技术总结
本发明提供了一种稀土晶体生长设备，该稀土生长设备包括：晶体生长炉；所述晶体生长炉的内部设置有加热元件；所述晶体生长炉的炉膛顶端设置有观测视窗；所述晶体生长炉的炉膛顶端的外部、所述观测视窗的上部设置有非接触式红外测温装置。与现有技术相比，本发明在晶体生长炉的顶端的观测视窗上部设置非接触式红外测温装置，实现熔体/固体界面处轴向和径向温度测算，根据测得的温度梯度设计稀土晶体生长所需的温场结构，利用结晶生长的化学键合理论，令提拉生长系统热力学和动力学控制满足最优匹配，缩短稀土晶体生长时长，提高晶体生长的能效比，提高晶体成品率。
技术研发人员：薛冬峰;孙丛婷
受保护的技术使用者：中国科学院长春应用化学研究所
文档号码：201611059073
技术研发日：2016.11.25
技术公布日：2017.05.31