1.高长径比NiS单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，通过以下步骤实现：
1）配制化学反应液：将硫源溶于吡啶中，配制成反应液；其中硫源在反应液中的浓度为0.7～1.0 mol•L-1；
2）合成高长径比NiS纳米线阵列：先将处理过的泡沫镍放入到高压反应釜中，再将上述配制好的反应液移入，在170-190℃条件下反应，反应结束后，自然冷却到室温，将泡沫镍取出，分别用无水乙醇、蒸馏水交替冲洗数次，真空干燥，即获得高长径比NiS单晶纳米线阵列；硫脲与泡沫镍的质量比范围为9～5：1。
2.根据权利要求1所述的的高长径比NiS单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述的硫源为硫脲，所述的镍源为泡沫镍。