1.一种半导体单晶硅晶棒参考面的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，在未标记生长棱线的滚磨好的单晶硅晶棒端面任意位置进行划线定位；然后在晶棒侧面做标记，并垂直于端面定位线；通过多线切割或内圆切割或带锯方式在做标记的端面进行样片截取；
步骤2，将步骤1截取的样片进行表面化学各项异性腐蚀，然后用纯水清洗多次后烘干；
步骤3，将样片放置在光学显微镜下观察表面腐蚀形状；根据不同晶向的形状和方位在样片上标记出主参考面的指示线；将带有定位线和主参考面指示线的样片与原有晶棒进行位置比对，标记出单晶硅晶棒上主参考面的指示线；
步骤4，利用晶向测试仪，在单晶硅晶棒指示线附近查找主参考面<110>晶向峰值，准确确定位置并做好标记；
步骤5，在主参考面<110>晶向准确位置上进行参考面加工；
步骤2中表面化学各项异性腐蚀采用的化学反应药液为NaOH或KOH溶液，浓度为2～40％，反应温度为60～90℃；
或者，步骤2中表面化学各项异性腐蚀采用的化学反应药液为铬酸混合液，铬酸混合液由氧化铬、浓度为49％的HF溶液和水混合而成，其中氧化铬、浓度为49％的HF溶液和水的质量比为1～0.5:1～0.5:3，反应温度为20-30℃。
2.根据权利要求1所述的半导体单晶硅晶棒参考面的加工方法，其特征在于，步骤1中截取的样片的厚度为0.2～2mm。
3.根据权利要求1所述的半导体单晶硅晶棒参考面的加工方法，其特征在于，步骤2中样片的腐蚀去除厚度为3～5μm。
4.根据权利要求1所述的半导体单晶硅晶棒参考面的加工方法，其特征在于，步骤4中晶棒指示线附近是指指示线圆心角20°以内范围。
5.一种硅片参考面的加工方法，其特征在于，具体步骤如下：
步骤1，将待加工参考面的硅片进行化学各项异性腐蚀，去除厚度为3～5μm；然后经多次纯水冲洗并烘干；
步骤2，将步骤1处理后的硅片放置在光学显微镜下观察表面腐蚀形状；根据不同晶向的形状和方位在硅片上标记出主参考面的指示线；
步骤3，利用晶向测试仪，将带有主参考面指示线的硅片在指示线附近查找主参考面<110>晶向峰值，准确确定位置并做好标记；
步骤4，在主参考面<110>晶向准确位置上进行参考面加工；
步骤1中表面化学各项异性腐蚀采用的化学反应药液为NaOH或KOH溶液，浓度为2～40％，反应温度为60～90℃；
或者，步骤1中表面化学各项异性腐蚀采用的化学反应药液为铬酸混合液，铬酸混合液由氧化铬、浓度为49％的HF溶液和水混合而成，其中氧化铬、浓度为49％的HF溶液和水的质量比为1～0.5:1～0.5:3，反应温度为20-30℃。
6.根据权利要求5所述的硅片参考面的加工方法，其特征在于，步骤3中指示线附近是指指示线圆心角20°以内范围。