一种阴离子掺杂的K2NiF4型混合导体透氧膜材料及其制备方法与应用与流程

文档序号:11685185阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种阴离子掺杂的K2NiF4型混合导体透氧膜材料及其制备方法与应用。该材料的化学通式为:AaNi1‑bBbO4+δ‑c/2Xc,其中,A为La、Pr、Nd、Sm、Gd、Er中的一种或两种;B为Fe、Co、Cu、Zn、Al、Ga中的一种或两种;X为F、Cl、Br、I中的一种;δ为非化学计量比,1.8≤a≤2,0≤b≤0.3,0≤c≤0.5。本发明的材料采用EDTA‑柠檬酸混合络合法制备。本发明材料中阴离子的掺杂降低了O的价电子密度,大幅度地增加了膜材料的氧气渗透量,并且在含二氧化碳等酸性气氛下具有很高的操作稳定性,可用于从空气中选择性分离氧气,也可以与涉氧反应耦合构筑膜反应器。

技术研发人员:王海辉;陈莉;薛健
受保护的技术使用者:华南理工大学
技术研发日:2017.03.31
技术公布日:2017.07.21
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