一种低温晶体生长炉的制作方法

本实用新型涉及晶体生产领域，具体涉及到一种低温晶体生长炉。

背景技术：

晶体生成的一般过程是先生成晶核，而后再逐渐长大，一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段：①介质达到过饱和、过冷却阶段；②成核阶段；③生长阶段，其原理基于物种晶相化学势与该物种在相关物相中化学势间准平衡关系的合理维持。如在溶液中的晶体生长要求在平衡溶解度附近溶质有一定适宜的过饱和度。晶体生长方法是多样的，如水热法生长人工水晶，区域熔融法生长硅、锗单晶、氢氧焰熔融法生长轴承用宝石，航天失重法培养晶体以及升华法，同质或异质外延生长法等。现有的晶体生长炉多种多样，适用于不同晶体的生长，但是现有的生长炉多为固定式放置，难以移动，缺乏灵活性，晶体生长炉对环境的要求较高，可能常需移动位置，现有的生长炉难以满足要求。

技术实现要素：

基于以上背景，本实用新型提供了一种低温晶体生长炉，具有很好的灵活性能。

为了实现以上技术效果，现采用以下技术方案：

一种低温晶体生长炉，包括加热结晶装置、升降装置和机架，所述升降装置设置在加热结晶装置正下方，所述加热结晶装置与升降装置均设置在机架上，所述机架包括一支撑板以及设置在支撑板底部四角的支撑杆，所述支撑杆的底部之间垂直的设置有固定杆，所述固定杆与支撑杆相连接处设置有支撑装置，所述支撑装置可以翻折，所述固定杆的底部设置有万向滚珠。

本实用新型提供一种低温晶体生长炉，优选地，所述固定杆设置有三根，三根所述固定杆构成一个“凵”字形的形状。

本实用新型提供一种低温晶体生长炉，优选地，所述升降装置设置在机架内，所述加热结晶装置设置在机架上方，所述加热结晶装置的四周设置有透明的防护板，所述防护板从支撑板处向上延伸。

本实用新型提供一种低温晶体生长炉，优选地，所述加热结晶装置包括上下两侧的电阻加热段和设置在电阻加热段之间的高频感应加热段。

本实用新型提供一种低温晶体生长炉，优选地，所述支撑装置包括一固定轴、设置在固定轴上且可绕固定轴旋转的转轴以及垂直设置在转轴尾端的圆盘。

本实用新型提供一种低温晶体生长炉，优选地，所述支撑杆底部设置有凹槽，所述凹槽呈L状，所述固定轴设置在该凹槽内，所述转轴高于所述凹槽。

本实用新型的优点和有益效果在于：

本实用新型提供的低温晶体生长炉，采用三段式加热的方式，以电阻加热配合高频感应加热，使得晶体的成型更为快速和稳定，成型效果大大提高；本晶体生长炉，在机架底部设置了支撑装置，该支撑装置可以进行翻折，当圆盘平行于地面，则利用圆盘的平面起到支撑的作用，当支撑装置翻折，圆盘离开地面，则此时万向滚珠与地面接触，此时可以推动机架，完成整体设备的移动，大大提高了灵活性。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的优选实施方式进行详细或者优选地描述，其中，

图1为本实用新型的示意图；

图2为本实用新型支撑装置的示意图；

图3为本实用新型中A部放大示意图。

具体实施方式

参考附图1-3，本实用新型提供一种低温晶体生长炉，包括加热结晶装置1、升降装置2和机架3，所述升降装置2设置在加热结晶装置1正下方，所述加热结晶装置1与升降装置2均设置在机架3上，其特征在于，所述机架3包括一支撑板31以及设置在支撑板31底部四角的支撑杆32，所述支撑杆32的底部之间垂直的设置有固定杆33，所述固定杆33与支撑杆32相连接处设置有支撑装置4，所述支撑装置4可以翻折，所述固定杆33的底部设置有万向滚珠。

所述固定杆33设置有三根，三根所述固定杆33构成一个“凵”字形的形状，留出一个开口，方便升降装置2的装配，升降装置2与加热结晶装置1相连接，用以控制籽晶杆在加热结晶装置1内的位置。

所述升降装置2设置在机架3内，所述加热结晶装置1设置在机架3上方，所述加热结晶装置1的四周设置有透明的防护板5，所述防护板5从支撑板31处向上延伸，利用该防护板5，可以对较为脆弱的加热结晶装置1进行保护，同时设置为透明状，可以清楚观察到加热结晶装置1的工作状态，避免出现意外，可以实时监控，其中加热结晶装置1包括上下两侧的电阻加热段11和设置在电阻加热段11之间的高频感应加热段12，加热最高温度在1000度，成型晶体规格最大为3英寸。

所述支撑装置4包括一固定轴41、设置在固定轴41上且可绕固定轴41旋转的转轴42以及垂直设置在转轴42尾端的圆盘43，所述支撑杆32底部设置有凹槽10，所述凹槽10呈L状，所述固定轴41设置在该凹槽10内，所述转轴42高于所述凹槽10，当圆盘43的较大表面处于地面平行且相接触时，将整体的机架3抬离地面，减少地面湿气对设备的影响，同时将固定杆33上的万向滚珠抬离地面，将机架3固定；而当旋转转轴42，使得圆盘43脱离地面，由与地面的平行状态变化为与地面垂直的状态，使得机架3整体下落，使得万向滚珠与地面接触，由此可以实现机架3的移动，即可带动整体设备移动，实现不同位置的及时调整。

当然，以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式。应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应视为属于本实用新型的保护范围。