本发明属于石英砂造粒技术领域，具体涉及一种超细石英砂造粒的生产方法。
背景技术：
石英砂是一种应用十分广泛的非金属矿物，是多种工业产品的原料，由于其良好的耐热、耐腐蚀性能，并且资源丰富、价格低廉等优势，广泛应用于玻璃工业，填料领域以及铸造业、生产有机硅化合物等。
石英砂是石英石经破碎加工而成的石英颗粒。石英石亦称硅石，是一种质地坚硬、耐磨、化学性质稳定的硅酸盐类矿物。在自然界中以石英砂岩、石英岩和脉石英存在。石英砂岩是固结的碎屑岩石，石英碎屑含量达95％以上。采用一定的破碎技术，可以将硅石破碎成一定目数的石英砂，用于工业生产。
对于玻璃制造行业，需要石英砂的目数控制在20-120目之间。石英砂颗粒过粗会使得玻璃熔制质量出现问题，颗粒过细会使得在加料过程中产生较大飞料，腐蚀窑炉。在石英砂生产过程中，往往因原料开采、加工方式的制约，会产生大量160目以上的超细硅粉，无法用于玻璃生产。因此，将这些超细硅粉粗化并应用于玻璃生产过程是一种很有经济效益和环保效益的生产技术。因此寻求一种高效节能的超细硅粉粗化技术，对于石英原料的高效利用具有重要意义。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种环保、功耗低、工艺简单、粗化效果好的超细硅粉粗化方法，以充分利用玻璃工业生产中产生的超细硅粉。
本发明的技术方案如下：
一种应用于玻璃工业生产的超细硅粉粗化方法，具体步骤如下：
1、在每100千克粒度为160目及以上的超细硅粉中，加入1.5-5千克硅酸钠、10-20公斤质量百分含量为10-12％的聚乙烯醇水溶液，所述的聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇平均分子量为14000-22000，聚乙烯醇在水中的质量百分含量为8-15％混合均匀，在1-3.5MPa条件下成型压块。
2、将步骤1所制备得到的压块料在105-135℃下热处理干燥0.5-3小时
3、试样经热处理之后经破碎机破碎成粒度在20-120目的硅粉细粒，用于玻璃配合料的配制。
在本发明中，所述的硅酸钠为五水硅酸钠或者九水硅酸钠。
在本发明中，作为优选，所述的聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇平均分子量16000-20000，聚乙烯醇在水中的质量百分含量为10-12％。
在本发明中，作为优选，热处理干燥后，破碎成粒度在16-80目的硅粉细粒。
由上述描述可知，本发明提供了一种用于玻璃工业生产的超细硅粉粗化方法，本发明方法只需要105-135℃下热处理干燥，工艺简单，能耗低。
具体实施方式
实施例1：
1、在每100千克粒度为160目及以上的超细硅粉中，加入1.5千克五水硅酸钠或者九水硅酸钠、20公斤质量百分含量为11％的聚乙烯醇水溶液，所述的聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇平均分子量为16000-20000，混合均匀，在1MPa条件下成型压块。
2、将步骤1所制备得到的压块料在135℃下热处理干燥1小时
3、试样经热处理之后经破碎机破碎成粒度在16-80目的硅粉细粒，用于玻璃配合料的配制。
实施例2：
1、在每100千克粒度为160目及以上的超细硅粉中，加入2.3千克五水硅酸钠或者九水硅酸钠、15斤质量百分含量为12％的聚乙烯醇水溶液，所述的聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇平均分子量为16000-20000，混合均匀，在3MPa条件下成型压块。
2、将步骤1所制备得到的压块料在105℃下热处理干燥2小时
3、试样经热处理之后经破碎机破碎成粒度在16-80目的硅粉细粒，用于玻璃配合料的配制。
实施例3：
1、在每100千克粒度为160目及以上的超细硅粉中，加入3.5千克五水硅酸钠或者九水硅酸钠、13公斤质量百分含量为11％的聚乙烯醇水溶液，所述的聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇平均分子量为16000-20000，混合均匀，在2.5MPa条件下成型压块。
2、将步骤1所制备得到的压块料在130℃下热处理干燥0.5小时
3、试样经热处理之后经破碎机破碎成粒度在16-80目的硅粉细粒，用于玻璃配合料的配制。
实施例4：
1、在每100千克粒度为160目及以上的超细硅粉中，加入4.2千克五水硅酸钠或者九水硅酸钠、9公斤质量百分含量为10％的聚乙烯醇水溶液，所述的聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇平均分子量为16000-20000，混合均匀，在1.5MPa条件下成型压块。
2、将步骤1所制备得到的压块料在120℃下热处理干燥1.5小时
3、试样经热处理之后经破碎机破碎成粒度在16-80目的硅粉细粒，用于玻璃配合料的配制。
实施例5：
1、在每100千克粒度为160目及以上的超细硅粉中，加入5千克五水硅酸钠或者九水硅酸钠、5公斤质量百分含量为12％的聚乙烯醇水溶液，所述的聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇平均分子量为16000-20000，混合均匀，在3.5MPa条件下成型压块。
2、将步骤1所制备得到的压块料在110℃下热处理干燥3小时
3、试样经热处理之后经破碎机破碎成粒度在16-80目的硅粉细粒，用于玻璃配合料的配制。
上述仅为本发明的具体实施例，但本发明的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动，均应属于侵犯本发明保护范围的行为。