技术特征：
技术总结
本发明涉及一种高稳定性低温烧结叠层片式压敏电阻材料，属于电子材料技术领域。本发明对ZnO‑Bi2O3基低温烧结压敏电阻材料，通过Ta2O5和BBSZ玻璃的加入，利用液相烧结机理加速了传质过程，进一步提高了材料的烧结致密度、降低了材料的烧结温度。由此材料通过叠层片式电容器生产制造工艺制备的片式压敏电阻器，其具有高稳定的压敏特性，烧结温度低(850℃～925℃)，非线性系数高(≥86.26)，漏电流小，具有良好的应用前景。
技术研发人员：李元勋;陆永成;彭睿;陶志华
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2019.03.25
技术公布日：2019.05.24