一种气相可控型多晶硅还原炉的制作方法

技术特征：

1.一种气相可控型多晶硅还原炉，所述还原炉包括底盘和炉体，炉体连接在底盘上且在炉体与底盘之间限定出反应器内腔，其特征在于，所述反应器内腔中设有多个电极，所述电极按规律布置在所述底盘上，所述底盘下设有双层进气系统和排气系统，所述炉体顶部设有预热系统，所述底盘上设有多个进气喷嘴，所述双层进气系统包含双层进气环管和与双层进气环管相连的多个进气管，所述进气管分别与多个喷嘴一一对应连接，所述底盘上设有多个出气口，所述排气系统包括出气盘管和与出气盘管相连的多个出气管，所述出气管分别与多个出气口一一对应连接，所述底盘上设有冷却水流道，所述冷却水流道包括设于底盘中心的进水口和多个排水口，所述排水口与多个出气口一一对应设置。

2.根据权利要求1所述的气相可控型多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘上设有电极孔，以所述多晶硅还原炉底盘中心为中心设一正六边形，再以所述正六边形的六条边展开形成6个正六边形，在形成的24个顶点上各分布1个电极孔，外圈电极孔按环向对称紧凑布置，至少布置两圈，形成至少36对电极孔，硅芯按照中心六边形、外圈环向混合搭接。

3.根据权利要求2所述的气相可控型多晶硅还原炉，其特征在于，所述7个正六边形的中心分别设有1个进气喷嘴，外圈的进气喷嘴与环向搭接的硅芯形成同心圆环向布置至少三圈。

4.根据权利要求3所述的气相可控型多晶硅还原炉，其特征在于，所述外圈任一环形的多个喷嘴和其相邻的圈上的电极沿用向交错布置。

5.根据权利要求3所述的气相可控型多晶硅还原炉，其特征在于，所述出气口按照内外圈组合布置,均布在外圈硅芯同心圆上，形成对称布置。

6.根据权利要求1所述的气相可控型多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体内设有高温水冷却腔，所述高温水冷却腔连接有高温冷却水进口和高温冷却水出口，所述高温冷却水进口位于所述炉体的底部，所述高温冷却水出口位于所述炉体的顶部。

7.根据权利要求6所述的气相可控型多晶硅还原炉，其特征在于，所述高温水冷却腔内由下至上环绕形成螺旋状冷却流道。

8.根据权利要求1至7之一所述的气相可控型多晶硅还原炉，其特征在于，所述排水口连接有低温冷却管。

9.根据权利要求8所述的气相可控型多晶硅还原炉，其特征在于，所述出气口连接有低温冷却尾气管。

10.根据权利要求8所述的气相可控型多晶硅还原炉，其特征在于，所述预热系统通过法兰固定在所述还原炉顶部。