技术总结
本发明属于半导体硅晶体表面腐蚀技术领域，尤其涉及一种单晶硅表面织构化腐蚀的化学助剂。在晶体硅制备织构图形的腐蚀过程中，形核密度、反应气泡在硅片表面的脱附速度以及气泡在排除过程中对硅片的再吸附对于织构均匀性非常重要。本发明的特征在于根据以上几个重要功能来设计成分和配比，所得到的化学助剂可以帮助晶体硅片在碱性腐蚀液中形成外观均匀一致且反射率低的织构化表面，用于太阳能电池时可以明显提高其光电转化效率。
技术研发人员：何秀英
受保护的技术使用者：何秀英
文档号码：201710018417
技术研发日：2017.01.10
技术公布日：2017.05.17