覆有所述铝合金液膜的陶瓷的铝合金液膜上放置纯铝或铝合金钎焊在一起；所述钎焊的温度高于所述铝合金的熔化温度且低于所述纯铝的熔点，或所述钎焊的温度高于所述铝合金的熔化温度且低于所述铝合金的熔化温度。但是该方法需要采用特殊的专用设备，且步骤1)中工艺温度要求远高于铝的熔点，工艺控制非常复杂，铝合金液膜不仅需要二次加工，且其内部不致密，影响基板的散热，导电性能。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明的目的是提供一种陶瓷覆铝板的制备方法，通过此方法制得的陶瓷覆铝板，具有散热和导电性能好的优点。
为实现上述目的，本发明的陶瓷覆铝板的制备方法，包括以下步骤：
1)在陶瓷板双面覆过渡金属层；
2)将金属铝板叠置在过渡金属层表面，将二者一起放入热压模具中，在20-22MPa、250-260℃条件下热压60-80min，冷却，制得陶瓷覆铝板；
所述金属铝板的厚度为陶瓷板的20-80％。
进一步，所述过渡金属层为镁铝合金层。
进一步，所述步骤1)中，在过渡金属层表面设置刻痕。
进一步，所述陶瓷板的厚度为1-1.2mm。
本发明的有益技术效果是：本发明涉及一种陶瓷覆铝板的制备方法，包括以下步骤：1)在陶瓷板双面覆过渡金属层；2)将金属铝板叠置在过渡金属层表面，将二者一起放入热压模具中，在20-22MPa、250-260℃条件下热压60-80min，冷却，制得陶瓷覆铝板；所述金属铝板的厚度为陶瓷板的20-80％。该制备方法制得的陶瓷覆铝板，具有散热和导电性能好的优点。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的适用范围不限于下述的实施例。
实施例1
1)在陶瓷板双面覆过渡金属层；
2)将金属铝板叠置在过渡金属层表面，将二者一起放入热压模具中，在20MPa、250℃条件下热压60min，冷却，制得陶瓷覆铝板；
所述金属铝板的厚度为陶瓷板的20％。
所述过渡金属层为镁铝合金层；所述步骤1)中，在过渡金属层表面设置刻痕；所述陶瓷板的厚度为1mm。
实施例2
1)在陶瓷板双面覆过渡金属层；
2)将金属铝板叠置在过渡金属层表面，将二者一起放入热压模具中，在21MPa、255℃条件下热压70min，冷却，制得陶瓷覆铝板；
所述金属铝板的厚度为陶瓷板的50％。
所述过渡金属层为镁铝合金层；所述步骤1)中，在过渡金属层表面设置刻痕；所述陶瓷板的厚度为1.1mm。
实施例3
1)在陶瓷板双面覆过渡金属层；
2)将金属铝板叠置在过渡金属层表面，将二者一起放入热压模具中，在22MPa、260℃条件下热压80min，冷却，制得陶瓷覆铝板；
所述金属铝板的厚度为陶瓷板的80％。
所述过渡金属层为镁铝合金层；所述步骤1)中，在过渡金属层表面设置刻痕；所述陶瓷板的厚度为1.2mm。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。