1.一种制备无应力InN纳米线的方法，其特征是利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0-5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气NH3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30-150分钟。
2.根据权利要求1所述的用升华法生长InN纳米线，其特征是，采用常压升华法，金属In作为铟源，铟升华和NH3反应，超过铟熔点温度时升华；Au作为催化剂。
3.根据权利要求1所述的用升华法生长InN纳米线，其特征是，石墨烯转移到衬底上，在100-150℃温度下烘干以使得石墨烯和衬底之间紧密接触，时间10-20分钟。
4.根据权利要求1所述的用升华法生长InN纳米线，其特征是，生长温度是：550-750℃。