技术总结
本发明提供了一种二维三硒化二铟原子晶体及其制备方法和用途。所述制备方法包括：将含有硒和铟的前驱体置于反应炉一侧，将生长衬底置于反应炉的另一侧，进行化学气相沉积，得到所述二维In2Se3原子晶体；其中，所述生长衬底由并排排列的基底组成且基底间相互接触。本发明还提供了一种如上述方法制备得到的二维In2Se3原子晶体，所述原子晶体形貌良好，尺寸大，达到100μm‑110μm，可用于微纳电子器件、光学器件或化学生物传感器。所述制备方法可实现大尺寸的二维In2Se3原子晶体的可控制备，且工艺简单，操作容易，制备成本低，适于产业化生产。
技术研发人员：成会明;唐磊;刘碧录
受保护的技术使用者：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
技术研发日：2018.04.20
技术公布日：2018.09.18