1.用于制造具有改性的表面孔隙率的经纯化的石墨构件的工艺，包括以下步骤
a)提供石墨构件，所述石墨构件具有一开口孔隙率，并且包括具有在0.4μm至5.0μm的范围内的平均孔尺寸(孔径)的孔并包括具有＜10μm的表面孔径的孔，并且具有＜0.05mm的平均晶粒尺寸；
b)在炉中用氮净化所述石墨构件，直到所述炉中的氧含量为约5.0％；
c)在所述炉中将多孔石墨构件加热到至少约1000℃的温度；
d)继续用氮净化及加热所述多孔石墨构件，直到所述氧含量为≤0.5％；
e)通过以下方式使所述多孔石墨构件直接地经受氯化处理
f)使所述温度增加到＞1500℃并开始吹扫氯气；
g)在氯气氛中将所述多孔石墨构件加热到≥1700℃的温度。
2.根据权利要求1所述的工艺，其中在步骤b)中，吹扫氮，直到所述炉中的所述氧含量为约3.0％、优选地约2.5％。
3.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中在步骤d)中，继续用氮净化及加热，直到所述氧含量减小到≤0.3％、优选地≤0.2％、优选地≤0.1％。
4.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中控制所述工艺步骤e)至g)以将所述多孔石墨构件中的氯含量调整为至少约20.00ppbwt.、优选地至少约40.00ppbwt.、优选地至少约60.00ppbwt.的量。
5.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中在所述多孔石墨构件中在所述主表面下方≥50μm处存在所述氯。
6.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中步骤c)和d)中的所述温度在＞1000℃与1500℃之间。
7.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中控制步骤b)至d)以获得具有改性的孔隙率的石墨基板，具有改性的孔隙率的所述石墨基板包括具有相比步骤a)中使用的所述石墨基板来说扩大的平均孔尺寸(孔径)的孔并包括具有≥10μm的表面孔径的孔。
8.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中从步骤g)得到的所述多孔石墨构件包含一定量的以下杂质元素中的一种或多种
钙＜50.00ppbwt.，
镁＜50.00ppbwt.，
铝＜50.00ppbwt.，
钛＜10.00ppbwt.，
铬＜100.00ppbwt.，
锰＜10.00ppbwt.，
铜＜50.00ppbwt.，
铁＜10.00ppbwt.，
钴＜10.00ppbwt.，
镍＜10.00ppbwt.，
锌＜50.00ppbwt.，
钼＜150.00ppbwt.。
9.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中获得具有≥98％、优选地≥99％的纯度和/或具有≤10.00ppmwt.、优选地≤5.00ppmwt.、优选地≤4.00ppmwt.的杂质总量的多孔石墨构件。
10.一种能够通过根据前述权利要求中任一项所述的工艺获得的具有改性的表面孔隙率的经纯化的石墨构件。
11.一种具有改性的表面孔隙率的经纯化的石墨构件，所述经纯化的石墨构件具有如权利要求4或5中任一项所限定的氯含量。
12.根据权利要求10或11所述的具有改性的表面孔隙率的经纯化的石墨构件，包括具有扩大的平均孔尺寸(孔径)的孔并包括具有≥10μm的表面孔径的孔，并且具有＜0.05mm的平均晶粒尺寸。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的具有改性的表面孔隙率的经纯化的石墨构件，具有如权利要求8或9中任一项所限定的纯度。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的具有改性的表面孔隙率的经纯化的石墨构件作为涂覆碳化硅的石墨制品中的基板、优选地作为用于在基板上沉积碳化硅的化学气相沉积(cvd)方法中的基板的用途，所述化学气相沉积方法优选地使用二甲基二氯硅烷作为cvd前驱物。
15.根据权利要求9至13中任一项所述的具有改性的表面孔隙率的经纯化的石墨构件的用于制造用于高温应用、基座和反应器、半导体材料、晶片的制品的用途。