一种制备碳酸钴的方法及系统与流程

技术特征：

1.一种制备碳酸钴的方法，其特征在于，包括：

S1，向晶种釜中加入钴盐溶液和碳酸氢铵溶液，反应20-30h后，每隔15-20h将所述钴盐溶液的流量增加20-40L/h，直到得到粒径D50为11.5-14.0μm的碳酸钴晶种；

S2，将所述碳酸钴晶种加入成品釜中，以及向所述成品釜中加入钴盐溶液和碳酸氢铵溶液；

S3，反应15-20h后，将S2中所述钴盐溶液的流量增加40-60L/h，直到得到振实密度为2.5-2.8g/cm³的碳酸钴成品。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1进一步包括：

先向所述晶种釜中加入碳酸氢铵底液，待所述晶种釜内温度升高至48-55℃后，再加入所述钴盐溶液和所述碳酸氢铵溶液。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S2进一步包括：

将20wt％-40wt％所述碳酸钴晶种保留在所述晶种釜中，将60wt％-80wt％所述碳酸钴晶种加入所述成品釜中作为底物。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述S2进一步包括：

先将碳酸氢铵底液与60wt％-80wt％所述碳酸钴晶种加入所述成品釜中，待所述成品釜内温度升高至48-55℃后，加入钴盐溶液和碳酸氢铵溶液。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中晶种釜内的pH值为7.0-7.5；所述步骤S3中成品釜内的pH值为7.0-7.3。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

所述晶种釜内的碳酸氢铵溶液、钴盐溶液和反应生成的碳酸钴晶种溢出至第一溢流槽；所述碳酸钴晶种在所述第一溢流槽内沉淀后，经频率为20-30HZ的第一循环泵泵送至所述晶种釜继续生长；

所述第一溢流槽内的碳酸氢铵溶液、钴盐溶液和碳酸钴晶种溢出至第一精密过滤器；

所述第一精密过滤器对碳酸氢铵溶液和钴盐溶液进行抽离，并将碳酸钴晶种滤出后，经频率为14-25HZ的第二循环泵泵送至所述晶种釜继续生长，直至得到粒径D50为11.5-14.0μm的碳酸钴晶种。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：

所述成品釜内的碳酸氢铵溶液、钴盐溶液和碳酸钴晶种溢出至第二溢流槽，且碳酸钴晶种在第二溢流槽内沉淀后，经频率为20-30HZ的第三循环泵泵送至成所述品釜继续生长；

所述第二溢流槽内的碳酸氢铵溶液、钴盐溶液和碳酸钴晶种溢出至第二精密过滤器；

所述第二精密过滤器对碳酸氢铵溶液和钴盐溶液进行抽离，并将碳酸钴晶种滤出后，经频率为14-25HZ的第四循环泵泵送至所述成品釜继续生长，直至得到振实密度为2.5-2.8g/cm³的碳酸钴成品。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钴盐溶液的浓度为100-150g/L、流量为400-500L/h；所述碳酸氢铵溶液的浓度为200-240g/L、流量为800-1200L/h。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述钴盐溶液的浓度为125-130g/L、流量为400-500L/h；所述碳酸氢铵溶液的浓度为210-220g/L、流量为800-1200L/h。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶种釜的有效使用体积为4-8m³；所述成品釜的有效使用体积为10-18m³。