技术特征：
技术总结
本发明涉及一种用于光阳极表面的空穴存储层，所述空穴存储层为钴基氧化物纳米颗粒层。本发明选用钴基氧化物作为空穴储存层，使得光阳极表面储存了适量的空穴，促进了电荷转移，而减少了电荷复合的几率，提高了光阳极的光电流。本发明可以通过选用不同的前驱体，获得不同价态的钴基氧化物，实现对空穴储存层空穴储存能力的调整，能够适合于不同的半导体吸光材料；在优选技术方案中，旋涂法制备钴基氧化物能够避免二次水热对氧化铁半导体吸光层的劣化影响。
技术研发人员：代亚雯;宫建茹
受保护的技术使用者：国家纳米科学中心
技术研发日：2018.03.26
技术公布日：2018.09.14