技术总结
本发明公开了一种高长径比NiS单晶纳米线阵列的制备方法，属于功能纳米材料制备技术领域。该方法以硫脲为硫源，以吡啶为反应溶剂，采用溶剂热法制备具有良好电化学性能的高长径比NiS单晶纳米线阵列。方法简单、效率高、成本低，制备的高长径比NiS单晶纳米线阵列，其直径约30纳米，长度约2微米，长径比为67:1，具有较好的超电容性能。
技术研发人员：杜卫民;张有娟;徐亚利;魏少红;魏成振
受保护的技术使用者：安阳师范学院
文档号码：201710003161
技术研发日：2017.01.04
技术公布日：2017.05.31