技术总结
本发明公开了一种半导体单晶硅晶棒及硅片参考面的加工方法，首先在晶棒上截取样片，将样片进行表面化学各项异性腐蚀、清洗后烘干；观察表面腐蚀形状；根据不同晶向的形状和方位在样片上标记出主参考面的指示线；将带有定位线和主参考面指示线的样片与原有晶棒进行位置比对，标记出晶棒上主参考面的指示线；利用晶向测试仪，在单晶硅晶棒指示线附近查找主参考面晶向峰值，准确确定位置并做好标记并进行参考面加工。硅片直接在表面进行化学各项异性腐蚀及后续的处理即可。本发明充分利用晶体各向异性在化学腐蚀中的反应速率差异形成腐蚀形状来判定单晶硅及硅片主参考面位置，具有判断准确，操作简单，且易于产业化实现。
技术研发人员：孙新利;肖万涛;党娟莉;师伟;张翠芸
受保护的技术使用者：西安中晶半导体材料有限公司
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2019.02.26